上海伯東代理日本 Atonarp 過(guò)程控制質(zhì)譜儀 Aston? 為半導(dǎo)體生產(chǎn)而設(shè)計(jì), 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), Aston? 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產(chǎn)中的氣體偵測(cè)分析, 實(shí)現(xiàn)尾氣在線(xiàn)監(jiān)控, 診斷并在一系列應(yīng)用中提供更高的控制水平, 適用于光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.

Aston? 質(zhì)譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 能夠在半導(dǎo)體生產(chǎn)遇到的惡劣工況下可靠運(yùn)行, 與傳統(tǒng)質(zhì)量分析儀相比, 使用 Aston? 的維修間隔更長(zhǎng). 它包括自清潔功能, 盡可能的清除由于某些工藝中存在的冷凝物沉積而導(dǎo)致的污垢積累.

Aston? 質(zhì)譜分析儀典型應(yīng)用: 保護(hù) CVD 工藝免受干泵故障的影響
真空泵是半導(dǎo)體加工廠中應(yīng)用廣泛的設(shè)備之一. 真空泵對(duì)于在真空環(huán)境操作下的各種化學(xué)氣相沉積工藝至關(guān)重要, 這些工藝在真空下運(yùn)行, 以確保在較低的加工溫度下獲得均勻, 保形的沉積涂層. 干泵通常是惰性且可靠的, 但在苛刻的半導(dǎo)體制造工藝中進(jìn)行泵送時(shí), 干泵可能會(huì)出現(xiàn)意外故障.

災(zāi)難性故障
電介質(zhì)沉積冷凝液和苛刻的工藝氣體 (如 NF3) 可能會(huì)導(dǎo)致性能下降或突然失效模式, 包括沉積物突然吸入, 排氣堵塞, 沉積導(dǎo)致干泵卡死以及干泵部件的腐蝕退化. 干泵故障通常會(huì)對(duì) 10片甚至 100片在加工中的晶圓造成不可修復(fù)的損壞. 此外, 工具停機(jī)和清理可能會(huì)導(dǎo)致大量開(kāi)支和收入損失.

CVD 工藝過(guò)程中, 已污染的干泵

上海伯東Aston? 質(zhì)譜分析儀提供解決方案
通過(guò)在故障前, 提前更換或使干泵離線(xiàn), 可以減輕災(zāi)難性的真空損失, 從而提高生產(chǎn)線(xiàn)良率.
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)干泵故障預(yù)測(cè). 通過(guò)測(cè)量進(jìn)入 (進(jìn)氣) 和排出 (排氣) 干泵的氣體的分子類(lèi)型和質(zhì)量 (分壓), 可以對(duì)破壞性腐蝕或沉積物堆積進(jìn)行建模. 僅氣體壓力和體積僅部分指示氣流的腐蝕性或堵塞性. 至關(guān)重要的是流經(jīng)干泵的氣體成分. Aston? 質(zhì)譜分析儀通過(guò)對(duì)干泵暴露在氣體濃度下的情況進(jìn)行建模, 并將模型與實(shí)際泵故障相關(guān)聯(lián), 可以較準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)干泵的預(yù)期運(yùn)行壽命.

在惡劣的 CVD 環(huán)境中, Aston? 利用可操作的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)和防范因 PV-CVD 干泵引起的災(zāi)難性故障, 能夠?qū)ζ茐男愿g或沉積進(jìn)行預(yù)測(cè)建模, 優(yōu)化氮?dú)獯祾叱杀?
適用場(chǎng)景: 多個(gè)腔室連接到 1個(gè)干泵, 高濃度的電介質(zhì)會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的泵故障 (一次損失 10-100 片的晶圓)

通過(guò)使用上海伯東 Atonarp 過(guò)程控制質(zhì)譜儀 Aston? 可以提高半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)量, 吞吐量和效率, 此款質(zhì)譜儀可以在新工藝腔室的組裝過(guò)程中進(jìn)行安裝, 也可將其加裝到已運(yùn)行的現(xiàn)有腔室, 可在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)晶圓更高產(chǎn)量! Atonarp 質(zhì)譜由統(tǒng)一的軟件平臺(tái), 光學(xué)和質(zhì)譜技術(shù)的突破性創(chuàng)新提供支持, 可提供實(shí)時(shí), 可操作, 全面的分子譜分析數(shù)據(jù).

Atonarp Aston? 質(zhì)譜儀半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用
1.介電蝕刻: Dielectric Etch
2.金屬蝕刻: Metal Etch EPD
3.CVD 監(jiān)測(cè): CVD Monitoring
4.腔室清潔 EPD: Chamber Clean EPD
5.腔室指紋: Chamber Fingerprinting
6.腔室匹配: Chamber Matching
7.高縱橫比蝕刻: High Aspect Ratio Etch
8.小開(kāi)口面積 <0.3% 蝕刻: Small Open Area <0.3% Etch
9.ALD
10.ALE