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國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在可移動數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-06-05 09:13 ? 次閱讀
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在數(shù)據(jù)采集中,某些變化緩慢的直流信號,需要長時間監(jiān)測記錄信號變化歷史的場合,用性能可靠的移動存儲器接在工作現(xiàn)場進行數(shù)據(jù)自動記錄采集,待采集完成后取回并接到計算機讀取分析,是解決這類問題的最佳辦法。本文介紹的移動數(shù)據(jù)采集器,關(guān)鍵在于解決移動時掉電數(shù)據(jù)保持問題以及在大容量的存儲空間保證足夠的分辨率和記錄時長。

掉電數(shù)據(jù)保持常用的存儲器有EEPROM和FLASH,或者用SRAM存儲器加電池的辦法解決,但EEPROM讀寫速度低,容易受干擾,存在讀寫次數(shù)的限制(一般只有10萬次),SRAM加電池的辦法則線路復(fù)雜,可靠性差,移動時容易造成數(shù)據(jù)丟失。

PB85RS2MC--SOP8.jpg

國產(chǎn)新型鐵電存儲器(FRAM)PB85RS2MC為電子技術(shù)、計算機技術(shù)的普及和發(fā)展開辟了許多新的可能性,它與EEPROM比較,具有諸多的優(yōu)勢,例如重寫速度高達100萬,而功耗4.8毫安,它具備靜態(tài)隨機存儲器SRAM一樣的快速讀寫數(shù)據(jù)和低功耗操作的優(yōu)點,又具有EEPROM存儲部樣的掉電數(shù)據(jù)保持的特性。幾乎可以把它當(dāng)作SRAM來使用,采用這種存儲器做移動采集器具有可靠性高、讀寫速度快、使用壽命長的優(yōu)點。

拍字節(jié)引腳.png

PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù),該存儲器優(yōu)秀的性能可以替代MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯),且PB85RS2MC有一定的價格優(yōu)勢,國芯思辰可提供專業(yè)的技術(shù)支持。

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC性能特征:

?容量:2M bit,接口類型:SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓:2.7伏至3.6伏,工作頻率:25兆赫茲

?功耗:4.8毫安(25兆赫茲),待機功耗9微安

?高速讀特性:支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃

?封裝形式:8引腳SOP寬體208mil封裝,符合RoHS

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

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