多埠暫存器陣列

多埠暫存器堆，簡單來說是處理器中多個暫存器所組成的陣列，故又稱多埠暫存器陣列，是處理器(如中央處理器、內嵌式處理器或神經網(wǎng)絡處理器)中常見的記憶體，用于暫存指令、數(shù)據(jù)和位址。暫存器陣列的存貯容量十分有限，但卻有讀寫速度快的優(yōu)點，因此在處理器架構裡，暫存器陣列被用來儲存運算單元計算的中間結果，利用快速存取資料來支援運算單元并改善處理器運算效能。

多埠暫存器陣列的實現(xiàn)方式有兩種，其一，藉由邏輯合成的方式，使用標準原件庫中的閂鎖器或正反器構成；而另一種方式，是使用客製化的多埠靜態(tài)隨機讀寫存儲單元，實現(xiàn)客製化的暫存器陣列，這種多埠存儲單元具有專門的讀埠與寫埠，可以支援多路同時存儲。兩者相較，第一種能快速地完成的暫存器陣列的設計與實現(xiàn)，而第二種方式則可以提供較佳的面積與效能。

分時多工的創(chuàng)新技術

針對客製化實現(xiàn)多埠暫存器陣列，M31提出分時多工的創(chuàng)新技術，優(yōu)化暫存器陣列的控制單元，有效提高記憶體單元的儲存與讀取頻寬，可使用晶圓廠提供的標準靜態(tài)隨機讀寫存儲單元(如單埠記憶體單元、雙埠記憶體單元)完成多埠暫存器陣列設計與實現(xiàn)。此一創(chuàng)新技術，不但可以縮短設計時間、縮短交貨流程，更可以提供最佳優(yōu)化面積與效能的多埠暫存器陣列，協(xié)助客戶完成更具有競爭力的處理器設計。

客製化記憶體模組區(qū)塊

M31提供完善的設計解決方案，採用TSMC 12奈米先進製程，針對市場的超高速操作需求，提供2R2W的4埠靜態(tài)隨機讀寫暫存器(SRAM)，各埠皆有獨立的操作模式，且不能互相干擾，此外，M31記憶體團隊使用讀寫的屏蔽技術，確保操作時資料讀寫的穩(wěn)定性，并同時兼顧CPU/NPU對于平行處理資料運算讀寫的需求;而針對晶圓廠的SRAM bit cell架構，M31所客製化記憶體模組區(qū)塊，可大幅減少由傳統(tǒng)閂鎖器或正反器組成所消耗的面積與功耗，并且，M31開發(fā)出boosted amplifier架構，克服bit cell自身讀取速度的極限，能進一步滿足處理器內部大于兆頻以上的超高頻需求。