MOS管在電路設計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。
發(fā)表于 03-14 19:33
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的 mos 管波形在各拓撲結(jié)構(gòu)中的波形都會不一樣,對與 PFC 來說,我們的 MOS 管波形見 圖 2這是因為我們的工作在了 CCM 模式下的 PFC
發(fā)表于 03-06 13:36
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。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流,是設計中的一個關鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設計三個方面,探討實現(xiàn)電流均流的方法: 1. MOS管
發(fā)表于 02-13 14:06
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MOS管的正確選擇涉及多個步驟和參數(shù)考量,以下是一個詳細的指南: 一、確定溝道類型 N溝道MOS管:適用于低壓側(cè)開關,當一個MOS
發(fā)表于 01-10 15:57
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在現(xiàn)代電子設計中,MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為關鍵元件,其性能直接影響到整個電路的穩(wěn)定性和效率。因此,在采購高性能MOS管時
發(fā)表于 11-19 14:22
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隨著電子設備向小型化和節(jié)能化發(fā)展,低功耗MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)在電源管理、信號處理等領域的應用越來越廣泛。 低功耗MOS管
發(fā)表于 11-15 14:16
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如何測試MOS管的性能 測試MOS管的性能是確保其在實際應用中正常工作的關鍵步驟。以下是一些常用的測試方法: 電阻測試 : 使用萬用表測量
發(fā)表于 11-15 11:09
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MOS管的開關速度是其重要性能指標之一,可以通過以下方法進行測量: 一、使用示波器測量 連接電路 : 將MOS管接入測試電路,確保柵極、漏極
發(fā)表于 11-05 14:11
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MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的導通與截止狀
發(fā)表于 10-29 18:01
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MOS管,即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,是一種電壓驅(qū)動大電流型器件,在電路中尤其是動力系統(tǒng)中有著廣泛的應用。以下是MOS管的
發(fā)表于 10-17 16:07
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測試MOS管的好壞是確保電子設備穩(wěn)定性和可靠性的重要步驟。以下是測試MOS管好壞的幾種常用方法: 二極管測試法: 使用萬用表調(diào)至二極
發(fā)表于 10-10 14:55
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MOS管(金屬-氧化物-半導體場效應管)是一種常用的電子元件,在電路中起著開關、放大等重要作用。然而,在某些情況下,MOS管可能會發(fā)生擊穿現(xiàn)
發(fā)表于 10-09 11:54
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因素的過程。以下是一些主要的考慮因素和選擇方法: 一、主要作用 GS之間電阻的主要作用是防止靜電對MOS管造成損害,并有助于控制開關速度、抑制振蕩等。靜電放電時,GS之間的電阻可以提供一個靜電瀉放通路,降低G-S極間的電壓,從而
發(fā)表于 09-18 10:04
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MOS管,即金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),通常具有三個引腳。
發(fā)表于 08-13 15:04
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MOS管驅(qū)動電阻的測試方法主要涉及到對驅(qū)動電路中電阻值的測量,以確保其符合設計要求,從而保障MOS管的正常工作。簡單介紹幾種常見的測試
發(fā)表于 07-23 11:49
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