進入21世紀，集成電路市場化程度很高，更多元器件出現(xiàn)在我們生活中的每一個領域，大到航空航天，軍工汽車等領域，小到生活中各種消費品如手機，電腦，手表，電視等領域，都少不了各種元器件的應用，元器件和我們的生活有著密切的聯(lián)系。

與此同時元器件還會帶來一些危險，市場上炸機事件時有發(fā)生，汽車故障，電路板著火等多數(shù)都和器件質(zhì)量有關，所以，預先篩選優(yōu)質(zhì)可靠的器件成為各大廠家的當務之急。

高溫反向偏壓試驗 定義

高溫反向偏壓試驗（High TemperatureReverse Bias）,簡稱HTRB，是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目，也就是高溫時連續(xù)供給某一規(guī)格反向電壓并長期運行時要求被測樣品反向漏電流能夠穩(wěn)定于范圍值，模擬器件在長期運行條件下的耐受能力從而推斷器件在實際使用時的壽命及應力大小。

在器件量產(chǎn)或使用前按照實際應用場景模擬實驗，提前摸清器件應力情況，可避免因應力、環(huán)境導致的失效及影響。

高溫反向偏壓試驗 實驗

1、實驗目的：

暴露與時間和應力有關的器件缺陷，測量目前器件是否符合規(guī)定標準要求并檢查封裝或者晶圓自身存在質(zhì)量問題。

2、測試相關標準：

可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關標準要求。

3、適應器件種類：

它可以涵蓋多種半導體分立器件（二極管，三極管,MOSFET管（增強型，耗盡型），達林頓管，可控硅和IGBT）的高溫反偏試驗，并適用于多種封裝。