99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

3D封裝的芯片散熱問題的解決新方法

向欣電子 ? 2022-11-25 18:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著行業(yè)轉(zhuǎn)向 3D 封裝并繼續(xù)擴(kuò)展數(shù)字邏輯,熱挑戰(zhàn)不斷增加,正在推動研發(fā)的極限。將太多熱量困在太小空間中的基本物理原理會導(dǎo)致實(shí)際問題,例如消費(fèi)品太熱而無法握住。然而,更糟糕的是功率和可靠性的損失,因?yàn)檫^熱的 DRAM 必須不斷更新,并且芯片在汽車等高溫行業(yè)中變得更加緊張。

“在理想的世界中,您的芯片由銅制成,而您的基板將 100% 由銅制成,” Amkor的高級機(jī)械工程師 Nathan Whitchurch 說。“但即使你可以,你也不會因?yàn)榉庋b中的其他一些限制因素而獲得更多性能。”

熱問題正在成為 2.5D 和 3D 封裝中的早期設(shè)計(jì)和封裝決策。ASE銷售和營銷高級副總裁 Yin Chang 表示:“散熱考慮是我們必須考慮的關(guān)鍵問題之一,在邏輯上是內(nèi)存,也是邏輯堆棧上的邏輯?!?/p>

隨著行業(yè)尋求解決方案,微流體和熱界面材料 (TIM) 成為關(guān)鍵的發(fā)展領(lǐng)域。前者正在取得突破。后者正在逐步改進(jìn)。為了散熱,液體冷卻器可以直接連接到芯片上,或者通道可以內(nèi)置在芯片本身中。在 TIM 方面,燒結(jié)銀環(huán)氧樹脂正在獲得使用。

微流體(microfluidics)可能很快就會過渡到生產(chǎn)?!拔腋掖蛸€,微流體將開始出現(xiàn)在超奇異的地方,特別是如果你開始堆疊高性能邏輯,” Synopsys的杰出架構(gòu)師 Rob Aitken 說。“如果你不采取任何冷卻措施,那么你的堆疊邏輯將僅限于單個芯片的散熱。有巨大的經(jīng)濟(jì)推動力來解決這些問題。鑒于此,并鑒于人們的創(chuàng)造力,我敢打賭有人會以某種聰明的方式解決它?!?/p>

01微流體的現(xiàn)狀

在過去的 40 年里,商業(yè)微流體技術(shù)指日可待。Tuckerman 和 Pease 于 1981 年在一篇現(xiàn)已成為經(jīng)典的論文中首次描述了將液體嵌入微/納米級通道以冷卻半導(dǎo)體的想法[1]。從那時起就嘗試了各種變體,現(xiàn)在一些項(xiàng)目顯示出真正和實(shí)用的冷卻前景。

兩年前,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院 (EPFL) 的一個小組展示了一個原型,該原型使冷卻液盡可能靠近熱源。該設(shè)計(jì)是經(jīng)常討論的微流體目標(biāo)的工作版本——將通道直接集成到芯片中,而不是依賴于 TIM 或鍵合,后者由于可靠性問題而使商業(yè)市場變得不穩(wěn)定。

瑞士團(tuán)隊(duì)克服了挑戰(zhàn),用他們論文的語言創(chuàng)造了“一種單片集成的歧管微通道冷卻結(jié)構(gòu),[其中] 僅使用每平方厘米 0.57 瓦的泵浦功率就可以提取超過每平方厘米 1.7 千瓦的熱通量?!盵2]

這篇論文引起了投資者的興趣,他們的想法從實(shí)驗(yàn)室發(fā)展成為一家初創(chuàng)公司。它的第一作者 Remco van Erp 與他的 EPFL 教授 Elison Matioli 和首席運(yùn)營官 Sam Harrison 共同創(chuàng)立了一家名為 Corintis 的公司[3],該公司已獲得瑞士政府的資助,用于開發(fā)其創(chuàng)新的商業(yè)版本。

“從熱學(xué)的角度來看,Corintis 的方法是一種非常有趣的冷卻解決方案,因?yàn)槔鋮s劑可以盡可能靠近熱源的位置,并且在這種配置中可以消除幾個熱障,”Herman Oprins 說,imec技術(shù)人員主要成員. 但他警告說,商業(yè)采用并不是必然的。“這是一種顛覆性的冷卻解決方案,需要在流體通道結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備之間進(jìn)行緊密的協(xié)同設(shè)計(jì),以充分發(fā)揮這種冷卻方法的潛力。它非常適合具有極高功率密度的具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,例如論文中所示的電源條結(jié)構(gòu)。對于功率密度在數(shù)百 W/cm2 范圍內(nèi)的 CMOS 應(yīng)用,可以使用具有數(shù)百 μm 更松弛通道直徑的單獨(dú)冷卻塊?!?/p>

三年前,Imec 展示了自己的微流體原型。它的新聞稿將這一概念描述為“將硅微通道散熱器組裝到高性能芯片上,用于冷卻后者。[它] 在低于 2W 的泵浦功率下實(shí)現(xiàn)了 0.34K/W 至 0.28K/W 的低總熱阻。” [4]

“我們有兩種主要類型的原型,”O(jiān)prins 解釋說?!耙粋€是硅微通道冷卻器。那里的主要發(fā)展是與低熱阻芯片的接合。第二個是使用復(fù)雜形狀的 3D 打印冷卻幾何結(jié)構(gòu)在芯片上進(jìn)行直接液體冷卻?!?/p>

據(jù) Oprins 稱,雖然 imec 的努力尚未商業(yè)化,但公司已經(jīng)在提供類似的設(shè)計(jì)。

在描述 imec 原型的起源時,Oprins 說:“我們利用晶圓間鍵合知識將冷卻器鍵合到芯片上,熱阻非常低,小于 1 mm2-K/W。因此,我們可以不使用熱界面材料,而是使用熔合、氧化物鍵合或金屬鍵合。半導(dǎo)體加工的主要優(yōu)勢在于,非常細(xì)的線可以有嚴(yán)格的公差?!?/p>

Oprins 指出了幾個問題?!盀榱税b的機(jī)械完整性,您需要用加強(qiáng)環(huán)來彌補(bǔ)蓋子的缺失,”他說?!叭绻ǖ捞?,推動冷卻劑通過的壓降就會過高。液體的體積是有限的?!比欢?,他指出,雖然更高的壓力是一個潛在的缺點(diǎn),但它并不是一個阻礙?!安捎镁徛闹饕蚴强煽啃詥栴}(泄漏)、維護(hù)需求和系統(tǒng)復(fù)雜性?!?/p>

55a87a16-6ca7-11ed-b116-dac502259ad0.png

圖 1. 各種冷卻方法。資料來源:IMEC

Oprins 將當(dāng)前和提議的商業(yè)液體冷卻方法分為四種不同的類型:

螺栓固定式冷卻器。這是數(shù)據(jù)中心當(dāng)前最先進(jìn)的技術(shù)。冷卻板位于蓋子頂部而不是散熱器。TIM 在上方和下方使用。

直接連接冷卻器。一些地方開始采用這種配置。冷卻器直接粘合到芯片上,只有一層熱界面材料。Imec 的原型使用此布局,并進(jìn)行了修改。

背面冷卻。僅在研究中提出,這種布局允許冷卻劑更靠近熱源。它不使用鍵合,而是使用與芯片直接接觸的介電液體。由于液體和芯片之間存在垂直連接,因此避免了橫向設(shè)計(jì)的熱梯度問題。

片內(nèi)冷卻。這就是 Corintis 試圖商業(yè)化的想法。冷卻劑包含在嵌入芯片的通道內(nèi)。雖然它可以提供最佳的冷卻效果,但一個潛在的挑戰(zhàn)是可能沒有足夠的空間用于較低間距的通道。

除了這項(xiàng)工作,QP Technologies的高級工藝工程師 Sam Sadri最近還展示了一個內(nèi)部冷卻封裝的原型。它采用 3D 技術(shù)創(chuàng)建,由陶瓷氧化鋁制成,采用厚膜技術(shù)進(jìn)行頂部金屬化,多個 SiC FET 將連接到其上。

“氧化鋁已經(jīng)是一種氧化物,而銅很容易氧化,所以這兩種氧化物結(jié)合在一起,這就是這種界面的形成方式,”Sadri 解釋道。“這是迄今為止用陶瓷制造功率模塊最便宜的方法。有一些方法可以進(jìn)一步降低成本。隔離金屬基板 (IMS) 基本上類似于任何 PCB 制造技術(shù),但它使用重銅。雖然大多數(shù) PCB 銅含有 0.25 至 0.5 盎司的銅,但接近 3 或 4 盎司。這是我所看到的比具有相同占地面積的氧化鋁更具成本效益的東西。”

原型的尺寸約為 4″×2 ?”×?” 深。雖然它比典型的基板厚,但這種矩形結(jié)構(gòu)的特殊之處在于它具有貫穿始終的通道,其較短的邊上有出口孔。“這是我在執(zhí)政期間見過的最酷的事情之一,”薩德里說。“當(dāng)您將其加電至全工作周期時,模塊會散發(fā)出大量熱量。你如何擺脫熱量?您通過通道發(fā)送冷卻劑,例如冷空氣、氮冷卻劑或其他一些冷物質(zhì)。隨著它的運(yùn)行,它也在冷卻下來?!?/p>

02改進(jìn) TIM

如上圖所示,螺栓固定式冷卻器和直接接合的冷卻器都使用 TIM 來優(yōu)化芯片和冷卻器之間的熱傳導(dǎo),許多其他配置也是如此。TIM 使用多種材料,包括“導(dǎo)熱油脂、間隙填充物、絕緣硬件材料、導(dǎo)熱墊和薄膜、石墨墊和薄膜、導(dǎo)熱膠帶、相變材料和導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂 [以及] 導(dǎo)熱陶瓷,例如,氧化鋁,氮化鋁和氧化鈹,”根據(jù)最近對冷卻系統(tǒng)的評論。[5]

然而,事實(shí)證明,許多 TIM 并不像其廣泛使用所暗示的那樣高效?!半S著液體冷卻性能的提高,熱界面材料成為一個重要的熱瓶頸,”O(jiān)prins 說?!跋到y(tǒng)集成商對如何用性能更好的材料替代 TIM 以及可靠性風(fēng)險有哪些有很多疑問。”

挑戰(zhàn)在于發(fā)現(xiàn)一種具有非常高導(dǎo)熱性的材料,同時又非常柔韌,因此它可以遵循不同組件的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

“通常,大多數(shù)具有良好導(dǎo)電性的材料也非常堅(jiān)硬,因此它們不僅不會適應(yīng),還會增加應(yīng)力,”O(jiān)prins 解釋道?!澳趯ふ乙环N很難找到的組合。因此,不會有任何一種材料具有這些特性。研究人員將不得不通過制造復(fù)合材料來設(shè)計(jì)一個。例如,不再像過去那樣只使用硅膠膏,現(xiàn)在可以在內(nèi)部添加導(dǎo)熱顆粒以提高導(dǎo)熱性能??梢杂袕?fù)合材料。甚至可能有碳納米管或石墨烯片。在那個特定領(lǐng)域有很多進(jìn)步。我們從硅基材料開始,最終將以金屬基熱界面材料結(jié)束,但首先要解決很多可靠性問題?!?/p>

鑒于對新型材料的迫切需求,Amkor 的 Whitchurch 強(qiáng)調(diào)所有工程師都應(yīng)該尊重材料科學(xué)的突破對于解決熱問題的重要性——并且該行業(yè)還有很長的路要走才能找到靈活、可靠且經(jīng)濟(jì)的材料.

他說:“我們正在探索許多不同的TIMs,它們不再是基于聚合物的?!薄耙郧昂芷嫣氐臇|西正在變得不那么奇特,比如燒結(jié)銀,你最終會在蓋子和模具之間得到非常堅(jiān)硬、高導(dǎo)熱率的銀合金基體。另一個例子是較軟的金屬材料,如基于銦的材料。鎵讓人害怕,因?yàn)樗鼤弯X反應(yīng),所以我們沒見過那么多這樣的環(huán)境。幾年前,我們經(jīng)常談?wù)撓嘧儾牧希?dāng)人們意識到可靠性和其他優(yōu)勢不存在時,相變材料似乎已經(jīng)消失了。我看到的其他東西,比如石墨墊,它們也有一些難以克服的工程挑戰(zhàn)。單向石墨具有很高的導(dǎo)熱性,但實(shí)際上將其裝入一個包裝是一個艱巨的挑戰(zhàn)?!?/p>

為了消除倒裝芯片封裝中的功率,Sadri 說:“傳統(tǒng)上,背面金屬化 SiC 功率 FET 芯片使用焊料(例如 AuSn)連接到散熱器。今天,燒結(jié)銀環(huán)氧樹脂表現(xiàn)出更好的熱性能,因此人們使用無壓(例如 Atrox)或加壓燒結(jié)環(huán)氧樹脂(Argomax)。在倒裝芯片方案中,散熱器采用鍍鎳銅設(shè)計(jì),與芯片背面接觸,接口處有熱界面材料 (TIM)。其他創(chuàng)新在芯片背面使用多條導(dǎo)線,然后將導(dǎo)線連接到 PCB 的接地平面上以改善散熱。銅鎢和銅鉬是人們喜歡的其他類型的散熱器,因?yàn)樗鼈兊?CTE 與硅相匹配,但它們很昂貴。銅仍然是最好的熱界面,而且非常劃算?!?/p>

另一種方法將完全消除對 TIM 的需求,這是 imec 在微流體方面工作的動機(jī)之一?!澳阆胝业教娲鋮s解決方案,這樣你就可以避免使用界面材料,這就是我們在液體冷卻方面所做的,”O(jiān)prins 說。“我們想讓它更靠近芯片,這樣我們就可以消除這些材料。我會說這是底線。你要么改進(jìn)材料,要么把它們?nèi)拥?。?/p>

03結(jié)論

這些挑戰(zhàn)的結(jié)果是解決熱問題越來越多地上升到預(yù)算優(yōu)先事項(xiàng)列表中。Whitchurch 說:“客戶通常會驚訝于他們必須將如此多的預(yù)算用于熱能?!薄暗菫榱俗屢粋€包簡單地起作用,我們都必須注意,因?yàn)樽罱K一個起作用的包比一個不起作用的包便宜。我們開始看到我們的許多客戶開始意識到這些,并開始采用我們更先進(jìn)的工程、技能和經(jīng)驗(yàn)來生產(chǎn) 10 年前我從未想過的產(chǎn)品?!?/p>

不過,改變需要時間?!斑@個行業(yè)非常保守,”奧普林斯說?!鼻袚Q到他們不知道的東西需要很多說服力。您介紹的所有內(nèi)容都帶有很多復(fù)雜性。我理解人們不愿采用新事物,直到它被證明有效并且所有的責(zé)任問題都得到解決。盡管如此,還是有很多很棒的想法。我們知道他們?nèi)匀恍枰龊芏喙ぷ?,我們正在尋找可以提供幫助的新員工?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    441036
  • 3D封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    141

    瀏覽量

    27801
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    無刷直流電機(jī)反電勢過零檢測新方法

    新方法。在三相采樣等效電路上分別并聯(lián)一組三極管控制的電阻分壓開關(guān)電路,參考電機(jī)轉(zhuǎn)速線性調(diào)節(jié)控制信號占空比,以此控制三極管通斷,從而調(diào)節(jié)電阻分樂開關(guān)電路阻值,可以避免高速時反電勢幅值高于檢測電路供電電壓
    發(fā)表于 06-26 13:50

    3D封裝與系統(tǒng)級封裝的背景體系解析介紹

    3D封裝與系統(tǒng)級封裝概述 一、引言:先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。
    的頭像 發(fā)表于 03-22 09:42 ?923次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>封裝</b>與系統(tǒng)級<b class='flag-5'>封裝</b>的背景體系解析介紹

    3D IC背后的驅(qū)動因素有哪些?

    3D芯片設(shè)計(jì)背后的驅(qū)動因素以及3D封裝的關(guān)鍵芯片芯片和接口IP要求。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:34 ?495次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> IC背后的驅(qū)動因素有哪些?

    DAD1000驅(qū)動芯片3D功能嗎?

    DAD1000驅(qū)動芯片3D功能嗎
    發(fā)表于 02-21 13:59

    芯片3D堆疊封裝:開啟高性能封裝新時代!

    在半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展歷程中,芯片封裝技術(shù)始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著集成電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提升和終端應(yīng)用對性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益嚴(yán)苛,傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足市
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:53 ?1562次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>3D</b>堆疊<b class='flag-5'>封裝</b>:開啟高性能<b class='flag-5'>封裝</b>新時代!

    2.5D3D封裝技術(shù)介紹

    整合更多功能和提高性能是推動先進(jìn)封裝技術(shù)的驅(qū)動,如2.5D3D封裝。 2.5D/3D
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:41 ?1594次閱讀
    2.5<b class='flag-5'>D</b>和<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)介紹

    一種降低VIO/VSLAM系統(tǒng)漂移的新方法

    本文提出了一種新方法,通過使用點(diǎn)到平面匹配將VIO/VSLAM系統(tǒng)生成的稀疏3D點(diǎn)云與數(shù)字孿生體進(jìn)行對齊,從而實(shí)現(xiàn)精確且全球一致的定位,無需視覺數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)。所提方法為VIO/VSLAM系統(tǒng)提供了緊密
    的頭像 發(fā)表于 12-13 11:18 ?705次閱讀
    一種降低VIO/VSLAM系統(tǒng)漂移的<b class='flag-5'>新方法</b>

    技術(shù)資訊 | 2.5D3D 封裝

    加速器中的應(yīng)用。3D封裝提供了出色的集成度,高效的散熱和更短的互連長度,是高性能應(yīng)用的理想之選。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,封裝在很大程度上決定了電子設(shè)備的性能、
    的頭像 發(fā)表于 12-07 01:05 ?1313次閱讀
    技術(shù)資訊 | 2.5<b class='flag-5'>D</b> 與 <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>封裝</b>

    利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法

    本文介紹了一種利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。傳統(tǒng)上,晶圓上的微結(jié)構(gòu)加工,僅限于通過光刻技術(shù)在晶圓表面加工納米結(jié)構(gòu)。 然而,除了晶
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:45 ?746次閱讀

    一文理解2.5D3D封裝技術(shù)

    隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來,作為2.5D3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:21 ?3538次閱讀
    一文理解2.5<b class='flag-5'>D</b>和<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    保護(hù)4-20 mA,±20-mA模擬輸入的新方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《保護(hù)4-20 mA,±20-mA模擬輸入的新方法.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-24 09:27 ?0次下載
    保護(hù)4-20 mA,±20-mA模擬輸入的<b class='flag-5'>新方法</b>

    混合鍵合技術(shù):開啟3D芯片封裝新篇章

    Bonding)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,并迅速成為3D芯片封裝領(lǐng)域的核心驅(qū)動力。本文將深入探討混合鍵合技術(shù)在3D芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-26 10:41 ?1659次閱讀
    混合鍵合技術(shù):開啟<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>封裝</b>新篇章

    實(shí)踐JLink 7.62手動增加新MCU型號支持新方法

    大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家分享的是實(shí)踐JLink 7.62手動增加新MCU型號支持新方法
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:25 ?1402次閱讀
    實(shí)踐JLink 7.62手動增加新MCU型號支持<b class='flag-5'>新方法</b>

    3D封裝熱設(shè)計(jì):挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。目前,2D封裝3D封裝是兩種主流的
    的頭像 發(fā)表于 07-25 09:46 ?2097次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>封裝</b>熱設(shè)計(jì):挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    一種無透鏡成像的新方法

    使用OAM-HHG EUV光束對高度周期性結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的EUV聚光顯微鏡 為了研究微電子或光子元件中的納米級圖案,一種基于無透鏡成像的新方法可以實(shí)現(xiàn)近乎完美的高分辨率顯微鏡。 層析成像是一種強(qiáng)大的無
    的頭像 發(fā)表于 07-19 06:20 ?768次閱讀
    一種無透鏡成像的<b class='flag-5'>新方法</b>