99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應用,可替代C2M0080120D

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-11-17 15:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優(yōu)點是不管車載電池在任何時候,任何地方需要充電,只要有充電機額定電壓的交流插座,就可以對電動汽車進行充電。本文簡述了碳化硅MOS B1M080120HC在5-6KW車載OBC上的應用。

車載OBC的工作原理

交流電輸入經(jīng)過D1-D4的全橋整流后,進入交PFC拓撲電路,產生一個高效率的直流電,此時電路的 Q1\Q2開關頻率為50KHZ左右,電路中的Q1\Q2選用SIC的MOSFET;然后直流電經(jīng)過C1濾波到LLC電路,此時Q3\Q4\Q5\Q6的開關頻率為100-300KHZ,Q3\Q4\Q5\Q6選用碳化硅MOS;最后整流經(jīng)過C2對電池進行充電,整個主電路就是一個AC-DC-AC-DC的過程,整個工作的具體流程見下圖:

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1117%2F4d36109ap00rlhbqk001mc000k0003tm.png&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

車載OBC主回路原理圖

由上圖設計一個功率5-6KW的車載OBC,Q1-Q6功率管選用基本半導體碳化硅MOS B1M080120HC。

碳化硅MOS B1M080120HC的相關特征:

基本半導體推出的高性能碳化硅MOS,符合RoHS標準、無鉛、不含鹵素,非常適用于車載OBC體積及發(fā)熱要求較高的應用;B1M080120HC耐壓1200V,最大通過電流44A(T=100℃),導通電阻80mΩ;

特點:

1. 專為高頻、高效應用優(yōu)化

2. 極低柵極電荷和輸出電容

3. 低柵極電阻,適用于高頻開關

4. 在各種溫度條件下保持常閉狀態(tài)

5. 超低導通電阻

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1117%2Fb262fa40j00rlhbqk0007c0009m009mm.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

B1M080120HC封裝圖

應用領域:

1. 車載OBC

2. 光伏能逆變器

3. 大功率儲能系統(tǒng)

4. 開關模式電源設備和功率轉換器

5. UPS系統(tǒng)

6. 電機驅動器

7. 大功率高壓直流/直流轉換器

8. 電池充電器和感應加熱

9. 充電樁

注:如涉及作品版權問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 基本半導體
    +關注

    關注

    2

    文章

    84

    瀏覽量

    10733
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

    近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品,憑借優(yōu)秀的
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?133次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35<b class='flag-5'>m</b>Ω SiC MOSFET量產交付應用

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A
    發(fā)表于 06-25 09:13

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產業(yè)已實現(xiàn)顯著進步,具體體現(xiàn)在以下核心維度。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?212次閱讀
    基本股份B3<b class='flag-5'>M013C</b>120Z(<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC MOSFET)的產品力分析

    碳化硅MOS驅動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?543次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅動電壓如何選擇

    國產碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用

    國產碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

    近日,瞻電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景,提
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:22 ?739次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>半橋功率模塊IV1B12009HA<b class='flag-5'>2</b>L

    6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結的仿真計算

    傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC(內置3KW DC/DC )應用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超結MO
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:36 ?532次閱讀
    6.6 <b class='flag-5'>KW</b>雙向<b class='flag-5'>OBC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>替代</b>超結的仿真計算

    碳化硅的耐高溫性能

    現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1.
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?1633次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC
    發(fā)表于 01-22 10:43

    全方位解析碳化硅:應用廣泛的高性能材料!

    碳化硅(SiC),又稱碳硅石,是當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學性質,多個領域展現(xiàn)了不可替代的優(yōu)勢。本文將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:22 ?1550次閱讀
    全方位解析<b class='flag-5'>碳化硅</b>:應用廣泛的<b class='flag-5'>高性能</b>材料!

    電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?991次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子推出采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET

    安森美1200V EliteSiC M3e平臺讓平面碳化硅性能拉滿

    。兩者各有其優(yōu)勢和劣勢,選擇哪種結構取決于具體的應用場景和需求,同時還要兼顧成本效益。前不久安森美推出的采用行業(yè)標準TO-247-4L封裝的1200V EliteSiC M3e平臺,可以說是平面結構的登頂之作,再次刷新了高耗電應用的能效。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:04 ?1018次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b> EliteSiC <b class='flag-5'>M</b>3e平臺讓平面<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>性能</b>拉滿

    Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

    Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
    發(fā)表于 10-24 10:51 ?1次下載

    1200V碳化硅sic功率器件測試及建模

    隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發(fā)展,傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應用最為廣泛,小電流器件主要
    發(fā)表于 10-17 13:44 ?0次下載

    基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認證

    近日,基本半導體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,產品性能和可
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?1116次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認證