功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件,主要用途包括逆變、變頻等,在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向,這些趨勢也對自動化測試設(shè)備提出了更高的要求。SPEA長期深耕半導(dǎo)體測試行業(yè),持續(xù)探索并突破核心檢測技術(shù),公司出品的DOT800T功率半導(dǎo)體測試儀在檢測速度、精度、動態(tài)雜散電感等關(guān)鍵性能指標(biāo)處于全球領(lǐng)先地位。
DOT800T將一整套的功率測試解決方案整合到了單臺設(shè)備之中,提供了在全范圍功率應(yīng)用中進(jìn)行 ISO、AC、DC 測試所需的所有資源,從晶圓級到最終產(chǎn)品,均可輕松完成。
DOT800T 不但解決了傳統(tǒng)硅電子器件的測試要求,也解決了氮化鎵和氮化硅等新技術(shù)帶來的測試要求,覆蓋了這些產(chǎn)品的性能范圍,包括最高電壓和電流源,高頻低電流測量等需求。
我們已經(jīng)利用完整且精確的動態(tài)測試和靜態(tài)測試以及隔離測試序列驗(yàn)證了該型產(chǎn)品在實(shí)際工作條件下的測試能力,能夠充分檢測確保各種器件的質(zhì)量和可靠性。
所有這些,都集成在了一套高處理量、模塊化且可配置的測試儀之中,這款測試儀專門針對批量生產(chǎn)環(huán)境中的測試需求而設(shè)計(jì)。
DOT800T
單套測試平臺即可覆蓋全范圍功率應(yīng)用
晶圓
能夠?qū)A級的功率器件進(jìn)行完整測試,改善良品率,降低成本,為下一步的制造工序做好準(zhǔn)備
KGD
能夠?qū)δz片框架中的單個芯片進(jìn)行完整測試,驗(yàn)證已知合格芯片的性能
分立器件
能夠?qū)?Si / SiC / GaN 技術(shù)生產(chǎn)的各種分立器件進(jìn)行完整測試
IPM
能夠?qū)?a target="_blank">智能功率模塊的 IGBT 和驅(qū)動器組件進(jìn)行完整測試
DBC
能夠在模塊裝配之前對直接粘合的銅質(zhì)基板進(jìn)行完整的測試
IGBT
能夠?qū)σ逊庋b的 IGBT 模塊進(jìn)行實(shí)際工作條件下的完整測試
DOT800T
一套測試儀最多可匹配6個測試站
DOT800T 基于多核心架構(gòu):測試儀可配備一個到六個獨(dú)立且可配置的測試核心,來在不同的專門測試站上執(zhí)行 ISO 測試、AC 測試和 DC 測試,每一個測試站都配備有專用獨(dú)立控制器。有了這一套系統(tǒng),您獲得的將是六臺強(qiáng)大測試儀的測試能力和出色性能。可根據(jù)具體的要求和操作流程,將測試儀不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 測試站。可在現(xiàn)場對測試儀的配置進(jìn)行擴(kuò)展和升級,滿足不同器件測試對測試儀的要求。不同的測試程序可在真正的并行異步模式下進(jìn)行,每個測試核心的控制器都能夠管理相應(yīng)的測試資源、儀器連接和測試程序執(zhí)行。
DOT800T
功率測試的最佳資源
DOT800T 配備了一整套最先進(jìn)的專用儀器來執(zhí)行各種功率半導(dǎo)體測試,設(shè)計(jì)同于檢測確保新一代寬帶隙技術(shù)的性能和可靠性,支持高電壓、高電流、高功率和高切換頻率等各種嚴(yán)苛測試條件。該測試儀能夠同時在測試中供應(yīng)高電壓和高電流,同時仍可保證極為出色的電流靈敏度,其內(nèi)置的數(shù)字化儀可確保在漏電和擊穿測量中實(shí)現(xiàn)最佳的分辨率和精度??衫帽镜卦O(shè)置存儲來實(shí)現(xiàn)模塊設(shè)置的更改,也可利用內(nèi)嵌宏來生成各種斜坡和觸發(fā),這帶來了測試時間短的優(yōu)點(diǎn)??稍谀K之間實(shí)現(xiàn)整系統(tǒng)內(nèi)的硬件同步,可在高電壓和高電流模塊上實(shí)現(xiàn)嵌入警報(例如過溫、過流、波動、開式溫度等),這些都是實(shí)現(xiàn)測深儀在混合模式下的可靠和安全運(yùn)行的基礎(chǔ)。
DOT800T
測試資源
ISO測試資源
- 高達(dá) 12kV/10mA DC
- 高達(dá) 10kV/20mA AC
- 高電壓安全開關(guān)(帶輸出矩陣)用于限制放電電流,確保測試儀在任何情況下都保證安全
AC測試資源
高達(dá)6kV,高達(dá)3kA
電流短路測試,高達(dá)10kA
最多 8 個可獨(dú)立編程的門驅(qū)動
2 – 8 個多脈沖
數(shù)字化儀的取樣率可達(dá)10GS/s 取樣率
DC測試資源
中等功率V/I 資源(±100V、±2A,最高可達(dá)16A),配備 8 臺驅(qū)動和 8 個數(shù)字化儀,各自完全浮動和互相獨(dú)立
高電壓發(fā)生器發(fā)生能力高達(dá)20kV
高電流發(fā)生器可發(fā)生高達(dá)4kA 脈沖電流,配有自動斜坡發(fā)生器,可縮短測試時間
DOT800T
低雜散電感設(shè)計(jì)
對高功率、高頻率期間的動態(tài)測試不僅要求測試儀器的良好性能,還要求測試儀的連接布局、插口和接觸器等的設(shè)計(jì)必須謹(jǐn)慎且優(yōu)秀,才能確保在整個信號路徑中充分降低雜散電感, 從而最大程度上減小整流期間的電壓超調(diào)問題。SPEA 能夠提供完整的測試解決方案,一步式資源即可覆蓋您測試功率器件的所有需求。
各接觸單元均由 SPEA 研發(fā)制造,充分保證了易用性、高性能和低雜散電感等優(yōu)點(diǎn),適用于對行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和自動封裝的各種器件進(jìn)行環(huán)境溫度下,以及雙溫度或三溫度條件下的測試。針對晶圓 KGD 和 IGBT 模塊,SPEA 也提供有完整的測試設(shè)備,整合了機(jī)器人自動搬運(yùn)處理,適用于直接集成到您的生產(chǎn)線之中。
DOT800T
便捷的操作系統(tǒng)
ATOS C2操作軟件可提供編程、調(diào)試和測試執(zhí)行所需的所有資源,并具有可用于生產(chǎn)模式的一整套工具,為用戶帶來了最佳可用性。
測試程序生成和調(diào)試僅需不到 1 天
- 無代碼開發(fā),利用軟件自帶庫即可完成編程開發(fā)
- 提供繪圖功能,用于視覺對比所測器件不同部分的波形結(jié)果(例如單相、3 相、多級 MOSFET 和 IGBT 等)
- 自帶數(shù)據(jù)獲取記憶內(nèi)存,用于對所有模塊進(jìn)行 V/I 監(jiān)控
- 可編輯測試模型中的每一項(xiàng)參數(shù)
- 測試流程可‘隨時按需’更改,無需重新編輯測試程序
- 使用方便,控制簡單
DOT800T
執(zhí)行測試類型
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
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