99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-02-24 10:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系

8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

第8章單極型功率開關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

41224edc-94cb-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

41314482-94cb-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

4144a07c-94cb-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    7136

    瀏覽量

    135010
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65257
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?219次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

    碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件
    的頭像 發(fā)表于 05-05 18:20 ?308次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動<b class='flag-5'>電壓</b>的限制源于柵氧可靠性與<b class='flag-5'>器件</b>性能之間的權(quán)衡

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿
    發(fā)表于 04-08 16:00

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電?b class='flag-5'>器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?745次閱讀

    橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項

    在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和
    的頭像 發(fā)表于 02-11 22:27 ?348次閱讀
    橋式電路中<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>替換超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>注意事項

    SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?800次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>雙脈沖測試方法介紹

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?781次閱讀
    為什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵<b class='flag-5'>器件</b>?

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    功率器件的開通速度。- 使用米勒鉗位功能。03 IGBT與SiC MOSFET對于米勒鉗位的需求以下表格為硅IGBT/ MOSFET碳化硅MOSF
    發(fā)表于 01-04 12:30

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>室結(jié)構(gòu)

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

    碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?1458次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>柵極氧化層缺陷的檢測<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?603次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1269次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1161次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用