隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
發(fā)表于 04-21 17:55
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本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠?b class='flag-5'>碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端
發(fā)表于 02-19 11:35
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碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過程復(fù)雜
發(fā)表于 02-03 14:21
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碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析
發(fā)表于 02-03 14:21
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。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中最常見的缺陷之一,它們會(huì)形成垂直于晶體生長(zhǎng)方向的空管,影響電子器件的電導(dǎo)率和
發(fā)表于 01-24 09:17
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隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
發(fā)表于 01-04 12:37
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長(zhǎng)
發(fā)表于 12-31 15:04
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能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點(diǎn),并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用,引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
發(fā)表于 12-04 10:49
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碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
發(fā)表于 10-30 15:04
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碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
發(fā)表于 09-13 11:00
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在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率
發(fā)表于 09-13 10:56
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碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
發(fā)表于 09-11 10:44
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碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
發(fā)表于 09-11 10:25
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。而硅晶圓是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 制造工藝: 碳化硅晶圓的制造工藝相對(duì)復(fù)雜,需要高溫、高壓和長(zhǎng)時(shí)間的生長(zhǎng)過程。而硅晶圓的制造工藝相對(duì)成熟,可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。此外,碳化硅晶圓的
發(fā)表于 08-08 10:13
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碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
發(fā)表于 08-07 16:22
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評(píng)論