10.1.2 二維電場集中和結(jié)的曲率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.1.2 二維電場集中和結(jié)的曲率
10.1 SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端
第10章功率器件的優(yōu)化和比較
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
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