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國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-06-19 14:55 ? 次閱讀
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導(dǎo)語:

2021年3月,科技部正式復(fù)函支持蘇州市建設(shè)國家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)(以下簡稱“一區(qū)兩中心”)。

同年4月,蘇州市“一區(qū)兩中心”建設(shè)推進大會召開,會上發(fā)布了“一區(qū)兩中心”若干意見及有關(guān)產(chǎn)業(yè)政策,作為主要實施地的蘇州工業(yè)園區(qū)提出了相關(guān)建設(shè)愿景?!耙粎^(qū)兩中心”揭牌啟動。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)獲批建設(shè)兩年以來,瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,進一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。

截至目前,園區(qū)已集聚相關(guān)企業(yè)超1100家,相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1400億元,在積極服務(wù)國家戰(zhàn)略的同時,為提升園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力提供了關(guān)鍵支撐。

加強基礎(chǔ)研究,攻堅核心技術(shù)

國創(chuàng)中心聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向,重點突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸,實現(xiàn)在電力電子、微波射頻光電子領(lǐng)域的應(yīng)用突破,增強我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力和主導(dǎo)力。

目前,國創(chuàng)中心承擔(dān)省級以上重大研發(fā)項目7項,組織“揭榜掛帥”項目3個,在大尺寸氮化鎵材料制備等領(lǐng)域取得重大突破,形成了以“設(shè)備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應(yīng)用”為支撐的完整產(chǎn)業(yè)鏈,并在國際上率先突破了6英寸單晶襯底等一批前沿技術(shù)。

重大項目的申報、“揭榜掛帥”的實施,強化突出企業(yè)創(chuàng)新主體地位,形成了以企業(yè)為主體、市場為導(dǎo)向、產(chǎn)學(xué)研用深度融合的技術(shù)創(chuàng)新體系,營造了科研攻關(guān)能者上的創(chuàng)新生態(tài)。目前,國創(chuàng)中心已培育支撐蘇州納維、晶湛半導(dǎo)體、漢驊半導(dǎo)體、度亙激光、芯三代半導(dǎo)體等代表性企業(yè),著力從創(chuàng)新源頭發(fā)力,培育產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能。

完善科研平臺,建強創(chuàng)新載體

面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,國創(chuàng)中心打造了一批具有公共屬性的、覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的、開放的科研平臺,暢通創(chuàng)新生態(tài)鏈,促進第三代半導(dǎo)體整體科技水平提升。

2022年1月,國創(chuàng)中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地開工,這是園區(qū)打造第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地、產(chǎn)業(yè)集群的重大基礎(chǔ)設(shè)施,將有力支撐第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和科技成果轉(zhuǎn)化。

2022年6月,面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,國創(chuàng)中心新啟動氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心等8家聯(lián)合研發(fā)中心。同時,國創(chuàng)中心首支規(guī)模3億元基金-蘇州荷塘創(chuàng)芯基金同期簽約成立,專門用于國創(chuàng)中心項目孵化。

2022年11月,國創(chuàng)中心與中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院合作共建的三微電子總部大樓落成開業(yè),將打造國際一流的第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、先進微系統(tǒng)組裝中心、高端芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化高地。

2022年12月,國創(chuàng)中心材料生長創(chuàng)新平臺和器件工藝平臺完工,建成全鏈條研發(fā)支撐平臺,突破材料創(chuàng)新關(guān)鍵共性技術(shù)和工藝關(guān)鍵環(huán)節(jié),實現(xiàn)裝備、技術(shù)、人才的源頭供給。

目前,國創(chuàng)中心與全國知名高校、院所、企業(yè)設(shè)立17個聯(lián)合研發(fā)中心,建立了比肩國際一流科研機構(gòu)的公共服務(wù)平臺,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,產(chǎn)學(xué)研協(xié)同推動科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化,為區(qū)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給。

此外,國創(chuàng)中心成立長三角第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟等開放合作平臺,充分調(diào)動各類創(chuàng)新主體的積極性,形成國家第三代半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)、人才培養(yǎng)以及信息交流的共享創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò),形成跨區(qū)域、跨行業(yè)、跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力。

打造人才高地,鍛造硬核力量

國創(chuàng)中心以高起點、高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)結(jié)構(gòu)合理的高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才團隊,形成一支年齡結(jié)構(gòu)合理、學(xué)歷層次高、專業(yè)覆蓋面廣、技術(shù)力量雄厚、產(chǎn)學(xué)研聯(lián)系緊密的科研隊伍。

國創(chuàng)中心組建了由中國科學(xué)院院士郝躍等10位院士領(lǐng)銜的技術(shù)專家委員會,匯聚了國內(nèi)外技術(shù)前沿的一流科學(xué)家、學(xué)科領(lǐng)軍人才和科研團隊,梳理產(chǎn)業(yè)長遠發(fā)展必須解決的技術(shù)難題,組織上下游團隊協(xié)力攻關(guān)。

目前,國創(chuàng)中心已吸引30余位國內(nèi)外高層次領(lǐng)軍人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè),形成規(guī)模300人的核心科研團隊。

拉開集群大幕,堅持自立自強

當(dāng)前,國創(chuàng)中心圍繞國家戰(zhàn)略需求和國際產(chǎn)業(yè)競爭焦點,瞄準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)前沿引領(lǐng)技術(shù)和關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用,著力打造一流的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。

下一步,國創(chuàng)中心將持續(xù)以關(guān)鍵共性技術(shù)攻關(guān)為核心使命,強化政策引領(lǐng)和機制體制創(chuàng)新,夯實產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ),支持創(chuàng)新主體引培、公共技術(shù)服務(wù)平臺建設(shè)、高端人才引育等,營造更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài),全面推進科技自立自強,加快我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。

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原文標(biāo)題:國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

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