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復(fù)位要求和復(fù)位電路

6.5 電壓監(jiān)視復(fù)位

RA6系列包括在欠壓期允許MCU防止不安全操作的電路。板上比較器根據(jù)三個(gè)參考電壓V_det0、V_det1和V_det2檢查電源電壓。當(dāng)電源下降到每個(gè)參考電壓以下時(shí)，會(huì)產(chǎn)生中斷或復(fù)位。檢測(cè)電壓V_det0、V_det1和V_det2均可從3個(gè)不同大小的值中選擇。

當(dāng)V_cc隨后上升到超過V_det0、V_det1或V_det2時(shí)，經(jīng)過穩(wěn)定時(shí)間后，電壓監(jiān)視復(fù)位釋放將繼續(xù)。

上電復(fù)位后，將禁用低電壓檢測(cè)?？梢酝ㄟ^使用選項(xiàng)功能寄存器OFS1來(lái)使能電壓監(jiān)視。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中的“低電壓檢測(cè) (LVD)”一章。

LVD復(fù)位后，RSTSR0中的LVDnRF（n= 0、1、2）位置1。

6.6 深度軟件待機(jī)復(fù)位

這是在通過中斷信號(hào)退出深度軟件待機(jī)模式時(shí)產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。

當(dāng)退出深度軟件待機(jī)模式時(shí)，將產(chǎn)生深度軟件待機(jī)復(fù)位，并且時(shí)鐘振蕩開始。接收到中斷后，經(jīng)過深度待機(jī)退出等待時(shí)間（tDSBYWT34-35個(gè)時(shí)鐘周期）后，將退出復(fù)位并開始正常處理。有關(guān)深度軟件待機(jī)模式的詳細(xì)信息，請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中的“低功耗模式”一章。

深度軟件待機(jī)復(fù)位后，RSTSR0中的DPSRSTF位置1。

6.7 軟件復(fù)位

這是通過將0xA501寫入SWRR寄存器產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。使用軟件復(fù)位時(shí)，內(nèi)部復(fù)位時(shí)間最長(zhǎng)為960μs。使用軟件復(fù)位時(shí)，在發(fā)出軟件復(fù)位命令之前，請(qǐng)確保先喂狗。

產(chǎn)生軟件復(fù)位后，RSTSR1中的SWRF引腳置1。短暫的延遲（通常為320μs）后，將退出軟件復(fù)位。

6.8 其他復(fù)位

MCU內(nèi)的大多數(shù)外設(shè)功能都可以在特定的故障條件下產(chǎn)生復(fù)位。無(wú)需硬件配置即可使能這些復(fù)位。有關(guān)將為每個(gè)外設(shè)功能產(chǎn)生復(fù)位的條件的詳細(xì)信息，請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中的相關(guān)章節(jié)。

6.9 冷/熱啟動(dòng)的確定

借助RA6 MCU，用戶可以確定發(fā)生復(fù)位過程的原因。RSTSR2中的CWSF標(biāo)志指示是上電復(fù)位導(dǎo)致了復(fù)位過程（冷啟動(dòng)），還是操作期間輸入的復(fù)位信號(hào)導(dǎo)致了復(fù)位過程（熱啟動(dòng)）。

發(fā)生上電復(fù)位時(shí)，該標(biāo)志置0。否則，該標(biāo)志不會(huì)置0。通過軟件向該標(biāo)志寫入1時(shí)會(huì)將其置1。即使在寫入0時(shí)也不會(huì)將其置0。

6.10 確定復(fù)位源

借助RA6 MCU，用戶可以確定復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生源。讀取RSTSR0、RSTSR1和RSTSR0，以確定哪個(gè)復(fù)位是復(fù)位源。有關(guān)流程圖，請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中的“復(fù)位產(chǎn)生源的確定”部分。

以下代碼示例展示了如何使用Renesas FSP中基于CMSIS的寄存器結(jié)構(gòu)確定復(fù)位是由軟件復(fù)位、深度軟件待機(jī)還是上電復(fù)位導(dǎo)致的。

 /* Deep Software Standby Reset */
 if(1 == R_SYSTEM->RSTSR0_b.DPSRSTF)
 {
 /* Do something */
 }


 /* Power on Reset */
 if(1 == R_SYSTEM->RSTSR0_b.PORF)
 {
 /* Do something */
 }


 /* Software Reset */
 if(1 == R_SYSTEM->RSTSR1_b.SWRF)
 {
 /* Do something */
 }