LM193-N 系列由兩個獨立的精密電壓比較器組成，兩個比較器的失調(diào)電壓規(guī)格低至 2.0 mV最大值，這兩個比較器專門設(shè)計用于在寬電壓范圍內(nèi)由單個電源工作。也可以采用分離式電源工作，低電源電流消耗與電源電壓的大小無關(guān)。這些比較器還具有獨特的特性，即輸入共模電壓范圍包括地，即使采用單電源電壓工作也是如此。

應(yīng)用領(lǐng)域包括限幅比較器、簡單的模數(shù)轉(zhuǎn)換器;脈沖、方波和延時發(fā)生器;寬范圍VCO;MOS時鐘定時器;多諧振蕩器和高壓數(shù)字邏輯門。LM193-N系列設(shè)計用于直接與 TTL 和 CMOS 接口。當采用正負電源工作時，LM19-N 系列將直接與 MOS邏輯接口，其中其低功耗消耗比標準比較器具有明顯的優(yōu)勢。

LM393 和 LM2903 器件采用 TI 創(chuàng)新的薄型 DSBGA 封裝，帶有 8 （12 mil） 大凸塊。

LMx93-N 引腳排列

LMx93-N 引腳排列

LMx93-N 電路

LMx93-N 電路

數(shù)據(jù)表

LMx93-N 數(shù)據(jù)表

特征

廣泛的供應(yīng)

電壓范圍：2.0 V 至 36 V

單電源或雙電源：±1.0 V至±18 V

極低電源電流消耗 （0.4 mA） — 與電源電壓無關(guān)

低輸入偏置電流：25 nA

低輸入失調(diào)電流：±5 nA

最大失調(diào)電壓：±3 mV

輸入共模電壓范圍包括接地

差分輸入電壓范圍等于電源電壓

低輸出飽和電壓：250 mA 時為 4 mV

輸出電壓與 TTL、DTL、ECL、MOS 和 CMOS 邏輯系統(tǒng)兼容

采用 8 凸塊 （12 mil） DSBGA 封裝

有關(guān) DSBGA 注意事項，請參閱 AN-1112 （SNVA009）

優(yōu)勢

高精度比較器

降低的 V操作系統(tǒng)溫度漂移

無需雙電源

允許在地附近感應(yīng)

與所有形式的邏輯兼容

適合電池供電的功率消耗

應(yīng)用

電池供電應(yīng)用

工業(yè)應(yīng)用

詳細信息：

LM193

系列是高增益、寬帶寬器件，與大多數(shù)比較器一樣，如果無意中允許輸出引線通過雜散電容電容耦合到輸入，則很容易振蕩。這僅在比較器改變狀態(tài)時的輸出電壓轉(zhuǎn)換間隔期間顯示出來。解決此問題不需要電源旁路。標準

PC 板布局非常有用，因為它減少了雜散輸入-輸出耦合。將輸入電阻降低到《 10 kΩ會降低反饋信號電平，最后，即使增加少量（1.0至10

mV）的正反饋（遲滯）也會導(dǎo)致如此快速的轉(zhuǎn)換，以至于不可能因雜散反饋引起的振蕩。

除非使用遲滯，否則只需將IC插入并將電阻連接到引腳，即可在小轉(zhuǎn)換間隔內(nèi)引起輸入輸出振蕩。如果輸入信號是脈沖波形，上升和下降時間相對較快，則不需要遲滯。任何未使用的比較器的所有輸入引腳都應(yīng)連接到負電源。LM193

系列的偏置網(wǎng)絡(luò)在 2.0 VDC 至 30 VDC

范圍內(nèi)建立的漏極電流與電源電壓的大小無關(guān)。差分輸入電壓可能大于V+而不會損壞器件典型應(yīng)用。應(yīng)提供保護，以防止輸入電壓變?yōu)樨撝党^?0.3

VDC（25°C時）。輸入箝位二極管的使用如典型應(yīng)用所示。

LM193 系列的輸出是接地發(fā)射極 NPN

輸出晶體管的非專用集電極。許多收集器可以連接在一起以提供輸出OR‘ing功能。輸出上拉電阻可以連接到允許電源電壓范圍內(nèi)的任何可用電源電壓，并且由于施加到

LM193 封裝的 V + 端子的電壓大小，該電壓沒有限制。輸出也可用作簡單的單刀單擲開關(guān)至地（不使用上拉電阻時）。輸出設(shè)備可以吸收的電流量受可用驅(qū)動器（與V

+無關(guān)）和該器件β的限制。

當達到最大電流限值（約16 mA）時，輸出晶體管將達到飽和狀態(tài)，輸出電壓將迅速上升。輸出飽和電壓受輸出晶體管約60 Ω

rSAT的限制。輸出晶體管的低失調(diào)電壓（1.0 mV）允許輸出基本上箝位至地電平，以提供小負載電流。

設(shè)備功能模式

基本比較器電路用于將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出。當同相（+IN）輸入上的電壓大于反相（-IN）輸入時，輸出為高電平。當同相（+IN）輸入上的電壓小于反相（-IN）輸入時，輸出為低電平。反相輸入（-IN）通常也稱為“基準”或“VREF”輸入。任何未使用的比較器的所有引腳都應(yīng)連接到負電源。

電源建議

即使在低頻應(yīng)用中，LM139-N 也可以具有極快的內(nèi)部瞬變。因此，以1.0

μF的接地旁路電源將提高性能;電源旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳放置，并牢固地接地。旁路電容應(yīng)具有低 ESR 和大于 50MHz 的 SRF。

布局示例

LM393-N-布局示例