電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見于工業(yè)場合，接下來介紹其工作原理與設(shè)計示例。

1.高邊V/I電路原理

這種高壓側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換電路可以為接地負載提供良好可調(diào)電流。此電路結(jié)構(gòu)采用兩級結(jié)構(gòu)，一級為OPA+NMOS，將VIN轉(zhuǎn)化為電源參考信號來驅(qū)動第二級OPA，第二級OPA控制PMOS的柵極調(diào)節(jié)負載電流。

電路的V-I傳遞函數(shù)基于輸入電壓VIN和三個感應電流的電阻RS1、RS2和RS3之間的關(guān)系。

VIN和RS1之間的關(guān)系將決定流過設(shè)計第一階段的電流:

V RS1 =VIN

從第一級到第二級的電流增益基于RS2和RS3之間的關(guān)系:

I RS2 ≈I RS1 , V RS3 ≈V RS2 , I LOAD ≈IRS3

最終負載電流公式：

2.設(shè)計案例：

設(shè)計指標：5V供電，V IN =0~2V；Vout=4.5V/0~100mA，效率98%

?Supply Voltage: 5 Vdc

? Input: 0 ~2 Vdc

? Output: 4.5V/(0 ~100 )mAdc

? Efficiency: 98%

? Gain error: 0.1%

a.設(shè)計RS1 :

一級電路對負載不提供功率，因此一級電路電流產(chǎn)生功耗直接影響系統(tǒng)效率。為了達到98.5%的效率目標，同時為運算放大器的靜態(tài)電流留出空間，第一級的功耗將限制在滿量程時輸出電流的1%。因此，當輸出為100mA滿量值時，設(shè)計應將第一級IRS1中的電流設(shè)置為1mA。

V RS1 =V IN =2V

R S1 =V IN /I RS1 =2V/1mA=2kΩ

I ~RS2~ ≈I ~RS1~ =1mA

b.設(shè)計RS2/RS3：

電路的第二級產(chǎn)生驅(qū)動負載的輸出電流源。由于A2的IN+≈IN-，因此V RS3 ≈V RS2 ，考慮5V供電，需要Vout=4.5V，因此滿量程時需要使VRS3小于500mV，假設(shè)Q2壓降0.3V，則V RS3 =470mV

R ~S2~ =V ~RS3~ /I ~RS2~ =470mV/1mA=470Ω

R ~S3~ =V ~RS3~ /I ~LOAD~ =470mA/100mA=4.7Ω

c.運放補償設(shè)計：R2/R3/C6/R4/R5/C7

第一和第二階段都需要補償組件，以確保適當?shù)脑O(shè)計穩(wěn)定性。運放輸出驅(qū)動容性負載（MOS寄生Cgs）容易產(chǎn)生輸出震蕩，本補償之后的電路結(jié)構(gòu)是經(jīng)典的運放雙反饋回路，具體可以參考如下雙反饋的設(shè)計。

d.器件選擇:

1.運放：運放推薦選擇Low offset voltage, low temperature drift的運放。

2.MOSFET: 需要確保OPA可以適當控制柵極，推薦低閾值電壓VGS(th)，另外VGS,GSDS,ID不超額定值。

3.電阻（精度）：直接影響輸出電流精度的是作為傳遞函數(shù)的三個電阻RS1,RS2,RS3。為了滿足0.1% FSR的增益誤差設(shè)計目標，這些電阻的容差選擇為0.1%。第一級的電流在第二級中乘以RS2與RS3的比值。因此，第一階段的準確性是非常關(guān)鍵的，因為第二階段的誤差會成倍增加并傳遞到輸出中。因此，更高精度的設(shè)計可能需要更低的RS1電阻公差。(本設(shè)計中的其他無源元件可以選擇1%或更大，因為它們不會直接影響本設(shè)計的傳遞函數(shù)。)