3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
編者按
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授外，學生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報告，實現(xiàn)教學互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關注的實用技術，征得教師和學生的同意，本公眾號將陸續(xù)展示一些學生的調(diào)研結果。這些報告還很初步，甚至有少許謬誤之處，請業(yè)界專家批評指正。
以下為報告PPT：
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關注
關注
5425文章
12071瀏覽量
368542 -
NAND
+關注
關注
16文章
1722瀏覽量
138166 -
3D
+關注
關注
9文章
2959瀏覽量
110806 -
光刻技術
+關注
關注
1文章
151瀏覽量
16204 -
刻蝕工藝
+關注
關注
2文章
40瀏覽量
8610
原文標題：【Study】3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
文章出處：【微信號：光刻人的世界，微信公眾號：光刻人的世界】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
干貨！一文看懂3D NAND Flash
目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情
發(fā)表于 08-11 13:58
?4.4w次閱讀
3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識
NAND就是高樓大廈，建筑面積成倍擴增，理論上可以無限堆疊，可以擺脫對先進制程工藝的束縛，同時也不依賴于極紫外光刻（EUV）技術。
[]()
與2D NAND縮小Cell提高存儲
發(fā)表于 12-17 17:34
3D NAND技術工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標準探討
本文為您講述ROM存儲介質3D NAND技術工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標準，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標準和NVMe標準。
發(fā)表于 10-12 15:54
?3688次閱讀
在3D NAND新產(chǎn)品技術進入市場之際加快發(fā)展步伐
的平面閃存，3D存儲器的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，
3D工藝的轉型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
發(fā)表于 09-16 10:38
?675次閱讀
半導體行業(yè)3D NAND Flash
，以致于達到某個點之后制程工藝已經(jīng)無法帶來優(yōu)勢了。相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程
發(fā)表于 10-08 15:52
?663次閱讀
美光發(fā)布176層3D NAND閃存
存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手
未來的3D NAND將如何發(fā)展？
NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來
未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？
依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款
不要過于關注3D NAND閃存層數(shù)
NAND應運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的
什么是3D NAND閃存？
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，
請問3D NAND如何進行臺階刻蝕呢？
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論