2023 年 5 月，矢野綜合研究所對全球功率半導(dǎo)體市場進行了調(diào)查（基于制造商出貨量），并公布了到 2030 年的市場預(yù)測。預(yù)計到 2030 年將達到 369.8 億美元，而 2022 年為 238.9 億美元。其中，SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體預(yù)計占比17.4%。

本次調(diào)查針對功率 MOSFET/IPD（智能功率器件）、二極管、IGBT、功率模塊、雙極晶體管和使用 SiC 的功率半導(dǎo)體。調(diào)查時間為2022年10月至2023年2月。

在功率半導(dǎo)體市場，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場規(guī)模將達到223.7億美元，同比增長20.1%。預(yù)計 2022 年的訂單將保持強勁，但由于半導(dǎo)體制造所用設(shè)備和材料的需求緊張，預(yù)計全球功率半導(dǎo)體市場將同比增長 6.8% 至 238.9 億美元。

預(yù)計 2023 年全球功率半導(dǎo)體市場將同比增長 8.0% 至 258.1 億美元。白色家電、新能源工業(yè)設(shè)備和 xEV（電動汽車）用功率半導(dǎo)體的需求預(yù)計將增長。之后，汽車領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)響應(yīng)“電動化”和“自動駕駛”等，每輛汽車的功率半導(dǎo)體安裝量有望進一步增加。實現(xiàn)脫碳社會的努力也將推動功率半導(dǎo)體市場的擴張。因此，到 2030 年，市場規(guī)模預(yù)計將達到 369.8 億美元。

在功率半導(dǎo)體中，公司專注于“SiC功率半導(dǎo)體”。2022年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為14.6億美元，同比增長13.2%。除了 SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）之外，SiC-MOSFET 的采用也在取得進展。

特別是用于 xEV 的 SiC 功率半導(dǎo)體自 2020 年以來增長顯著。除了EV（電動汽車）的OBC（車載充電器）一直是迄今為止的主要焦點，用于驅(qū)動EV的主電機的逆變器的采用也有所增加。為此，我們預(yù)測2025年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為29.2億美元。

在SiC功率半導(dǎo)體方面，半導(dǎo)體廠商也在積極進行資本投資。這也將擴大產(chǎn)品供應(yīng)能力。SiC 功率半導(dǎo)體的全球市場預(yù)計到 2030 年將增長到 64.5 億美元。這一數(shù)額占功率半導(dǎo)體市場的17.4%。

審核編輯 ：李倩