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集成電路測試定義

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2023-05-25 09:48 ? 次閱讀
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集成電路進人后摩爾時代以來,安全、可靠的軟硬件協(xié)同設計、冗余定制、容錯體系結(jié)構(gòu)和協(xié)議、光機電一體化等新的設計趨勢促使片內(nèi)測試 (On-ChipTest)/片外測試(OIf-Chip Test) 整體測試解決方案趨于復雜化:先進工藝路線的發(fā)展,促使集成電路失效故障測試模型不斷演化:芯片尺寸封裝 ( ChipScale Package, CSP)、圓片級封裝( Wafer Level Package, WLP)、硅通孔(Through Silicon Via, TSV)、三維集成等先進封裝工藝,帶來了新的測試工序和復雜光機電集成失效特性:這些技術的演進也導致集成電路測試變得日益復雜?;ヂ?lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)等新應用、新業(yè)態(tài)的出現(xiàn),不斷推動集成電路測試技術的發(fā)展和信息化進程。

集成電路測試既是集成電路設計的組成部分,也是芯片制造的一個環(huán)節(jié),集成電路測試的主要作用是檢測電路存在的問題、問題出現(xiàn)的位置和修正問題的方法。如果一個電路未能通過測試。可能的原因包括測試本身、產(chǎn)品設計,制造過程等方面。測試技術研究就是在兼顧品質(zhì)和經(jīng)濟性的條件下制定合適的測試方案,即用最低的成本檢出最多的故障。

測試貫穿于集成電路生產(chǎn)過程,分為設計驗證、檢測篩選、質(zhì)量控制等。下圖所示的是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中主要的測試環(huán)節(jié)。由圖可以看出,設計階段的可測性設計和設計驗證,制造階段的圓片接受測試和圓片測試 ( CircuitProbe),以及封裝階段的成品測試、失效分析等,都屬于測試技術領域。

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特征化測試是對功能、直流特性、交流特性進行全面的功能/性能檢測,用以表征集成電路各項極限參數(shù),驗證設計的正確性。

圓片級測試是在集成電路制造后進行的園片狀態(tài)下的測試,用于最初階段的合格電路的篩選。隨著圓片級封裝、三維異質(zhì)集成、測試模式演變、電路修調(diào)定制等需求的發(fā)展,圓片級測試變得更具挑戰(zhàn)性。

成品測試是封裝后的測試環(huán)節(jié),用以檢測集成電路在此階段是否符合規(guī)格要求。有時也會加人系統(tǒng)應用級測試,通常會將前面環(huán)節(jié)中實施成本較高的測試項目放在該測試環(huán)節(jié),以避免不合格產(chǎn)品進人最終應用環(huán)節(jié)下圖所示的是基本的測試原理框圖。由圖可知,基本的測試原理是對被測電路施加一定的激勵條件,觀測被測電路的響應,與期望值進行對比,如果一致,表明電路是好的;如果不一致,則表明電路存在故障。

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按測試方案的區(qū)位界定,集成電路測試可以分為片內(nèi)測試和片外測試兩類。片內(nèi)測試又稱可測性設計 (Design For Testability, DFT)。DFT 技術研究的主要目的是提高故障可觀測性,降低對外部測試儀器儀表性能的要求,減少測試時問,以實現(xiàn)測試品 質(zhì)和經(jīng)濟性的均衡。但考慮其帶來電路設計復雜性的增加、芯片面積的增加、額外故障的引 ,以及在模擬/射頻等范圍技術尚不完善等因素,片外測試技術依然是不可忽視的研究重點。

根據(jù)被測集成電路類型的不同,集成電路測試可以分為數(shù)宇集成電路測試模擬集成電路測試、混合信號集成電路測試、高速信號集成電路測試、射頻集成電路測試、可編程器件測試、存儲器集成電路測武、系統(tǒng)芯片測試、物聯(lián)網(wǎng)芯片/微機電系統(tǒng)芯片測試等。

審核編輯:湯梓紅
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原文標題:集成電路測試定義,積體電路測試定義,Definition of IC Test

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