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ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2023-05-18 16:34 ? 次閱讀
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全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現(xiàn)無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC(Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產;2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術。此次,為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是ROHM與Delta Electronics, Inc.(以下簡稱“臺達電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導體”)聯(lián)合開發(fā)而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達到了業(yè)界超高水平。因此,新產品可以大大降低開關損耗,從而能夠進一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外,新產品還內置ESD*3保護器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此,新產品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關工作,從而有助于外圍元器件的小型化。

新產品已于2023年4月起投入量產(樣品價格 5,000日元/個,不含稅),并已開始網售,通過Ameya360等電商平臺可購買。

ROHM將有助于應用產品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開發(fā),ROHM還積極與業(yè)內相關企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關系并推動聯(lián)合開發(fā),通過助力應用產品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。

<什么是EcoGaN?>

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應用產品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

<應用示例>包括服務器和AC適配器在內的各種工業(yè)設備和消費電子領域的電源系統(tǒng)

審核編輯黃宇

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