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信號(hào)完整性之反射(四)

CHANBAEK ? 來源:從狒狒進(jìn)化到硬件工程師 ? 作者:李曉晶 ? 2023-04-15 16:05 ? 次閱讀
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10 傳輸線中某一段傳輸線寬度和阻抗變化對(duì)反射的影響

現(xiàn)在的芯片管腳越來越多,管腳間距越來越小。有些走線即使想做阻抗控制,也受限于芯片管腳數(shù)和管腳間距,在芯片下方走線不得不變窄。當(dāng)這些走線從芯片下方走出來后,寬度又會(huì)恢復(fù)到阻抗要求的值。如下圖所示,黃色部分的走線是在SOC下方(紅框中)走過,線寬比較窄。走出SOC之后(紅框外面),走線變粗。在走線寬度變化點(diǎn),就是阻抗突變點(diǎn)。

poYBAGQ6WneAdzZgAAEGAfgeExk026.png

走線變窄,阻抗變大。走線變寬,阻抗變小。

問題來了,多長(zhǎng)的線段、多大的阻抗變化會(huì)造成信號(hào)完整性問題呢?針對(duì)這個(gè)問題,有三個(gè)因素影響信號(hào)完整性,這段阻抗突變走線的長(zhǎng)度、阻抗突變的阻抗值、傳輸在這段走線上的信號(hào)上升時(shí)間。

(一)傳輸線阻抗偏差(阻抗突變)對(duì)信號(hào)的影響

上一篇提到過,希望反射信號(hào)(噪聲)要小于電壓擺幅5%。想達(dá)到這個(gè)目的,就需要保證傳輸線特性阻抗變化率小于10%。這也是為什么很多芯片的design guide中要求高速信號(hào)阻抗控制的公差是±10%的原因。

如下仿真電路,在源端和負(fù)載端之間有兩段串聯(lián)的傳輸線組成,即TL2和TL1。TL2類似上圖中在芯片下方寬度較窄的走線。TL1類似紅框外面,正常寬度(50R阻抗控制)的走線。通過仿真,調(diào)整TL2的阻抗,看看TL2的阻抗突變對(duì)信號(hào)有什么影響。首先將TL2的阻抗控制在50R±10%

poYBAGQ6WoeAbfblAABdhTNLKAE701.png

本仿真電路中,電壓標(biāo)準(zhǔn)擺幅是1.35V(因?yàn)槭荓PDDR3),那么電壓擺幅的±5%分別為

上限:1.35+1.35x5%=1.4175V

下限:1.35-1.35x5%=1.2825V

即信號(hào)振蕩(包括振鈴)不超過這兩個(gè)限值即可。

如下為TL2傳輸線阻抗分別設(shè)置為55R,50R和45R時(shí)的仿真結(jié)果??梢钥吹絋L2傳輸線阻抗控制在±10%時(shí),雖然有振蕩,仿真結(jié)果顯示的電壓擺幅都在1.35V的±5%之內(nèi)。

poYBAGQ6WpKAGknnAAC0saZrfNQ599.png

接下來,如下圖,將TL2傳輸線阻抗調(diào)大到50R±15%。

pYYBAGQ6WpmANl5nAAB_nyk4M-E716.png

可以看到TL2傳輸線阻抗為57.5R或者42.5R時(shí),信號(hào)擺幅已經(jīng)很接近1.35±5%的限值。考慮到實(shí)際的PCB生產(chǎn)中,實(shí)物并非如理論那般精確(例如理論上一條導(dǎo)線是根長(zhǎng)方體,即上下一樣寬。實(shí)際PCB生產(chǎn)時(shí),一條導(dǎo)線的上邊比下邊窄,是一種梯形體)。實(shí)際信號(hào)擺幅很有可能會(huì)超過5%的限值。因此阻抗控制在Z0±10%之內(nèi),是我們?cè)谠O(shè)計(jì)中要遵守的一個(gè)規(guī)則。

poYBAGQ6WqKAR7gWAACQLLU8ErI473.png

(二)有阻抗偏差的傳輸線長(zhǎng)度對(duì)信號(hào)的影響

阻抗突變線(本文開頭那張圖,紅色框中芯片下方,寬度變窄的走線)越短,反射對(duì)信號(hào)完整性的影響越小。那么問題是,這段走線多短,才不會(huì)影響信號(hào)完整性呢。和上一篇中提到的結(jié)果一樣,當(dāng)時(shí)延小于上升時(shí)間的20%時(shí),反射幾乎看不見。當(dāng)時(shí)延超過上升時(shí)間的20%時(shí),振鈴就會(huì)明顯了。因此當(dāng)時(shí)延TD>Tr x 20%時(shí),這段阻抗突變線對(duì)信號(hào)完整性的影響就比較大了。

例如某信號(hào)的上升時(shí)間是Tr(ns),某段走線的長(zhǎng)度時(shí)L(in),因?yàn)獒槍?duì)FR4的走線,信號(hào)速度是6in/ns,信號(hào)延遲是TD,因此

pYYBAGQ6WqmAGU6BAAAe6J5h0CA347.png

經(jīng)驗(yàn)結(jié)論是:即當(dāng)走線長(zhǎng)度L大于1.2倍的Tr時(shí),這段走線會(huì)影響信號(hào)完整性。當(dāng)走線長(zhǎng)度L小于1.2倍的Tr時(shí),這段走線對(duì)信號(hào)完整性的影響比較小。

如下是電路仿真,設(shè)置信號(hào)頻率是200MHz

首先測(cè)量信號(hào)的上升時(shí)間(注:有些芯片的IBIS模型中會(huì)給出上升時(shí)間)。我使用的這顆芯片,是仿真軟件自帶的IBIS模型。在其中沒有找到相關(guān)參數(shù),因此我試著自己測(cè)量它的上升時(shí)間。按照10%~90%的電壓振幅,測(cè)量上升時(shí)間如下圖大約在195ps,即0.195ns

pYYBAGQ6WrOAF52yAAC9pbAi1CA685.png

按照經(jīng)驗(yàn)公式,當(dāng)TL2的長(zhǎng)度L>信號(hào)上升時(shí)間的1.2倍時(shí),即當(dāng)TL2的長(zhǎng)度達(dá)到0.234in時(shí),這段阻抗突變的走線就會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量了。

本次仿真信號(hào)上升時(shí)間Tr=0.195ns,Tr的1.x倍如下:

Tr x 1=0.195

Tr x 1.1=0.214

Tr x 1.2=0.234

Tr x 1.3=0.253

設(shè)計(jì)仿真電路,調(diào)整TL2的長(zhǎng)度,分別為0.195/0.214/0.234/0.253in,看看結(jié)果是什么。

pYYBAGQ6WryAP-mZAACRGBW7Cmk644.png

仿真結(jié)果如下:

poYBAGQ6WsiAXqBWAADbn43ZOuk401.png

按照要求,按照電壓擺幅不能超過5%,

上限:1.35+1.35x5%=1.4175V

下限:1.35-1.35x5%=1.2825V

當(dāng)TL2的長(zhǎng)度是Tr上升時(shí)間的1.2倍時(shí),仿真波形的電壓擺幅已經(jīng)很接近極限值。當(dāng)TL2的長(zhǎng)度是Tr上升時(shí)間的1.3倍時(shí),仿真波形的電壓擺幅超過極限值。

本文結(jié)論:因此針對(duì)本文的話題,傳輸線中某一段走線阻抗突變了,為了使這段阻抗突變走線不至于影響信號(hào)質(zhì)量,需要:

(1)阻抗突變控制在目標(biāo)阻抗的±10%以內(nèi)

(2)阻抗突變的走線長(zhǎng)度不超過信號(hào)上升時(shí)間的1.2倍,最好是阻抗突變的走線長(zhǎng)度不超過信號(hào)上升時(shí)間的1倍。此處走線長(zhǎng)度單位是in,信號(hào)上升時(shí)間單位是ns。

注:就我的理解(不一定準(zhǔn)確),以上兩個(gè)條件滿足其中任何一個(gè),都對(duì)信號(hào)質(zhì)量有好的改善。當(dāng)然兩個(gè)都做到最好。

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