電磁兼容(EMC)包括電磁干擾(EMI)和電磁抗擾度(EMS)兩部分。簡(jiǎn)而言之，EMI是電子設(shè)備對(duì)外部電磁環(huán)境的干擾，EMS是電子設(shè)備抵抗外部電磁環(huán)境干擾的能力。無(wú)論是EMI還是EMS，都包括輻射和傳導(dǎo)兩部分。EMC認(rèn)證是任何電子設(shè)備必須遵從的，EMI是EMC中的重要部分。

EMI測(cè)試包括如下幾類：1.EMC認(rèn)證機(jī)構(gòu)在EMC實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試2.企業(yè)質(zhì)檢部門利用EMI接收機(jī)或高指標(biāo)頻譜儀進(jìn)行EMI預(yù)認(rèn)證測(cè)試3.產(chǎn)品研發(fā)、調(diào)測(cè)部門利用頻譜儀進(jìn)行EMI診斷4.產(chǎn)品研發(fā)調(diào)測(cè)部門利用示波器測(cè)試電源紋波、時(shí)鐘抖動(dòng)等特性，因?yàn)樗鼈兪钱a(chǎn)生EMI的因素之一。

前段時(shí)間，西安航天城某公司通過(guò)朋友介紹，聯(lián)系到我們，表示需要測(cè)試公司研發(fā)的某電子設(shè)備電路板，經(jīng)溝通了解，我們發(fā)現(xiàn)該公司設(shè)備自身工作并不正常，電路板內(nèi)FPGA處有較強(qiáng)的EMI 輻射，影響通信質(zhì)量。

我們?yōu)樵摴就扑]了泰克MDO4104-6+近場(chǎng)探頭進(jìn)行EMI測(cè)試。對(duì)于幅度隨時(shí)間變化的頻譜，MDO的優(yōu)勢(shì)在于調(diào)制域分析，為此我們打開(kāi)MDO幅度隨時(shí)間變化曲線顯示功能，用MDO射頻功率觸發(fā)得到如下測(cè)試結(jié)果：

由于該電路板EMI呈周期性變化，既然FPGA的設(shè)計(jì)難以在短時(shí)間內(nèi)更改，我們能否通過(guò)有效的控制手段，讓有用的射頻信號(hào)在突發(fā)周期間隔中底噪較低的時(shí)刻發(fā)射，而在突發(fā)幅度時(shí)刻不發(fā)射有用信息？

客戶認(rèn)為此方法可行。底噪呈周期性變化，必定與電路板中某種控制信號(hào)相關(guān)，雖然我們已經(jīng)測(cè)試出突發(fā)底噪變化的周期，但如果我們不知道這種周期與哪種控制相關(guān)，上述設(shè)想就難以實(shí)現(xiàn)。由于客戶對(duì)其內(nèi)部控制時(shí)序相當(dāng)熟悉，94uS的周期剛好是該電路板高速 USB 信號(hào)傳輸控制周期。為了驗(yàn)證這一假設(shè)，我們將MDO示波器通道1接到高速USB 控制測(cè)試點(diǎn)，同時(shí)測(cè)試射頻頻譜，得到如下結(jié)果

以上測(cè)試結(jié)果充分證明了通道1中的高速USB信號(hào)與底噪突發(fā)抬升的規(guī)律相同，證明二者相關(guān)。高速USB的時(shí)序由嵌入式程序控制，因此只要在程序中控制射頻在高速USB信號(hào)發(fā)出后延遲50uS發(fā)射，發(fā)射持續(xù)時(shí)間小于40uS即可。

最終，我們利用MDO跨域分析及調(diào)制域分析功能，成功地確認(rèn)EMI與高速USB信號(hào)相關(guān)，通過(guò)時(shí)序控制，跨域有效避免以前難以解決的問(wèn)題，幫客戶解決了重新設(shè)計(jì)FPGA和產(chǎn)品的難題，節(jié)約了時(shí)間和經(jīng)費(fèi)，獲得了客戶好評(píng)。

審核編輯黃宇