來(lái)源：KIOXIA鎧俠中國(guó)

為展示先進(jìn)閃存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，鎧俠株式會(huì)社與西部數(shù)據(jù)公司今日（3月31日）發(fā)布了他們最新的3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié)，該技術(shù)目前正在備產(chǎn)中。該3D閃存采用先進(jìn)的微縮和晶圓鍵合技術(shù)，不僅成本上極具吸引力，同時(shí)還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場(chǎng)中指數(shù)級(jí)數(shù)據(jù)增長(zhǎng)需求的理想選擇。

“新的3D閃存展示了我們與鎧俠強(qiáng)大的合作關(guān)系以及我們?cè)?D NAND領(lǐng)域的聯(lián)合創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位?！蔽鞑繑?shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar說(shuō)，“通過(guò)共同的研發(fā)路線圖與持續(xù)的研發(fā)投資，我們能夠提前推動(dòng)該基本技術(shù)的發(fā)展，以生產(chǎn)高性能、高資本效益的產(chǎn)品?！?/p>

通過(guò)引入各種獨(dú)特的工藝與架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)持續(xù)的橫向微縮，鎧俠與西部數(shù)據(jù)降低了成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中產(chǎn)生更大的容量，在優(yōu)化成本的同時(shí)減少了層數(shù)。兩家公司還開(kāi)發(fā)了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術(shù)，其中CMOS晶圓和存儲(chǔ)單元陣列晶圓在優(yōu)化狀態(tài)下單獨(dú)制造，然后鍵合在一起，以提供更高的千兆字節(jié)(GB)密度和快速NAND I/O速度。

“我們通過(guò)獨(dú)特的工程合作關(guān)系，成功推出了業(yè)界最高位密度1的第八代BiCS FLASH?”，鎧俠的首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi說(shuō)，“我很高興看到，鎧俠為部分客戶提供的樣品已開(kāi)始發(fā)貨。通過(guò)CBA技術(shù)與微縮創(chuàng)新，在一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用中，我們進(jìn)一步推動(dòng)了3D閃存技術(shù)的產(chǎn)品組合，包括智能手機(jī)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心。”

218層的3D閃存采用創(chuàng)新的橫向微縮技術(shù)，為4平面(Plane)的1Tb三層存儲(chǔ)單元(TLC)和四層存儲(chǔ)單元(QLC)，帶來(lái)超過(guò)50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過(guò)3.2GB/s，比上一代產(chǎn)品提高了60%，同時(shí)在寫(xiě)入性能和讀延遲方面的改善超過(guò)了20%，將加速用戶的整體性能、可用性。

GaN功率應(yīng)用線上會(huì)議

4月13日下午14點(diǎn)，ACT雅時(shí)國(guó)際商訊&化合物半導(dǎo)體雜志聯(lián)合推出“GaN功率應(yīng)用，厚積薄發(fā)”線上研討會(huì)，以期推動(dòng)GaN功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的加速成長(zhǎng)。報(bào)名從速：https://w.lwc.cn/s/nuIBBb

蘇州會(huì)議

雅時(shí)國(guó)際(ACT International)將于2023年5月,在蘇州組織舉辦主題為“2023-半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇大會(huì)”。會(huì)議包括兩個(gè)專題：半導(dǎo)體制造與封裝、化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用。分別以“CHIP China晶芯研討會(huì)”和“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”兩場(chǎng)論壇的形式同時(shí)進(jìn)行。詳情點(diǎn)擊鏈接查看：https://w.lwc.cn/s/7jmaMn

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審核編輯黃宇