設(shè)計輸入側(cè)電源時的問題
機(jī)械式繼電器、MOSFET繼電器分別具有不同的特長。基于對MOSFET繼電器所具小型及長壽命、靜音動作等優(yōu)勢的需求,目前已經(jīng)出現(xiàn)了所用機(jī)械式繼電器向MOSFET繼電器轉(zhuǎn)化的趨勢。
但是,由于機(jī)械式繼電器與MOSFET繼電器在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上完全不同,所以設(shè)計時需注意的要領(lǐng)也自然不同。
機(jī)械式繼電器通過施加線圈電壓進(jìn)行驅(qū)動,而MOSFET繼電器則是電流驅(qū)動。采用不同于機(jī)械式繼電器的結(jié)構(gòu),在投入電流時,輸入側(cè)的LED將會發(fā)光,輸出側(cè)的PDA(光電二極管陣列)根據(jù)受光量進(jìn)行發(fā)電并施加電壓來驅(qū)動MOSFET繼電器。因此,驅(qū)動MOSFET繼電器需要向LED投入多少電流成為設(shè)計上需要解決的課題。
LED的光量會因各種原因而發(fā)生變化。電流值越大,光量也就越強(qiáng)。此外,光量還會因長期使用所致老化而逐漸變?nèi)酢R虼?,要想長期使用,則需對經(jīng)年老化時的發(fā)光量加以考量。此外,如果環(huán)境溫度較高,驅(qū)動MOSFET所需的電壓也會變高,所以需要比日常溫度下更大的電流。
MOSFET繼電器無法投入超出額定值的電流。如果未在設(shè)計上正確加入此些要素,則會導(dǎo)致設(shè)備故障。
在這種輸入側(cè)的電源設(shè)計上,應(yīng)該存在各種令人煩惱的問題。這是因為使用了LED,所以在設(shè)計上需要考量的事項與機(jī)械式繼電器時存在差異。
要領(lǐng)共有2個。
1.周圍溫度環(huán)境的影響
2.LED的經(jīng)年老化
本次將介紹設(shè)計MOSFET繼電器輸入側(cè)電源時的電流值概念。
MOSFET繼電器相關(guān)回顧
首先,我們來回顧一下MOSFET繼電器的結(jié)構(gòu)和動作原理。MOSFET繼電器是一款組合了半導(dǎo)體單元(LED、PDA、MOSFET)、實現(xiàn)了繼電器功能的部件。
如上所述,MOSFET繼電器通過向輸入側(cè)投入電流使LED發(fā)光,然后通過PDA將該光變?yōu)殡妷簛眚?qū)動作為輸出單元的MOSFET執(zhí)行動作。也就是說,需要設(shè)計向LED投入適用電流、使PDA可不斷受光的輸入側(cè)電源。
LED的經(jīng)年老化,對應(yīng)輸入側(cè)電流值的計算公式α1
LED會伴隨使用逐漸經(jīng)年老化。輸入側(cè)的電流越高,老化速度越快,因此需設(shè)計解決此問題的輸入側(cè)電流值。此外,不同的MOSFET繼電器商品所搭載的LED種類不同,且經(jīng)年老化的速度也存在差異。
有些客戶出于“只要所選高電流在額定電流范圍內(nèi)就不會產(chǎn)生運(yùn)行問題”的觀念而在設(shè)計上選擇了高電流值,這種情況下將會存在不足。輸入側(cè)的電流基本直接流入LED,從而導(dǎo)致LED老化且發(fā)光量下降。結(jié)果可能會造成MOSFET繼電器無法正常運(yùn)行,甚至還可能導(dǎo)致LED損壞而使MOSFET繼電器無法運(yùn)行。因此,要想確保正常運(yùn)行且長期使用,則需在設(shè)計上采用合理光量使LED發(fā)光,并向輸入側(cè)投入合理的電流。
使用環(huán)境溫度的考量,對應(yīng)輸入側(cè)電流值的計算公式α2
LED的老化速度還會因使用的環(huán)境溫度條件而加速。使用的環(huán)境溫度越高,老化速度越快,所以應(yīng)基于這方面的考量設(shè)計輸入側(cè)的電流值。
其他考量事項,對應(yīng)輸入側(cè)電流值的計算公式α3
還有一點,內(nèi)容并不僅限于我們的產(chǎn)品,同時也應(yīng)基于對客戶質(zhì)量的考量而采用確保安全的設(shè)計。這一點也希望在輸入側(cè)的電流值設(shè)計上得到反映。
輸入側(cè)電流值的計算公式
基于上述3點的考量,輸入側(cè)的電流值設(shè)計可能要求達(dá)到以下所示條件。動作LED正向電流設(shè)計值=IFT×α1×α2(×α3)
IFT:觸發(fā)LED正向電流???以商品目錄的最大額定值為基準(zhǔn)。
α1:LED的經(jīng)年變化率???根據(jù)產(chǎn)品型號(所用LED)而異。請參閱
α2:IFT的環(huán)境溫度變化???基于商品目錄的“觸發(fā)LED正向電流-環(huán)境溫度”圖表。
α3:安全系數(shù)???電源的差異及老化、其他。
例如:G3VM-61G3型,假設(shè)在最高85℃的環(huán)境溫度下使用時,
IFT:0.2mA(最大額定值、25℃)
α1:基于10萬小時后80%(減少20%)的LED預(yù)測經(jīng)年變化數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)定?1÷0.8=1.25(環(huán)境溫度升高后將會加速變化,所以在85℃的環(huán)境溫度下使用時,40℃時的數(shù)據(jù)所示變化率也會增大,IF條件10mA也顯示在較低條件下使用時變化會變小?;趯υ擖c的考量,本次設(shè)定為80%。)
α2:基于觸發(fā)LED正向電流-環(huán)境溫度圖表所示25℃和85℃環(huán)境溫度的數(shù)值設(shè)定變化率?0.6mA÷0.2mA=3
動作LED正向電流設(shè)計值=0.2mA×1.25×3(×α3)=約0.75mA(×α3)。
設(shè)計LED輸入電源時,請務(wù)必基于對環(huán)境溫度影響、LED經(jīng)年老化影響的考量進(jìn)行設(shè)計。
審核編輯黃宇
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