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從原子角度揭示單晶與多晶的氧空位形成機(jī)理

清新電源 ? 來(lái)源:清新電源 ? 2023-03-07 14:22 ? 次閱讀
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研究背景

富鎳正極材料是高能量密度鋰離子電池中最有應(yīng)用前景的材料之一。然而,這種材料固有的熱不穩(wěn)定性增加了熱失控的風(fēng)險(xiǎn),這對(duì)其最終的商業(yè)化是一個(gè)重大障礙。目前,晶體結(jié)構(gòu)對(duì)富鎳正極熱穩(wěn)定性影響的深層機(jī)理尚不清楚。

成果簡(jiǎn)介

近日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)王青松教授,利用一系列先進(jìn)的物理化學(xué)表征工具,結(jié)合理論計(jì)算,從多維角度研究了多晶和單晶NCM811正極的熱降解行為,報(bào)道了多晶和單晶正極的不同降解途徑,并從原子尺度上探討了單晶結(jié)構(gòu)對(duì)正極熱穩(wěn)定性的增強(qiáng)機(jī)理。結(jié)果表明,單晶NCM811顆粒具有更大的晶粒尺寸和更好的完整性,有效地延緩了高溫下氧空位的形成。因此,在加熱過程中,單晶NCM811顆粒的氧空位更不易擴(kuò)散,從而延緩了其晶格結(jié)構(gòu)的降解和氧的釋放。

研究亮點(diǎn)

從原子尺度揭示了單晶和多晶富鎳正極的不同熱失效模式。

單晶正極顆粒有效地限制了氧空位在熱感應(yīng)作用下的內(nèi)動(dòng)力學(xué)擴(kuò)散。

為高溫下富鎳正極材料的熱失效機(jī)理提供了基礎(chǔ)性的理論依據(jù)。

圖文導(dǎo)讀

氧空位和TM價(jià)態(tài)的演變

利用同步輻射的軟X射線吸收光譜(sXAS)研究了多晶(PC-NCM811)和單晶(SC-NCM811)在不同溫度下的表面氧空位和TM陽(yáng)離子的演化。如圖1(a-b)所示,O K邊的近邊緣峰主要位于528-534 eV處,這與O2p-TM3d的雜化狀態(tài)有關(guān),534 eV以上的寬峰對(duì)應(yīng)于O2p-TM4sp的雜化狀態(tài)。在兩種正極材料中,近邊緣峰的強(qiáng)度隨著溫度的升高而減小,這意味著氧空位的形成和積累,以及O2p和TM3d軌道雜化程度的減弱。

通過對(duì)近邊緣峰的強(qiáng)度進(jìn)行積分,如圖1(c)所示,可以明顯看到PC-NCM811的O K近邊緣峰的強(qiáng)度在150 ℃后顯著降低,而SC-NCM811的強(qiáng)度在200 ℃后顯著降低。相比之下,SC-NCM811在較高的溫度下才釋放氧并形成氧空位,表明其穩(wěn)定性較好。

如圖1(d-e)所示,Ni L邊的雙峰對(duì)應(yīng)于2p3/2→3d的躍遷,而L3high/L3low的比值與Ni的氧化態(tài)有關(guān),比值越低,說明Ni的價(jià)態(tài)越低。數(shù)據(jù)顯示,在兩種正極材料中,隨著溫度的升高,L3high/L3low的比值逐漸降低,意味著Ni的價(jià)態(tài)越低,表明N4+和Ni3+更有可能被還原為Ni3+和Ni2+。如圖1(f)所示,,PC-NCM811的L3high/L3low的比值在150 ℃時(shí)開始<1,而SC-NCM811的L3high/L3low的比值在200 ℃時(shí)仍然>1,表明SC-NCM811的Ni還原度較低,這與氧空位的變化正好吻合。

此外,Co的L3峰向低能量方向的轉(zhuǎn)變意味著Co含量的降低。如圖1(g-i)所示,隨著溫度的升高,PC-NCM811的L3峰位移了0.59 eV,SC-NCM811的L3峰位移了0.27 eV根據(jù)此結(jié)果得出,在相同的溫度范圍內(nèi),PC-NCM811中的Co含量降低幅度更大。

眾所周知,Mn的穩(wěn)定性較好。如圖1(j-l)所示,在25-250 ℃的范圍內(nèi),其L3雙峰變化不多,表明Mn沒有減少在很大程度上,所以氧空位的形成主要與Ni的價(jià)態(tài)降低與Co的含量降低有關(guān)。

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圖1. (a-c) O k邊sXAS光譜和預(yù)邊緣歸一化面積, (d-f) Ni L邊sXAS光譜和L3high/L3low比值, (g-i) Co L邊 sXAS光譜和能量位移, (j-l) Mn L邊sXAS光譜和L3high/L3low比值。

熱誘導(dǎo)條件下晶格結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變

當(dāng)氧從晶格中逸出時(shí),在層狀結(jié)構(gòu)中引起陽(yáng)離子無(wú)序,從而促進(jìn)相變,導(dǎo)致晶格結(jié)構(gòu)的惡化。原位高溫XRD可以為PC和SC陰極粉末在中尺度上的平均結(jié)構(gòu)演化提供一個(gè)清晰的路徑,允許對(duì)其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性進(jìn)行更深入的比較

原子尺度上的結(jié)構(gòu)演變

利用聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)和高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)可以在原子水平上探測(cè)正極顆粒的內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化。

如圖2(a-e)所示,在100 ℃下,鋰層中出現(xiàn)了許多亮點(diǎn),表明鋰層已經(jīng)被部分TM原子占據(jù),F(xiàn)FT圖也證實(shí)了局部區(qū)域存在陽(yáng)離子混排以及層狀和尖晶石的混合相,這意味著相轉(zhuǎn)變?cè)?00 ℃時(shí)已經(jīng)發(fā)生。但是,顆粒內(nèi)部陽(yáng)離子混排的程度小于外部顆粒。如圖2(f-j)所示,在200 ℃時(shí),PC-NCM811表層中的晶粒已完全轉(zhuǎn)化為尖晶石,而體相中的晶粒仍處于層狀和尖晶石的混合相。

如圖2(k-o)所示,當(dāng)溫度升高到300 ℃時(shí),PC-NCM811表層中的晶粒仍保持在尖晶石相,內(nèi)部顆粒完全從混合相轉(zhuǎn)變?yōu)榧饩?。如圖2(p-t)所示,當(dāng)溫度升高到400 ℃時(shí),PC-NCM811內(nèi)外顆粒的晶格結(jié)構(gòu)均轉(zhuǎn)變?yōu)閹r鹽相。表明,PC-NCM811中內(nèi)外顆粒的晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變不一致,內(nèi)部顆粒的相變程度低于外部顆粒,且滯后于外部顆粒。

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圖2. (a-e)100 ℃,(f-j)200 ℃,(k-o) 300℃,(p-t) 400 ℃下PC-NCM811正極的HAADF-STEM圖和相應(yīng)的FFT圖

如圖3(a-e)所示,在100 ℃下,SC-NCM811顆粒內(nèi)外仍具有良好的層狀結(jié)構(gòu),如圖3(f-j)所示,,在200 ℃時(shí),SC-NCM811內(nèi)外區(qū)域的晶面取向一致,均呈現(xiàn)層狀和尖晶石的混合相。如圖3(k-o)所示,當(dāng)溫度升高到300 ℃時(shí),SC-NCM811內(nèi)外區(qū)域從混合相過渡到尖晶石相。如圖3(p-t)所示,當(dāng)溫度升高到400 ℃時(shí),SC-NCM811內(nèi)外區(qū)域也顯示為巖鹽相。

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圖3. (a-e)100 ℃,(f-j)200 ℃,(k-o) 300℃,(p-t) 400 ℃下SC-NCM811正極的HAADF-STEM圖和相應(yīng)的FFT圖

簡(jiǎn)而言之,SC-NCM811的晶格結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性比PC-NCM811強(qiáng),且SC-NCM811內(nèi)外區(qū)域的相變過程相對(duì)一致,這主要是由于SC-NCM811形成的氧空位較少,限制了TM的價(jià)態(tài)降低和離子遷移,提升了晶格結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

氧空位濃度的分布

為了探究不同位置的氧空位濃度分布,作者進(jìn)行EELS線掃描模式得到的O k邊譜,并繪制等高線圖,從而直觀地觀察氧空位濃度的徑向分布。氧空位濃度是由O k前邊緣峰(~532 eV)和主峰(~542 eV)之間的能量位置差ΔE決定的,ΔE值越小,氧空位濃度越高。

如圖4a-c和4f-g所示,在100-200 ℃時(shí),PC-NCM811表面和體相的ΔE值都較低,意味著材料氧空位濃度較低。此外,值得注意的是,在一次顆粒內(nèi)部,ΔE的差異較小,這是由于顆粒粒徑較小時(shí),氧空位可以快速擴(kuò)散。隨著溫度的升高,在300 ℃時(shí)(如圖4d和4h所示),PC-NCM811內(nèi)部顆粒和外部顆粒中的ΔE值均有所下降,氧空位濃度均有所增加,但內(nèi)部顆粒仍小于外部顆粒,說明外部顆粒的氧空位濃度增加的速度更為顯著。當(dāng)溫度進(jìn)一步升高到400 ℃時(shí)(如圖4e和4i所示)內(nèi)外顆粒的ΔE均在8-9 eV范圍內(nèi),說明整個(gè)二次顆粒的氧空位濃度較高,釋放了大量的氧。

與PCNCM811不同,SC-NCM811是一個(gè)完整的單晶顆粒,晶粒尺寸大,內(nèi)部沒有晶界,因此作者直接探索從其表面到體相的氧空位濃度分布。

在100-200 ℃時(shí),如圖4j-l所示,ΔE在表面和體相間差異不大,它們的氧空位濃度均處于較低水平。隨著溫度升高,在300 ℃時(shí),SC-NCM811的ΔE從表面到體相呈現(xiàn)梯度分布,反映了材料表層和表下層中氧空位濃度的顯著增加,表明單晶顆粒中氧空位的熱誘導(dǎo)擴(kuò)散是從表面到體相的。但是,由于SC-NCM811較大的顆粒尺寸,氧空位不能像PC-NCM811中的一級(jí)粒子那樣快速擴(kuò)散,因此體積中氧空位的濃度仍然較低。

當(dāng)溫度進(jìn)一步升高到400 ℃時(shí),如圖4n所示,氧空位濃度在徑向上仍呈梯度分布。體相中的ΔE從11-12 eV下降到9-10 eV,意味著體相中的氧空位濃度也增加了。然而,與PC-NCM811相比,SC-NCM811大部分的氧空位濃度仍然較低,這意味著單晶材料中的熱失效程度更小。

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圖4. 不同溫度下 (a-i) PC-NCM811和 (j-n) SC-NCM811顆粒中的EELS線掃描示意圖和O k邊能量位置差ΔE的等高線圖

總結(jié)與展

PC-NCM811中較小的一次顆粒更有利于氧空位的形成和擴(kuò)散,從而協(xié)助TM的跨層遷移和氧的釋放。SC-NCM811具有良好的完整性和較大的粒徑,降低了TMs的形成和表面氧空位的形成,有效地阻礙了氧空位從表面到體的擴(kuò)散過程,從而延緩了結(jié)構(gòu)降解和氧的釋放。這項(xiàng)工作很好地補(bǔ)充了以往缺乏從原子水平上對(duì)單晶和多晶材料熱失效機(jī)理的研究,并為高溫下富鎳正極材料的熱失效機(jī)理提供了基礎(chǔ)性的理論依據(jù)。即,可以優(yōu)化正極顆粒的結(jié)構(gòu)組成和晶粒尺寸,以獲得更優(yōu)的電化學(xué)性能和熱穩(wěn)定性。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:中科大王青松教授:從原子角度揭示單晶與多晶的氧空位形成機(jī)理

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