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R課堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—

羅姆半導體集團 ? 來源:未知 ? 2023-02-15 23:45 ? 次閱讀
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關鍵要點

?SiC MOSFET因其在降低功率轉換損耗方面的出色表現而備受關注。

?DC-DC轉換器和EV應用為例,介紹使用新一代(第4代)SiC MOSFET所帶來的優(yōu)勢–降低損耗。

在電動汽車(EV)、數據中心、基站、智能電網等領域,由于更高電壓、更大容量的電源可以提高便利性,因此電源的電壓和容量呈現出顯著提高的趨勢,而從保護全球環(huán)境的角度來看,如何降低能耗已成為非常重要的課題。在這些應用中,是需要通過功率轉換將電力轉換為適當值來使用電源的,而在功率轉換過程中會產生能量損耗。在高電壓、大容量的應用中,這種損耗是不容忽視的大問題,近年來市場上強烈要求降低功率轉換過程中的能耗,也就是要求提高功率轉換效率。

SiC功率半導體的特點是支持高頻工作,而且在高電壓、大容量條件下的能量損耗非常低,因此這種產品作為提高功率轉換效率的有效方法而備受關注。ROHM能夠為眾多應用提供SiC功率半導體產品。目前,ROHM已經推出了第4代SiC MOSFET,正在為降低功率轉換損耗貢獻著重要力量。

在本系列文章中,我們通過降壓型DC-DC轉換器和EV應用,來介紹第4代SiC MOSFET新產品在實際應用中在降低損耗方面的出色表現。本系列預計發(fā)布以下文章:

第4代SiC MOSFET的特點

在降壓型DC-DC轉換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

> 電路工作原理和損耗分析
> DC-DC轉換器實機驗證

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果

> EV應用
> 裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗
> 圖騰柱PFC實機評估

在降壓型DC-DC轉換器應用部分,將為大家講解開關損耗、傳導損耗、體二極管損耗、反向恢復損耗等損耗發(fā)生機制,并介紹使用具有出色高速開關性能的第4代SiC MOSFET時的損耗降低效果。

在EV應用部分,將為您介紹針對EV的電源解決方案。在牽引逆變器應用部分,將通過接入電機試驗臺實施的模擬行駛試驗的結果,來介紹第4代SiC MOSFET的特性和效果之間的關系。另外,在車載充電器(OBC)的組件之一——圖騰柱PFC部分,將通過在實際電路板上安裝第4代SiC MOSFET來介紹轉換器的特性提升效果。

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了解碳化硅功率元器件及其應用案例

介紹了在電源產品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潛力的碳化硅(SiC)的基本物理特性,以及SiC二極管和晶體管的使用方法及其應用案例。

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使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—

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第4代SiC MOSFET的特點

在降壓型DC-DC轉換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

電路工作原理和損耗分析

DC-DC轉換器實機驗證

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果:EV應用

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

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