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與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合,效率顯著提高

李霞 ? 來源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-13 09:30 ? 次閱讀
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ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓,還是充分發(fā)揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件,還促進充分發(fā)揮其性能的控制元器件的開發(fā)。

最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化柵極驅動

最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化SiC-MOSFET的驅動、即柵極驅動器。ROHM為了實現(xiàn)誰都可以輕松設計使用SiC-MOSFET的電源,不僅發(fā)力SiC-MOSFET的開發(fā),還推進控制元器件的開發(fā)?!癇D7682FJ-LB”是以將SiC-MOSFET用于功率開關為前提開發(fā)的反激式轉換器控制IC。

準諧振控制軟開關的低EMI工作,突發(fā)模式下的輕負載時低消耗電流工作,具備各種保護功能的最尖端功能組成,且搭載為SiC-MOSFET驅動而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外,是工業(yè)設備用的產品,因此支持長期供應保證(-LB)。

<BD7682FJ-LB>

準諧振方式(低EMI)

SiC-MOSFET驅動柵極箝位電路

工作電源電壓范圍(VCC):15.0V~27.5V

輕負載時突發(fā)脈沖工作、降頻功能

工作電流:0.80mA(typ.)、
突發(fā)時 0.50mA(typ.)

待機時低消耗電流:19μA

最大振蕩頻率:120kHz(typ.)

工作溫度范圍:-40℃~105℃

SOP-J8 封裝
(6.0×4.9mm,1.27mm 間距)

保護VCC UVLO,VCC OVP,
各周期的過電流保護,
ZT觸發(fā)器屏蔽功能,ZT OVP,欠壓保護

面向工業(yè)設備長期供應保證

poYBAGPbjouAK4S9AAFAkqr4NuI421.jpg

BD7682FJ-LB框圖及應用電路例
(點擊放大)

與Si-MOSFET解決方案相比,效率改善6%

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB組成的AC/DC轉換器與采用Si-MOSFET的電路比較中,確認效率改善達6%(在ROHM制造的參考板上的比較)。同時還可減少發(fā)熱,因此電路也可小型化。下面是評估板與效率比較數(shù)據(jù)。

pYYBAGPbjo2AZBujAACW1saeOC4050.jpg

poYBAGPbjo6AXxYbAACeCXVKcts117.jpg

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB的評估板已作為“BD7682FJ-LB-EVK-402”在網上銷售,因此可立即進行使用優(yōu)化SiC-MOSFET的反激式轉換器的評估。ROHM除該反激式轉換器評估板之外,還備有全SiC模塊的柵極驅動器評估板等。與以往的Si元器件相比具有優(yōu)異特性的SiC-MOSFET,工作電路也需要優(yōu)化,全部從沒有參考的狀態(tài)進行評估是非常艱苦而細致的工作。總之,希建議望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網的“SiC支持頁面”。

SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

重點必看

pYYBAGPbjpCAcJZ9AAA43Zb73YA453.jpg


審核編輯黃宇

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