來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 12/1月刊

內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1βDRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。

美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點(diǎn)，能夠支持智能汽車和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和沉浸式體驗(yàn)。

繼2021年率先批量出貨基于1α節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進(jìn)的1β節(jié)點(diǎn)DRAM，進(jìn)一步鞏固了市場領(lǐng)先地位。1β技術(shù)可將能效提高約15%，內(nèi)存密度與1α節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品相比提升35%以上，單顆裸片容量高達(dá)16Gb。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示：“1βDRAM產(chǎn)品融合了美光專有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進(jìn)材料能力，標(biāo)志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的1βDRAM制程技術(shù)帶來了前所未有的內(nèi)存密度，為智能邊緣和云端應(yīng)用迎接新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。”

隨著LPDDR5X的出樣，移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)將率先受益于1βDRAM產(chǎn)品的顯著優(yōu)勢，從而解鎖下一代移動(dòng)創(chuàng)新和先進(jìn)的智能手機(jī)體驗(yàn)，并同時(shí)降低功耗。1β技術(shù)的速率和密度將使高帶寬用例在下載、啟動(dòng)以及同時(shí)使用數(shù)據(jù)密集型的5G和人工智能應(yīng)用時(shí)，提供更快的響應(yīng)和流暢度。此外，基于1β節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X不僅可以加速智能手機(jī)拍攝啟動(dòng)，提升夜間模式和人像模式下的拍攝速度和清晰度，還可以實(shí)現(xiàn)無抖動(dòng)、高分辨率8K視頻錄制和便捷的手機(jī)視頻編輯。

為了在1β和1α節(jié)點(diǎn)取得競爭優(yōu)勢，美光在過去數(shù)年還積極提升卓越制造、工程能力和開創(chuàng)性研發(fā)。此前，美光已在今年7月出貨全球首款232層NAND，為存儲(chǔ)解決方案帶來了前所未有的性能和面密度，從而在公司的歷史上首次同時(shí)確立了在DRAM和NAND領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。多年來，美光已進(jìn)一步投資數(shù)十億美元，將晶圓廠打造成高度自動(dòng)化、可持續(xù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的先進(jìn)設(shè)施。這其中包括對(duì)日本廣島工廠的投資，美光將在這里量產(chǎn)基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品。

隨著機(jī)器對(duì)機(jī)器通信、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等高能耗應(yīng)用興起，節(jié)能技術(shù)對(duì)企業(yè)顯得愈發(fā)重要。互聯(lián)世界需要快速、無處不在、節(jié)能的內(nèi)存產(chǎn)品來助推數(shù)字化、最優(yōu)化和自動(dòng)化，而美光的1βDRAM節(jié)點(diǎn)為此提供了一個(gè)全面的基礎(chǔ)。美光于未來的一年中將在諸如嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費(fèi)類產(chǎn)品、工業(yè)和汽車等其他應(yīng)用中量產(chǎn)1β節(jié)點(diǎn)，推出包括顯示內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅