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一種基于MXenes的自供電垂直摩擦晶體管VTT

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-01-11 09:34 ? 次閱讀
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具有檢測、識別和存儲實時感知信息能力的感知-存儲-計算設(shè)備可以簡化傳統(tǒng)芯片中不同模塊之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、傳輸、存儲和操作,這對于在物聯(lián)網(wǎng)IoT)時代同時實現(xiàn)多樣化功能、簡單設(shè)計和高效計算具有重要的價值和吸引力。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,福州大學(xué)陳惠鵬研究員等人開發(fā)了一種基于MXenes的自供電垂直摩擦晶體管(VTT),用于多感知-存儲-計算功能和多任務(wù)情感識別,該VTT將摩擦納米發(fā)電機(jī)TENG)和晶體管集成在單個器件中,具有垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管(VOFET)的簡單配置。

研究人員發(fā)現(xiàn),摩擦電勢能夠調(diào)節(jié)絕緣層中的離子遷移和MXene/半導(dǎo)體界面處的肖特基勢壘高度,從而調(diào)節(jié)MXene和漏極之間的導(dǎo)電通道。同時,與單個TENG器件相比,感知靈敏度提高了711倍,VTT表現(xiàn)出優(yōu)異的多感知-存儲-計算功能。

重要的是,基于該功能,構(gòu)建了多感知融合和多模型情感識別,將情感識別準(zhǔn)確率提高到94.05%,并且具有可靠性。這種結(jié)構(gòu)簡單、自供電的VTT器件具有高靈敏度、高效率和高精度的特點,在未來人機(jī)交互、物聯(lián)網(wǎng)和先進(jìn)智能應(yīng)用方面具有廣闊的應(yīng)用前景。

在這項研究工作中,多感知-存儲-計算系統(tǒng)由幾個用于感知的傳感單元、用于傳遞信息的傳輸路徑以及用于存儲和計算的大腦組成。研究人員制造了基于TENG和VOFET的垂直摩擦晶體管器件(VTT),以實現(xiàn)多感知-存儲-計算功能。顯然,該VTT集成了TENG和VOFET的功能。

由于TENG器件和VOFET器件共享垂直結(jié)構(gòu),所以該VTT具有沒有任何冗余層的VOFET配置。VTT由可移除Kapton襯底、可移除Au柵極、離子凝膠絕緣層、MXenes網(wǎng)絡(luò)源極、PDVT-10通道層和Au源極/漏極組成。通過柵極的移動和VTT的振動分別模擬觸覺和聽覺,并通過光敏Ti3C2Tx MXenes電極實現(xiàn)視覺感知。

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多感知-存儲-計算系統(tǒng)示意圖,以及VTT的器件結(jié)構(gòu)及其形態(tài)特征

與集成TENG的傳統(tǒng)平面晶體管相比,研究人員所開發(fā)的VTT不僅提高了器件集成度,而且簡化了等效電路。VTT可以僅通過引出柵極和源極就可實現(xiàn)TENG的功能,而如果將外部電壓施加到源極-漏極上,則可以起到VOFET的作用。

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TENG和VTT的電輸出和傳感特性

研究人員分別研究了TENG和VTT在模擬不同感官知覺時的靈敏度。結(jié)果表明,與單個TENG相比,VTT的觸覺靈敏度提高了711倍。對于每種感官知覺,VTT均表現(xiàn)出比單個TENG更高的靈敏度,這歸因于VOFET的放大、低亞閾值擺幅(SS)和高開/關(guān)比。

通過計算互相關(guān)函數(shù),證明了多感知之間的存儲-計算,并且由于VTT的多感知集成特性,還模擬了上丘功能和人工刺激響應(yīng)系統(tǒng)。最后,研究人員實現(xiàn)了一個基于VTT的多模型情感識別系統(tǒng),通過數(shù)據(jù)級模型融合實現(xiàn)了94.05%的情感識別準(zhǔn)確率。

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多感知-存儲-計算模型與上丘功能模擬

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多模型情感識別系統(tǒng)

總之,研究人員成功開發(fā)了一種多感知-存儲-計算器件,其在具有VOFET配置的單個器件中集成了TENG和晶體管。這種自供電多感知-存儲-計算器件具有(I)簡單的結(jié)構(gòu)和自供電功能、(II)高靈敏度、(III)高效率和轉(zhuǎn)換速度和(IV)高識別準(zhǔn)確度等優(yōu)點。這項概念驗證工作在單個器件中實現(xiàn)了觸覺/聽覺/視覺感知-存儲-計算,這有可能減少傳感器、存儲器和計算單元之間的數(shù)據(jù)移動,并為腦啟發(fā)計算(brain-inspired computing)范式鋪平了道路。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:用于多感知-存儲-計算的自供電高靈敏度一體式垂直摩擦晶體管

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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