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RC Snubber吸收電路原理詳解

CHANBAEK ? 來源:硬核電子 ? 作者:電子小白菜 ? 2023-01-19 16:29 ? 次閱讀
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在之前一篇文章中我們花了很大篇幅講述了串聯(lián)RLC的零輸入響應(yīng)和零狀態(tài)響應(yīng)的振蕩原理,這是因?yàn)?a target="_blank">電源相關(guān)的實(shí)際電路中存在的振蕩(或者說是振鈴)很多都是這個(gè)原因。比如前文中描述的BUCK電源電感在DCM模式下工作時(shí),當(dāng)主開關(guān)管關(guān)斷,續(xù)流二極管工作時(shí),電感電流為0時(shí),開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓會(huì)存在一段時(shí)間的衰減振蕩;BUCK電源開關(guān)節(jié)點(diǎn)在主開關(guān)管導(dǎo)通,二極管(或同步開關(guān)管)關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰振鈴;還有反激開關(guān)電源漏感導(dǎo)致的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓尖峰振蕩等等。上述這幾種情形的本質(zhì)機(jī)理都是RLC的欠阻尼振蕩。

實(shí)際電路設(shè)計(jì)中需要對(duì)RC參數(shù)進(jìn)行合理選取,才能達(dá)到理想的效果。當(dāng)然如果規(guī)格書中有推薦值的話是最好的,可以先按照規(guī)格書確定參數(shù),然后根據(jù)實(shí)際效果再進(jìn)行微調(diào)。但是我們有必要了解參數(shù)大小對(duì)實(shí)際效果的影響,才能使調(diào)試不至于盲目進(jìn)行。

以常見的BUCK電源開關(guān)節(jié)點(diǎn)處如圖1中紅圈所示,在主開關(guān)管SW導(dǎo)通,續(xù)流二極管D(或者M(jìn)OS管)關(guān)閉時(shí)會(huì)出現(xiàn)類似如圖2所示的尖峰振蕩波形。由于實(shí)際電路存在寄生電感(比如走線或者器件封裝等原因?qū)е拢?dāng)SW開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),等效電路如圖3所示,L1為寄生電感,C1為續(xù)流二極管的結(jié)電容或者下側(cè)MOS管的漏源極寄生電容,R1為走線電阻,值很小。R2和C2為RC Snubber吸收電路,虛線框內(nèi)的是BUCK電路本身的濾波電感電容和負(fù)載。由于濾波電感L2取值較大,并且開關(guān)頻率很高,開關(guān)管開通時(shí)間很短,所以可以近似認(rèn)為流經(jīng)L2大電感的電流不變。因此,在沒有RC吸收時(shí)的電路就可以等效為串聯(lián)RLC零狀態(tài)響應(yīng),由于電源走線一般都比較粗短,走線電阻較小,就對(duì)電容形成了欠阻尼衰減振蕩充電。

poYBAGO5LDCAcMAvAAETFlb85Ew046.jpg

圖1

pYYBAGO5LC-AJG0bAABGcgByBFM599.jpg

圖2

poYBAGO5LC-ADkrhAAAQKb3UdkQ962.jpg

圖3

在并聯(lián)RC吸收電路后,我們可以近似如下分析,來獲悉RC參數(shù)大小對(duì)振鈴抑制效果的影響:

確定電阻R2。首先,實(shí)際電源電路的走線都比較粗短,所以電阻R1較小,我們暫時(shí)先忽略不計(jì);然后,先考慮只并聯(lián)電阻R2,這樣就形成了如圖4所示的RLC并聯(lián)電路(大電感L2的濾波電路形式也是這樣,包括開關(guān)電源的最后一級(jí)基本都可以等效為此電路),這是控制系統(tǒng)中典型的二階阻尼系統(tǒng),其品質(zhì)因素

pYYBAGO5LC-AQdzcAAAH8JUfQIA656.jpg

(串聯(lián)RLC的品質(zhì)因素Q為其倒數(shù),等于pYYBAGO5LC-ALpaAAAAEqsXf0Hg067.jpg),要想振鈴峰值越小,Q值應(yīng)該也越小,則R2值應(yīng)該較小。但R2不能太小,假設(shè)R2趨向于0,則RC吸收就只有電容C2了,就變成了C1和C2并聯(lián),形成LC串聯(lián)振蕩了。因此,R2有一個(gè)相對(duì)值,TI參考文檔給出的意見是,可以先理論假設(shè)poYBAGO5LC-AFdqoAAAGpzMYFtM536.jpg,然后再根據(jù)實(shí)際效果進(jìn)行微調(diào)。

poYBAGO5LC-AW8jWAAAIl-lFfqU140.jpg

圖4

確定電容C2。定好R2之后,暫時(shí)將其忽略不計(jì),只考慮C2,C2和C1并聯(lián)最終還是RLC串聯(lián)電路,根據(jù)其品質(zhì)因素

pYYBAGO5LC-APShkAAAFpTncxSc958.jpg

可知,理論上電容C2越大,Q值越小,振蕩的抑制效果越好,從另一個(gè)角度也很容易理解,電容越大,電壓越不容易發(fā)生突變。但是當(dāng)C2值增大到一定程度之后,對(duì)應(yīng)的容抗值已經(jīng)很小,其值相對(duì)R2來說已經(jīng)不大,所以影響甚微。另一方面,C2越大,電源的效率會(huì)越低,因?yàn)殡娙軨2的充放電過程會(huì)在電阻R2上形成功率損耗。

知道了吸收電路參數(shù)對(duì)振蕩抑制效果的影響后,就可以設(shè)定一個(gè)初值,然后根據(jù)實(shí)際效果進(jìn)行調(diào)整,直到滿意為止。

TI的文檔有提供一個(gè)方法可以參考,現(xiàn)分享步驟如下:

pYYBAGO5LC-AWJpiAACdB4CiqpA397.jpg

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