99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SN3257-Q1是一款汽車級(jí)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體開關(guān)

jf_vuyXrDIR ? 來(lái)源:兆億微波 ? 2023-01-04 17:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SN3257-Q1 是一款汽車級(jí)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān),支持高速信號(hào),具有低傳播延遲。SN3257-Q1 提供具有 4 個(gè)通道的 2:1 (SPDT) 開關(guān)配置,非常適合 SPI 和 I2S 等各通道協(xié)議。此器件可在源極(SxA、SxB)和漏極 (Dx) 引腳上支持雙向模擬數(shù)字信號(hào),并且能夠傳遞高于電源電壓(最高 VDD x 2)的信號(hào),最大輸入和輸出電壓為 5.5V。

SN3257-Q1 具有一個(gè)低電平有效 EN 引腳,用于同時(shí)啟用和禁用所有通道。當(dāng) EN 引腳為低電平時(shí),會(huì)根據(jù) SEL 引腳的狀態(tài)選擇兩個(gè)開關(guān)路徑之一。

SN3257-Q1 的信號(hào)路徑上高達(dá) 3.6V 的關(guān)斷保護(hù)功能可在移除電源電壓 (VDD = 0V) 時(shí)提供隔離。如果沒(méi)有該保護(hù)功能,開關(guān)可通過(guò)內(nèi)部 ESD 二極管為電源軌進(jìn)行反向供電,從而對(duì)系統(tǒng)造成潛在損壞。

失效防護(hù)邏輯電路允許在施加電源引腳上的電壓之前,先施加邏輯控制引腳上的電壓,從而保護(hù)器件免受潛在的損害。兩個(gè)邏輯控制輸入都具有兼容 1.8V 邏輯的閾值,可確保 TTL 和 CMOS 邏輯兼容性。邏輯引腳上帶有集成下拉電阻器,無(wú)需外部組件,可減小系統(tǒng)尺寸、降低系統(tǒng)成本。

審核編輯:何安

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3282

    瀏覽量

    95409
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238080
  • 汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    3858

    瀏覽量

    39563

原文標(biāo)題:SN3257QPWRQ1具有 1.8V 邏輯電平和斷電保護(hù)的汽車類 5V、2:1 (SPDT)、4 通道開關(guān)

文章出處:【微信號(hào):兆億微波,微信公眾號(hào):兆億微波】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    惠洋100V15A香薰加濕器方案MOS管

    N溝道MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是種電壓控制型器件,依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),源極與漏極之間
    發(fā)表于 06-28 10:48

    100V15A點(diǎn)煙器N溝道MOS管HC070N10L

    N溝道MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是種電壓控制型器件,依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),源極與漏極之間
    發(fā)表于 06-27 17:35

    Analog Devices Inc. ADG1412L四通道SPST開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Analog Devices Inc. ADG1412L四通道單刀單擲 (SPST) 開關(guān)一款單片互補(bǔ)金屬氧化物
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:09 ?344次閱讀
    Analog Devices Inc. ADG1412L四通道SPST<b class='flag-5'>開關(guān)</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    CMOS工藝流程簡(jiǎn)介

    互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧化物
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:30 ?750次閱讀

    CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

    對(duì)N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作,構(gòu)成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件(Complementary Metal-Oxide-Semic
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:14 ?404次閱讀
    CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

    昂洋科技談MOS管在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 10:46 ?319次閱讀

    ICL7660單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電源電路數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Intersil ICL7660 和 ICL7660A 是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電源電路,與以前可用的器件相比,具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)。ICL7660 在 +1.5V 至 +
    的頭像 發(fā)表于 04-10 18:19 ?581次閱讀
    ICL7660單片<b class='flag-5'>互補(bǔ)</b><b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>CMOS電源電路數(shù)據(jù)手冊(cè)

    ADG902 0Hz至4.5 、40dB關(guān)斷隔離(1GHz)、17 dBm P1dB (1GHz) SPST開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

    ADG901/ADG902是采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制成、具有高隔離和低插入損耗特點(diǎn)并且頻率達(dá)1 GHz的寬帶
    的頭像 發(fā)表于 03-06 11:28 ?449次閱讀
    ADG902 0Hz至4.5 、40dB關(guān)斷隔離(<b class='flag-5'>1</b>GHz)、17 dBm P<b class='flag-5'>1</b>dB (<b class='flag-5'>1</b>GHz) SPST<b class='flag-5'>開關(guān)</b>技術(shù)手冊(cè)

    ADRF5054 1GHz至60GHz硅SP4T反射式開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

    V 雙電源電壓供電。ADRF5054 采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 和低電壓晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 10:59 ?444次閱讀
    ADRF5054 <b class='flag-5'>1</b>GHz至60GHz硅SP4T反射式<b class='flag-5'>開關(guān)</b>技術(shù)手冊(cè)

    ADRF5045單刀四擲(SP4T)開關(guān)ADI

    9 kHz至30 GHz,展現(xiàn)出卓越的性能,具體表現(xiàn)為高隔離度和極低的插入損耗。 在供電需求方面,ADRF5045需要雙電源電壓支持,即+3.3伏和-3.3伏,并且其控制邏輯與互補(bǔ)金屬氧化物
    發(fā)表于 02-14 09:08

    金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的區(qū)別

    半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的基礎(chǔ)材料,但它們?cè)诓牧咸匦?、性能、制造工藝以及?yīng)用領(lǐng)域上存在顯著差異。這里對(duì)金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的主要區(qū)別做以下分享:1.
    的頭像 發(fā)表于 12-19 15:23 ?1048次閱讀
    <b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b>和柔性石墨烯MOS的區(qū)別

    半導(dǎo)體領(lǐng)域常見(jiàn)的英文縮寫及對(duì)應(yīng)描述

    ) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 半導(dǎo)體工藝技術(shù),廣泛應(yīng)用于集成電路設(shè)計(jì)中。 BJT (Bipola
    的頭像 發(fā)表于 11-21 17:05 ?6789次閱讀

    使用Keithley 4200-SCS半導(dǎo)體表征系統(tǒng)進(jìn)行氧化物可靠性測(cè)試

    氧化物完整性是個(gè)重要的可靠性問(wèn)題,特別對(duì)于今天大規(guī)模集成電路的MOSFET器件, 其中氧化物厚度已經(jīng)縮放到幾個(gè)原子層。JEDEC 35標(biāo)準(zhǔn) (EIA/JE SD 35, Procedure
    的頭像 發(fā)表于 11-18 10:22 ?1309次閱讀
    使用Keithley 4200-SCS<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>表征系統(tǒng)進(jìn)行<b class='flag-5'>氧化物</b>可靠性測(cè)試

    金屬化薄膜電容氧化時(shí)方阻會(huì)變大嗎

    金屬化薄膜電容器的氧化會(huì)導(dǎo)致其表面形成氧化物膜。這層氧化物膜通常是絕緣性質(zhì)的,且比金屬本身的
    的頭像 發(fā)表于 08-05 14:13 ?1117次閱讀

    CMOS反相器的工作原理和應(yīng)用

    CMOS反相器是種常用的數(shù)字電路元件,它采用互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide-Semicondu
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:49 ?9511次閱讀
    CMOS反相器的工作原理和應(yīng)用