LTspice半導(dǎo)體二極管模型對于仿真至關(guān)重要，尤其是當(dāng)您希望看到包括擊穿行為和復(fù)合電流在內(nèi)的結(jié)果時(shí)。然而，盡管LTspice中的半導(dǎo)體二極管模型是完整的，但有時(shí)您需要一個(gè)簡單的“理想化二極管”模型來快速仿真，例如，有源負(fù)載、電流源或限流二極管。為了提供幫助，LTspice提供了理想化二極管模型的表示。

要在LTspice中使用這種理想化模型，請為具有唯一名稱的二極管（D）插入.model語句，并定義以下一個(gè)或多個(gè)參數(shù)：Ron，Roff，Vfwd，Vrev或Rrev。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2）

LTspice中的理想化二極管模型具有三個(gè)線性導(dǎo)通區(qū)域：開通、關(guān)斷和反向擊穿。正向?qū)ê头聪驌舸┛梢允褂秒娏飨拗茀?shù)Ilimit和revIlimit進(jìn)一步指定。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1

此外，為了平滑關(guān)閉和導(dǎo)通狀態(tài)之間的切換，還可以定義 epsilon 和 revepsilon 參數(shù)。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1 Epsilon=1 RevEpsilon=1）

在關(guān)斷和導(dǎo)通狀態(tài)之間也使用二次函數(shù)，使得理想化的二極管IV曲線在值和斜率上是連續(xù)的，因此在epsilon和revepsilon值指定的電壓上發(fā)生躍遷。

在原理圖中插入 .model 語句后，可以在元件屬性中編輯二極管符號的值（Ctrl + 右鍵單擊），以匹配您在語句中指定的名稱。有關(guān)LTspice二極管型號的更多信息，請參閱幫助主題（F1）。

為了好玩，在下面的電路示例中，理想化二極管模型用于模擬MOSFET在其他非同步降壓控制器中的RDS（ON）。通過使用理想化的二極管模型代替?zhèn)鹘y(tǒng)的肖特基二極管，可以輕松比較同步整流的導(dǎo)通損耗。

審核編輯：郭婷