本文旨在幫助指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員了解不同類型的電氣過應(yīng)力(EOS)及其如何影響其系統(tǒng)。雖然本文針對(duì)的是系統(tǒng)中引起的特定類型的電應(yīng)力,但這些信息仍然可以應(yīng)用于各種場(chǎng)景。
這個(gè)主題很重要,因?yàn)槿绻麤]有適當(dāng)?shù)谋Wo(hù),即使是最好的電路也會(huì)降低性能或被EOS破壞。
什么是EOS?
EOS是一個(gè)通用術(shù)語(yǔ),描述系統(tǒng)被太多試圖進(jìn)入電路的電子所承受壓力。重要的是要記住,這是功率和時(shí)間的函數(shù)。
將復(fù)雜電路抽象為一個(gè)耗散功率的簡(jiǎn)單元件(例如電阻器)可能會(huì)有所幫助。在額定功率為1 W的1 Ω電阻上輸入1.1 V電壓,得出功耗公式,
告訴我們 1.21 W 正在消散。雖然電阻的額定功率為1 W,但其中可能內(nèi)置了一些裕量,因此您可以在一段時(shí)間內(nèi)擺脫這種情況。不過,可能不會(huì)永遠(yuǎn)。
如果將電壓提高到 2 V 會(huì)怎樣?聰明的錢是用那個(gè)電阻器在非常有限的時(shí)間內(nèi)用作空間加熱器,因?yàn)樗暮纳⑹巧弦粋€(gè)例子的四倍——請(qǐng)記住:
如果將該電壓增加到 10 V,但僅持續(xù) 10 毫秒,該怎么辦?這就是事情變得有趣的地方——如果不了解它以及它的設(shè)計(jì)來處理什么,就沒有辦法真正告訴它對(duì)零件的影響?,F(xiàn)在我們可以將這些知識(shí)帶到整個(gè)組件系統(tǒng)中。
什么對(duì)EOS敏感?
一般來說,所有有電子設(shè)備的東西都容易受到EOS的影響。 特別脆弱的部件是與外界接口的部件,因?yàn)樗鼈兒芸赡苁堑谝粋€(gè)看到靜電放電(ESD)、雷擊等的部件。我們感興趣的是 USB 端口、示波器的模擬前端以及最新高性能物聯(lián)網(wǎng)攪拌機(jī)的充電端口等部件。
圖1.8 kV 時(shí)的理想接觸放電電流波形。
我們?cè)趺粗酪婪妒裁矗?/p>
雖然我們知道我們希望保護(hù)系統(tǒng)免受電氣過應(yīng)力的影響,但在決定如何保護(hù)我們的系統(tǒng)時(shí),該術(shù)語(yǔ)過于寬泛,無濟(jì)于事。這就是為什么IEC(和許多其他組織)的優(yōu)秀人員已經(jīng)做了艱苦的工作,弄清楚我們?cè)诂F(xiàn)實(shí)生活中可能會(huì)遇到哪些類型的EOS。我們將重點(diǎn)關(guān)注IEC規(guī)范,因?yàn)樗鼈兒w了廣泛的市場(chǎng)應(yīng)用,并且圍繞它們的混亂證明了本出版物的合理性。表1顯示了三個(gè)規(guī)范,它們定義了系統(tǒng)可能遇到的EOS條件類型。雖然這里只深入討論ESD,但我們也應(yīng)該熟悉電快速瞬變(EFT)和浪涌。
圖2.符合 IEC61000-4-4 標(biāo)準(zhǔn)的電氣快速瞬態(tài) 4 級(jí)波形。
規(guī)范 | 簡(jiǎn)寫術(shù)語(yǔ) | 現(xiàn)實(shí)生活中的模擬 | 特性 |
IEC 61000-4-2 | 靜電放電 | 靜電放電 | 最高電壓,最短持續(xù)時(shí)間,單次沖擊 |
IEC 61000-4-4 | 電快速瞬變 (EFT) | 外部開關(guān)元件(例如,來自電機(jī)的電感尖峰) | 高電壓、持續(xù)時(shí)間短、重復(fù)沖擊 |
IEC 61000-4-5 | 激 | 雷擊、電源系統(tǒng)開關(guān)瞬變(例如升壓轉(zhuǎn)換器) | 高電壓,最長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間 |
制造集成電路的人不是已經(jīng)保護(hù)芯片免受ESD的影響嗎?
對(duì)此不令人滿意的答案是肯定的和否定的。是的,這些芯片設(shè)計(jì)用于在制造過程中處理ESD,而不是在系統(tǒng)中供電的情況下處理ESD。這種區(qū)別非常重要,因?yàn)楫?dāng)放大器為其供電時(shí),它暴露在靜電中時(shí)的行為可能與未連接到任何東西時(shí)的行為非常不同。例如,對(duì)未上電部件的ESD沖擊可能會(huì)被內(nèi)部保護(hù)二極管耗散。然而,ESD撞擊受電部件可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)傳導(dǎo)比其設(shè)計(jì)處理的更多的電流。這可能導(dǎo)致器件自焚,具體取決于器件和電源電壓。
這是國(guó)際緊急情況!如何保護(hù)我最喜歡的IC免受這種迫在眉睫的威脅?
正如我希望你意識(shí)到的那樣,這一挑戰(zhàn)有很多因素,一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案不可能適用于所有情況。以下是確定部件是否在EOS事件中幸存下來的因素列表。它分為兩組:我們無法控制的因素和我們可能控制的因素。
我們無法控制的事情:
IEC波形:ESD,EFT和浪涌都具有非常不同的配置文件,因此它們將利用它們所攻擊的設(shè)備的某些弱點(diǎn)。
正在考慮的設(shè)備的工藝技術(shù):某些工藝技術(shù)比其他工藝技術(shù)更容易發(fā)生閂鎖。例如,CMOS工藝容易發(fā)生閂鎖,但有許多方法可以通過許多現(xiàn)代工藝中使用的精心設(shè)計(jì)和溝槽隔離來減輕這種危害。
正在考慮的器件內(nèi)部結(jié)構(gòu):IC的設(shè)計(jì)方式如此之多,以至于適用于一種保護(hù)方案可能不適用于另一種保護(hù)方案。例如,許多設(shè)備都有定時(shí)電路,如果檢測(cè)到足夠快的波形,該電路將打開保護(hù)結(jié)構(gòu)。這可能意味著,如果在撞擊位置添加足夠的電容,經(jīng)受住ESD沖擊的設(shè)備可能無法存活。這種反應(yīng)是違反直覺的,但認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn)非常重要:一種常見的電路保護(hù)方法 - RC濾波器 - 可能會(huì)使問題變得更糟。
圖3.IEC61000-4-5浪涌在8 μs/20 μs電流波形下歸一化。
您可以控制的事情:
PCB布局:零件離撞擊位置越近,它們就越有可能看到更高的能量波形。這是因?yàn)楫?dāng)沖擊波形沿著路徑傳播時(shí),波形正在耗散能量——從波形路徑輻射出去的EMI,路徑電阻產(chǎn)生的熱量,以及與附近導(dǎo)體的寄生電容和電感耦合。
保護(hù)電路:這是我們可以對(duì)設(shè)備的生存能力產(chǎn)生最有意義的影響的地方。上述我們無法控制的事情將告知我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)保護(hù)方案。
你們擁有那些冷卻過壓保護(hù) (OVP) 和過頂 (OTT) 功能。我用它們來防止高壓瞬變?cè)趺礃樱?/p>
不!別這樣。不是一個(gè)好主意。OVP 和 OTT 功能允許器件的輸入端看到超出電源電壓的電壓,而不會(huì)損壞器件。依靠這些功能來防止高壓瞬變就像依靠雨靴來防止高壓清洗機(jī)一樣。雨靴適用于比其高度淺的水坑,就像 OVP 和 OTT 適用于低于其額定值的水坑一樣。OVP 和 OTT 的額定電壓大約超過給定電源軌的數(shù)十伏。這對(duì)八千伏特?zé)o濟(jì)于事。
我如何知道哪些保護(hù)電路將起作用?
通過使用設(shè)備知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)和測(cè)試的組合,我們可以合理地了解在我們的系統(tǒng)中使用的最佳組件是什么。由于各種制造商提供了令人眼花繚亂的保護(hù)組件列表,以保持事情的可管理性,因此我將僅討論兩種在模擬前端保護(hù)中被證明有效的電路保護(hù)方案。以下方案假設(shè)運(yùn)算放大器采用緩沖器配置。這被認(rèn)為是最苛刻的保護(hù)測(cè)試,因?yàn)橥噍斎肟梢钥吹剿凶矒簦瑳]有其他區(qū)域的能量去(在安裝保護(hù)之前)。
圖4.IEC-61000-4-2測(cè)試中電路的表示。
考慮:
R1應(yīng)為耐脈沖(厚膜)電阻,使其在高壓瞬變下不會(huì)輕易擊穿。
R1電壓噪聲與電阻值的平方根成正比,如果系統(tǒng)需要低噪聲,這是一個(gè)重要的考慮因素。
C1 應(yīng)為封裝尺寸至少為 0805 的陶瓷電容器,以減輕封裝上的表面電弧。
C1應(yīng)至少為X5R(理想情況下為C0G/NP0)溫度系數(shù),以保持可預(yù)測(cè)的電容。
C1的串聯(lián)電感和電阻應(yīng)盡可能低,以便能夠有效地吸收沖擊。
對(duì)于給定的封裝尺寸,C1 的額定電壓應(yīng)盡可能高(最小 100 V)。
在這種情況下,C1在R1之前,因?yàn)樗?50 pF電容(如圖5所示)產(chǎn)生一個(gè)電容分壓器,將ESD波形放電到我們的系統(tǒng)中,從而在放大器看到能量之前將其分流出去。
圖5.在模擬輸入端使用低通濾波器進(jìn)行輸入保護(hù)。
優(yōu)勢(shì) | 弊 |
便宜(~5美分) | R1引入熱噪聲 |
占地面積小 | RC 網(wǎng)絡(luò)限制速度 |
最小泄漏 | 需要仔細(xì)表征電容器 |
對(duì)反復(fù)打擊的抵抗力不那么強(qiáng) |
注意:雖然這種前端保護(hù)方法沒有得到電容器制造商的認(rèn)可,但經(jīng)過數(shù)百次放大器測(cè)試,它已被證明是有效的。ESD測(cè)試曲線(如下所述)僅在有限范圍的電容器產(chǎn)品上進(jìn)行了測(cè)試,因此如果使用不同的電容器產(chǎn)品,則通過測(cè)量ESD沖擊前后的電容和串聯(lián)電阻等來表征它們?nèi)绾翁幚頉_擊非常重要。設(shè)備應(yīng)保持電容,并在濫用后始終以直流頻率打開。
考慮:
與RC網(wǎng)絡(luò)相同:R1應(yīng)承受脈沖,可能需要考慮噪聲。
應(yīng)為需要遵守的標(biāo)準(zhǔn)指定 D1。有些可能只涵蓋 ESD,但有些涵蓋 EFT 和浪涌標(biāo)準(zhǔn)。
D1 應(yīng)該是雙向的,以便它可以處理正面和負(fù)面打擊。
D1反向工作電壓應(yīng)選擇盡可能高,同時(shí)仍通過必要的測(cè)試。太低,在正常的系統(tǒng)電壓水平下可能會(huì)漏電流。太高,在系統(tǒng)損壞之前可能沒有反應(yīng)。
但我聽說TVS二極管泄漏很多,會(huì)扼殺我的表現(xiàn)。
模擬電子學(xué)的常識(shí)表明,TVS二極管是泄漏的,因此不能用于精密模擬前端。這種智慧并不一定如此——許多數(shù)據(jù)手冊(cè)將顯示<100 μA的漏電流,這對(duì)于大多數(shù)模擬人員來說相當(dāng)高。這個(gè)數(shù)字的問題在于它是在最高溫度(150°C)的最大工作電壓下拍攝的。在這種情況下,二極管將非常泄漏。所有二極管在85°C以上泄漏得更多。 只要選擇具有較高反向工作電壓的TVS二極管,并且不希望在85°C以上實(shí)現(xiàn)低泄漏,那么就可以期望漏電流要低得多。
圖6.在模擬輸入端使用TVS二極管提供輸入保護(hù)。
優(yōu)勢(shì) | 弊 |
便宜(20至30美分) | R1引入噪聲 |
占地面積小 | D1有漏電流 |
非常堅(jiān)固 | D1 具有電容(5 pF 至 300 pF) |
如果您正確選擇TVS,您可能會(huì)驚訝于與TVS相關(guān)的泄漏如此之少。圖7顯示了測(cè)量具有相同部件號(hào)的12個(gè)TVS二極管泄漏的數(shù)據(jù):
圖7.36 V雙向TVS二極管的漏電流—Bournes T36SC,使用帶屏蔽和25°C時(shí)10 G電阻的TIA中的ADA4530評(píng)估板。
在測(cè)量的12個(gè)TVS二極管中,最糟糕的二極管在5 V直流偏置時(shí)有7 pA的漏電流。這比數(shù)據(jù)手冊(cè)中最壞的情況要好1000多萬倍。當(dāng)然,不同批次的TVS二極管在泄漏方面存在差異,但這至少應(yīng)該說明預(yù)期的數(shù)量級(jí)。如果我們的系統(tǒng)不會(huì)看到高于85°C的溫度,TVS二極管可能是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。請(qǐng)記住,如果您選擇其他產(chǎn)品而不是此處專門測(cè)試的產(chǎn)品,請(qǐng)表征泄漏。對(duì)于一個(gè)零件或制造商來說可能是正確的,對(duì)于另一個(gè)零件或制造商來說可能不是正確的。
測(cè)試結(jié)果:
一系列運(yùn)算放大器使用IEC ESD標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)試。表 2 顯示了哪些保護(hù)方案保護(hù)哪些組件。盡管ESD標(biāo)準(zhǔn)是在±8 kV下進(jìn)行三次沖擊,但所有這些方案在±9 kV下通過100次罷工,以確保足夠的保護(hù)裕度。
產(chǎn)品 |
功能、帶寬 |
保護(hù)值 |
||
R (Ω) | 丙 (pF) | D (V_WM) | ||
公元823 |
場(chǎng)效應(yīng)管輸入 | 220 | 100 | |
16兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4077 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
3.9兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4084 |
低噪音 | 220 | 100 | |
15.9兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4522 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
2.7兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4528 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
3兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4610 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
15.4兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4622 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
8兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4625 |
低噪聲,JFET | 220 | 100 | |
18兆赫 | 68 | 36 | ||
ADA4661 |
精度 | 220 | 100 | |
4兆赫 | 68 | 36 | ||
LT1490 |
微功耗 | 220 | 100 | |
200千赫 | 68 | 36 | ||
LT6016 |
低功耗、高精度、OTT | 220 | 100 | |
3.2兆赫 | 68 | 36 | ||
LT6018 |
低噪音,精度高 | 220 | 100 | |
15兆赫 | 68 | 36 | ||
LT1636 |
微功耗、奧特 | 220 | 100 | |
200千赫 | 220 | 36 | ||
LT1638 |
微功耗、奧特 | 220 | 100 | |
1.1兆赫 | 68 | 36 | ||
LT1494 |
微功耗、精密、OTT | 220 | 100 | |
100赫茲 | 68 | 36 |
IEC標(biāo)準(zhǔn)要求ESD源極接地通過兩個(gè)470 kΩ電阻并聯(lián)30 pF電容連接到放大器的接地。這種測(cè)試設(shè)置更加苛刻,因?yàn)镋SD源的接地直接連接到放大器的地。這些結(jié)果也在剛才描述的IEC接地耦合方案上得到了驗(yàn)證,以增加信心。請(qǐng)記住,由于放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)大不相同,因此適用于此列表中的設(shè)備的產(chǎn)品可能適用于其他設(shè)備,也可能不適用于其他設(shè)備。如果使用其他設(shè)備或其他保護(hù)組件,建議對(duì)其進(jìn)行徹底測(cè)試。
使用的保護(hù)組件:
電阻器:松下 0805 ERJ-P6 系列
電容器: 國(guó)巨 0805 100 V C0G/NPO
TVS 二極管:Bourns CDSOD323-T36SC(雙向,36 V,低泄漏,額定值符合 ESD、EFT、浪涌標(biāo)準(zhǔn))
ESD 壓敏電阻: Bourns MLA 系列, 0603 26 V
附加組件:ESD壓敏電阻
TVS二極管工作得很好,可以無限次敲擊。此功能非常適合EFT和浪涌,但如果您只需要ESD保護(hù),請(qǐng)查看ESD壓敏電阻 - 它們是極高值的電阻,直到它們看到一定的電壓,然后它們變成低值電阻并將能量分流通過壓敏電阻。
它們與TVS二極管的配置相同。它們的泄漏更少,成本不到TVS二極管的一半。請(qǐng)注意,它們不是為看到數(shù)百次打擊而設(shè)計(jì)的,并且它們的抵抗力會(huì)隨著每次撞擊而降低。ESD壓敏電阻也在上述產(chǎn)品上進(jìn)行了測(cè)試,當(dāng)內(nèi)聯(lián)電阻約為TVS二極管所需值的兩倍時(shí),性能最佳。
EFT 和浪涌呢?
這些產(chǎn)品僅根據(jù)ESD標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)試。EFT的獨(dú)特之處在于,盡管電壓不高(4 kV及以下),但沖擊以突發(fā)(5 kHz或更高)和較慢的上升時(shí)間(5 ns)進(jìn)行。浪涌每次打擊的能量大約是EFT的1000倍,但為EFT的1/1000千與波形一樣快。如果還需要涵蓋這些標(biāo)準(zhǔn),請(qǐng)確保保護(hù)組件在其數(shù)據(jù)手冊(cè)中聲明他們可以處理這些標(biāo)準(zhǔn)。
電路保護(hù)簡(jiǎn)述
雖然RC濾波器或TVS二極管似乎很容易在事后考慮在電路中折騰,但請(qǐng)記住本文中提到的會(huì)影響系統(tǒng)性能和保護(hù)級(jí)別的所有其他事項(xiàng)。這包括布局、前端使用的部件以及需要滿足的 IEC 標(biāo)準(zhǔn)。如果您盡早記住這一點(diǎn),它可能會(huì)減輕系統(tǒng)設(shè)計(jì)最后階段的緊急重新設(shè)計(jì)。
本文遠(yuǎn)非全面的概述。敏感性的話題將在我們的后續(xù)文章中得到更深入的處理。此外,基站接收器設(shè)計(jì)中的其他挑戰(zhàn)包括自動(dòng)增益控制(AGC)算法、信道估計(jì)和均衡算法。我們計(jì)劃在本文之后發(fā)布一系列技術(shù)文章,旨在簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì)過程并提高您對(duì)接收機(jī)系統(tǒng)的理解。
審核編輯:郭婷
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如何保護(hù)您的模擬前端

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