12日，記者從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，日前在美國(guó)舊金山召開的第68屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEEE IEDM）上，中國(guó)科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測(cè)器）被大會(huì)接收。

IEEE IEDM是一個(gè)年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì)議，是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級(jí)論壇，其與ISSCC、VLSI并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”。

如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。龍世兵課題組基于氧化鎵異質(zhì)PN結(jié)的前期研究基礎(chǔ)，將異質(zhì)結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)成功應(yīng)用于氧化鎵肖特基二極管。該研究通過合理設(shè)計(jì)優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度，確保不影響二極管正向特性的同時(shí)最大化削弱肖特基邊緣電場(chǎng)，從而有效提高器件的耐壓能力。優(yōu)化后的器件實(shí)現(xiàn)了2.9mΩ·cm^2的低導(dǎo)通電阻和2.1kV的高擊穿電壓，其功率品質(zhì)因數(shù)高達(dá)1.52GW/cm2。此外，利用該優(yōu)化工藝成功制備并封裝了大面積的氧化鎵肖特基二極管，器件正向偏壓2V下電流密度達(dá)到180A/cm^2，反向擊穿電壓高達(dá)1.3kV。

光電探測(cè)器在目標(biāo)跟蹤、環(huán)境監(jiān)測(cè)、光通信、深空探索等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。響應(yīng)度和響應(yīng)速度是光電探測(cè)器的兩個(gè)關(guān)鍵的性能參數(shù)，然而這兩個(gè)指標(biāo)之間存在著制約關(guān)系，此消彼長(zhǎng)。龍世兵團(tuán)隊(duì)通過引入額外的輔助光源實(shí)現(xiàn)對(duì)向光柵（OPG）調(diào)控方案，來緩解上述制約關(guān)系。

該工作提出了一種光電探測(cè)器芯片內(nèi)千萬像素共享一顆輔助LED即可緩解響應(yīng)度與響應(yīng)速度之間的制約關(guān)系的策略，對(duì)光電探測(cè)芯片綜合性能的提升有重要參考意義。

審核編輯 ：李倩