晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路，但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類，一類是經(jīng)典的TTL三極管開關(guān)電路，一類是MOS管開關(guān)電路。

這里會(huì)介紹有關(guān)開關(guān)電路的知識(shí)，包括 TTL晶體管開關(guān)電路，蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器等等。

一、晶體管開關(guān)電路

TTL 晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開關(guān)電路和功率開關(guān)電路。按三極管連接方式分為發(fā)射極地（PNP三極管發(fā)射極接電源）和射跟隨開關(guān)電路。

1 、發(fā)射極接地開關(guān)電路

發(fā)射極接地開關(guān)電路

上面的基本電路離實(shí)際設(shè)計(jì)電路有點(diǎn)遠(yuǎn)：由于三極管基極電荷的積累，存在從開到關(guān)的過渡（三極管關(guān)斷時(shí)，由于存在基極電荷釋放速度變慢） R1，因此 Ic 不會(huì)立即變?yōu)榱悖?。也就是說發(fā)射極接地開關(guān)電路是有關(guān)斷時(shí)間的，它不能直接應(yīng)用于高頻開關(guān)。

發(fā)射極接地開關(guān)電路

工作原理：當(dāng)三極管突然導(dǎo)通（IN信號(hào)突然跳變）時(shí)，C1瞬間出現(xiàn)短路，迅速為三極管提供基極電流，從而加速三極管導(dǎo)通。當(dāng)晶體管突然關(guān)閉時(shí)（IN 信號(hào)突然跳閘），C1 瞬間導(dǎo)通，為釋放基極電荷提供低阻抗路徑，從而加速晶體管關(guān)閉。

C值通常是幾十到幾百皮法，電路中的R2是保證三極管在沒有IN高電平輸入時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。R4是保證三極管在沒有IN低電平輸入時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。R1和R3用于基極限流。

發(fā)射極接地開關(guān)電路

工作原理：由于TVS二極管的Vf比Vbe小0.2~0.4V，所以基極電流大部分從二極管流過，然后流向三極管，最后在三極管導(dǎo)通時(shí)流向地，所以流向基極的電流晶體管小，積累的電荷少。當(dāng)三極管關(guān)斷時(shí)（IN信號(hào)突然跳變），放電的電荷變少，關(guān)斷動(dòng)作自然變快。

發(fā)射極接地開關(guān)電路

在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，需要考慮三極管Vceo、Vcbo滿足壓強(qiáng)，三極管滿足集電極功耗。使用負(fù)載電流和hfe（取晶體管hfe的最小值來計(jì)算）來計(jì)算基極電阻（基極電流留0.5到1倍的余量）。注意特殊二極管的反向耐壓。

2、射極跟隨器開關(guān)電路

射極跟隨器又稱射極跟隨器，是典型的負(fù)反饋放大器。從晶體管的連接方式來看，它實(shí)際上是一個(gè)普通的集電極放大器。信號(hào)從基極輸入，從發(fā)射極輸出。接在三極管發(fā)射極上的電阻Re在電路中起著重要的作用。它就像一面鏡子，反映輸出和輸入的以下特征。

輸入電壓usr=ube+usc。通常Usc》Ube，忽略Ube，則usr≈usc。顯然，這意味著發(fā)射極限跟隨器的電壓放大倍數(shù)約等于1，即輸入電壓幅值約等于輸出電壓幅值。當(dāng)Usr增加時(shí)，ib和ie都增加，發(fā)射極電壓ue（usc）也增加。相反，當(dāng) Usr 減小時(shí)，Usc 也減小。這表明輸出電壓與輸入電壓同相，正是因?yàn)椴粌H輸出電壓等于輸入電壓，而且同相。輸出電壓緊隨輸入電壓而變化。我們稱這種具有以下特點(diǎn)的電路為“輻射極限跟隨器”。

射極跟隨器可以用很小的輸入電流得到很大的輸出電流（即=（1+β）ib）。因此，它具有電流放大和功率放大的作用。需要區(qū)分的是，普通的多級(jí)共發(fā)射極放大電路不放大電流，放大電壓，與發(fā)射相反。

二、蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器

當(dāng) BUZZ 為高電壓時(shí)，三極管T1（N型三極管）導(dǎo)通，蜂鳴器發(fā)聲。R5的作用是用于限流。

蜂鳴器控制電路

三、 IO 控制電源開關(guān)打開-使用三極管和MOS管

MOS：FET MOSFET管的一種，可制成增強(qiáng)型或耗盡型、P溝道或N溝道共型。但實(shí)際應(yīng)用只有增強(qiáng)型N溝道MOS管和增強(qiáng)型P溝道MOS管，即NMOS和PMOS。

對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，常用的是NMOS，特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻低。通常應(yīng)用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

導(dǎo)通條件：當(dāng) Vgs 大于某個(gè)值時(shí)，NMOS 導(dǎo)通。當(dāng) Vgs 小于某個(gè)值時(shí)，PMOS 導(dǎo)通。

開關(guān)損耗：不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻，造成不可避免的損耗。而現(xiàn)在的MOS管導(dǎo)通電阻一般都是幾十毫歐。

MOS管AO3401：P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

MOS管AO3401

導(dǎo)通條件：一般不超過-12V即可為AO3401。以下是不同壓降下的阻抗：

mos管不同壓降下的阻抗

下面是工程應(yīng)用中的開關(guān)控制電路。

1、 通過 IO管腳控制電源--兩只3401 MOS管

下面是兩只3401 MOS管，沒有加開關(guān)控制。剛上電后，VDD 等于輸入電壓。此時(shí)，你可以通過兩種方式供電。如果J5沒有輸入電壓，由VBUS供電，通過F1輸出5V電壓。下面的電路可以用一個(gè)開關(guān)代替R10，Q201一直導(dǎo)通，內(nèi)部二極管壓降0.5V左右。

注意：兩個(gè)三極管的方向不同，Q200左邊是S，右邊是D。Q201左邊是D，右邊是S。

當(dāng)J5有電壓時(shí)，Q200導(dǎo)通，Q201也滿足導(dǎo)通條件，電壓為0.1V。

IO 控制電源開關(guān)打開

注意：VBUS 右側(cè)斷開。

電壓參考

2、穩(wěn)壓管和MOS管穩(wěn)壓電路

工作原理：VCC可以來自左側(cè)VDD5V_Control，也可以來自PC PS2口供電的Vpc_IN。VCC采用電壓高的。

穩(wěn)壓管和MOS管穩(wěn)壓電路

原電路：

穩(wěn)壓管和MOS管穩(wěn)壓電路

左側(cè)Vpc_IN由PS2供電，右側(cè)由VCC供電。PS2通電時(shí)，左邊是5V，右邊是4.5V左右，可以滿足機(jī)器的電壓要求，當(dāng)PS2口關(guān)閉時(shí)，機(jī)器可以正常工作。

為了減小PS2的壓降，可以決定采用如下電路：

穩(wěn)壓管和MOS管穩(wěn)壓電路

當(dāng)PS2口上電時(shí)，三管Q412導(dǎo)通，Q411導(dǎo)通，VCC接近Vpc_IN。此時(shí)機(jī)器采用PS2口電壓（5V左右）。當(dāng) PS2 未連接時(shí)，電流無法從機(jī)器流向 PS2 端口。

使用以上參數(shù)測(cè)試記錄：

1最后兩行顯示：MOS二極管內(nèi)部二極管壓降約為0.6V，齊納漏電流可使晶體管導(dǎo)通。PN結(jié)在0.6V左右即可導(dǎo)通。

結(jié)論：輸入電壓在3.3V，三極管導(dǎo)通，說明R436阻值太大，需要減小。齊納漏電流隨著輸入電壓的增加而增加，但當(dāng)兩端電壓達(dá)到3.9V時(shí)，電流應(yīng)超過1mA。

為了保證輸入電壓在5V左右能穩(wěn)定下來，必須加大電流，減小電阻，當(dāng)輸入電壓低于4.7V時(shí)，必須關(guān)斷三極管。

參數(shù)記錄表格

最后兩行顯示：滿足PS2輸入電壓在［4.6-5V］達(dá)到穩(wěn)壓的效果。再將大鍵盤與機(jī)器相連，當(dāng)機(jī)器斷電時(shí)，鍵盤可以正常工作。電動(dòng)工具工作時(shí)也能正常工作。

檢測(cè)到的問題：質(zhì)量測(cè)試表明終端不能關(guān)機(jī)。發(fā)現(xiàn)終端斷電后，Vpc_In處仍有電壓。VCC （4.84V） 通過 Q411，在 Vpc_In 產(chǎn)生 4.8V 的電壓。而D405的壓降為0.3V左右。當(dāng)Vpc_IN突然斷電時(shí)，電源VCC在斷電的瞬間，三極管導(dǎo)通，所有的VCC都會(huì)灌入端子，三極管一直導(dǎo)通。

PS2供電電壓的范圍不容易確定。即當(dāng)端電壓較大時(shí)，電路為正向?qū)āＭ瑫r(shí)，Vpc_IN電壓必須小于一定值，以防止晶體管Q412導(dǎo)通。

例如：IRF530特點(diǎn)： 一般VGS取12-15V，正負(fù)20V間浮動(dòng)。

穩(wěn)壓管和MOS管穩(wěn)壓電路

但上面是錯(cuò)誤的，因?yàn)閂gs 太小。

對(duì)于單片機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)高壓MOS（飽和導(dǎo)通狀態(tài)下VGS接近10V），需要考慮以下問題：

電平轉(zhuǎn)換：高電平單片機(jī)輸出不超過5V，一般12-15V，所以驅(qū)動(dòng)電路必須具備電平轉(zhuǎn)換能力。

相位轉(zhuǎn)換：上面說的MOS是作為逆變器，所以根據(jù)負(fù)載的相位和單片機(jī)輸出進(jìn)行相位轉(zhuǎn)換。如要求MOS輸出MOS導(dǎo)通，則要求驅(qū)動(dòng)電路同相。

開關(guān)頻率：不同的驅(qū)動(dòng)電路有不同的頻率響應(yīng)，對(duì)于高達(dá)1.5M的開關(guān)頻率，用簡(jiǎn)單的三極管簡(jiǎn)單的自騎電路很難滿足要求，基本需要選擇專用的驅(qū)動(dòng)IC。還有，一般的光耦是不能工作在開關(guān)態(tài)以上幾十K的頻率的，如果要隔離，6N137好一些，有專門帶光隔離和驅(qū)動(dòng)光耦的，1.5M還是達(dá)不到。

驅(qū)動(dòng)電流：MOS雖然靜態(tài)時(shí)不消耗驅(qū)動(dòng)功率，但輸入是容性的。為了盡快導(dǎo)通開關(guān)，降低開關(guān)損耗，需要以最快的速度給Cgs充電，所以驅(qū)動(dòng)電路有一個(gè)很重要的參數(shù)Peak drive current，如200MA，600MA，1A， 2A、4A、6A。

驅(qū)動(dòng)電路的工作電壓：一般最大VGS不能超過20V，所以驅(qū)動(dòng)電路的工作電壓也不要超過18V，上面的電路需要加15V的電壓，當(dāng)然可以從 40V 降壓。

DV/DT問題：電磁干擾會(huì)增加，因?yàn)镸OS在高DV/DT下容易損壞。為了解決這些問題，有時(shí)需要增加驅(qū)動(dòng)電路輸出的上升/下降時(shí)間。一種簡(jiǎn)單的方法是在驅(qū)動(dòng)器輸出和 G 極之間添加一個(gè)小電阻。

四、信號(hào)電平轉(zhuǎn)換

1、改進(jìn)電路的基本晶體管開關(guān)

有時(shí)，我們?cè)O(shè)置的低電平可能無法使晶體管關(guān)斷，尤其是當(dāng)輸入電平接近 0.6 V 時(shí)。為了克服這個(gè)臨界條件，必須采取糾正措施以確保晶體管必須關(guān)閉。下圖給出了針對(duì)這兩種情況設(shè)計(jì)的改進(jìn)電路。

保證三極管開關(guān)動(dòng)作，正確的二次修改電路

上圖左邊的電路：在基極和發(fā)射極之間串聯(lián)了一個(gè)二極管，使使基極電流導(dǎo)通的輸入電壓值升高 0.6 V，這樣即使 Vin 的值接近由于信號(hào)源故障值0.6V，晶體管不會(huì)導(dǎo)通，因此開關(guān)仍可處于關(guān)斷狀態(tài)。

上圖右邊的電路：包含一個(gè)次級(jí)釋抑電阻 R2，該電阻設(shè)計(jì)有適當(dāng)?shù)?R1、R2 和 Vin 值，以確保開關(guān)在臨界輸入電壓下關(guān)斷。如上圖所示，R1和R2在基極發(fā)射結(jié)未導(dǎo)通（IB0）之前構(gòu)成串聯(lián)分壓電路，因此R1必須通過一個(gè)固定（隨Vin變化）的電壓。并且基極電壓必須低于Vin值。即使 Vin 接近閾值（Vin = 0.6 伏），基極電壓仍會(huì)被連接到負(fù)電源的輔助關(guān)斷電阻拉低至 0.6 伏以下。由于 R1、R2 和 VBB 值的精心設(shè)計(jì)，只要 Vin 處于高范圍內(nèi)，基極仍將有足夠的電壓開啟晶體管，而不受輔助關(guān)斷電阻的影響。

2、加速電容

1）在加速電容上并聯(lián)了一個(gè)RB電阻

在需要快速開關(guān)動(dòng)作的應(yīng)用中，必須提高三極管開關(guān)的開關(guān)速度。下圖是一種常見的方法，這種方法只是在加速電容上并聯(lián)了一個(gè)RB電阻，所以當(dāng)Vin從零電壓上升并開始向基極送電流時(shí)，電容不能瞬時(shí)充電，所以同樣短路 但是，此時(shí)有瞬時(shí)大電流從電容流向基極，從而加快了開關(guān)管的導(dǎo)通。后來一直到充電完成，電容就跟開路一樣，不影響三極管的正常工作。

帶加速電容的電路

一旦輸入電壓從高電平下降到零電壓電平，電容在極短的時(shí)間內(nèi)將基極發(fā)射結(jié)變?yōu)榉聪蚱珘?，由于電容左端的作用，?dǎo)致三極管開關(guān)迅速關(guān)斷充電到正電壓，所以在輸入電壓下降的瞬間，電容兩端的電壓不會(huì)瞬間改變，會(huì)保持在一個(gè)固定值，所以輸入電壓立即下降使基極電壓下降，使基極發(fā)射結(jié)變?yōu)榉聪蚱珘海杆訇P(guān)斷三極管。正確選擇加速電容可將三極管開關(guān)的開關(guān)時(shí)間縮短到幾個(gè)微秒以下，而大多數(shù)加速電容都在數(shù)百個(gè)PF的順序上。

2）與小信號(hào)放大電路很接近，只是少了一個(gè)輸出耦合電容。

有時(shí)三極管開關(guān)的負(fù)載不是直接加在集電極和電源之間，而是下圖所示的接法。這種接法與小信號(hào)放大電路很接近，只是少了一個(gè)輸出耦合電容。這種連接與正常連接正好相反。當(dāng)晶體管關(guān)閉時(shí)，負(fù)載被啟用。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載被切斷。這兩種電路的形式很常見，我們必須要有明確的解析能力。

將負(fù)載連接到晶體管電路的改進(jìn)電路

晶體管開關(guān)最常見的應(yīng)用之一是驅(qū)動(dòng)指示燈，它可以指示電路特定點(diǎn)的工作狀況，電機(jī)的控制器是否通電，或者某個(gè)限位開關(guān)是否通過或數(shù)字電路是否通電。處于高狀態(tài)。

3）使用晶體管開關(guān)的數(shù)字觸發(fā)器的輸出狀態(tài)

下圖顯示了使用晶體管開關(guān)的數(shù)字觸發(fā)器的輸出狀態(tài)。如果觸發(fā)器輸出為高電平（一般為5伏），晶體管開關(guān)導(dǎo)通，留下指示燈，所以操作者只要看一下燈，就可以知道觸發(fā)器當(dāng)前的工作情況，而不需要用儀表檢測(cè)。

使用晶體管開關(guān)的數(shù)字觸發(fā)器

有時(shí)信號(hào)源（如觸發(fā)器）輸出電流容量太小，不足以驅(qū)動(dòng)晶體管開關(guān)，此時(shí)為避免信號(hào)源過載而誤動(dòng)作，必須采用下圖所示的改進(jìn)電路，當(dāng)輸出為高電平時(shí)，先驅(qū)動(dòng)發(fā)射極用三極管Q1做電流放大，然后Q2導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)燈，因?yàn)榘l(fā)射極與輸入級(jí)的輸入阻抗相當(dāng)高，所以觸發(fā)器應(yīng)提供少量的輸入電流，即可得到滿意的工作。

使用晶體管開關(guān)的數(shù)字觸發(fā)器改進(jìn)后的電路

分析：如果FREOF高5V，輸出FREOUT應(yīng)該是1.3K Hz左右的方波，

波形如下： C39左邊和C41右邊是1.3K左右的方波，一高一低。

關(guān)于 RC 充放電實(shí)驗(yàn)：

下圖中，當(dāng)輸入 1Hz 方波信號(hào)時(shí)，波形 C3 左邊的截取如下。充滿電大約需要 4ms。理論計(jì)算：充放電同理。首先計(jì)算充放電常數(shù) TC=RC，單位為歐姆和 F。

下面的電路 TC=1K*1uf=1ms 3TC 通常可以達(dá)到 0.95E，而 4.75V，所以 3ms 可以達(dá)到4.75V，與波形一致。

RC 充放電實(shí)驗(yàn)

下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的控制電路：當(dāng)KSEL為高電平時(shí)，KCLK1和KCLK0通過，KDAT1和KDAT0通過。

簡(jiǎn)單的控制電路

審核編輯 ：李倩