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射頻領域,90nm GaN 前景可期

Qorvo半導體 ? 來源:未知 ? 2022-11-16 19:35 ? 次閱讀
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長期以來,Qorvo 一直是半導體行業(yè)的領導者,是全球公認的創(chuàng)新先鋒。


2015 年,Qorvo 率先發(fā)布了 150nm GaN 節(jié)點(業(yè)界第一款),并在過去 7 年里成為 20-40 Ghz 頻率范圍的技術領導者。在把工藝往 90nm 推進之后,Qorvo 將能夠支持 Ka 頻段以上的應用。在某些情況下,還可以通過高速節(jié)點提高 Ka 頻段及 Ka 以下頻段應用的性能。


根據規(guī)劃,先進節(jié)點的GaN能夠用于多個領域的應用,包括雷達、通信以及通過 W 頻段(基本上達到 100 GHz)實現(xiàn)某些目的。其中很多應用以現(xiàn)有的 GaN 節(jié)點是無法妥善解決的。類似頻率范圍的商業(yè)應用也是如此。


Qorvo 在提供 5G 和其他商用產品方面堪稱領軍者,開發(fā)這些產品需要對當今的市場需求以及滿足這些需求所需的先進 GaN 節(jié)點和先進互連系統(tǒng)有敏銳的了解。作為一個領先的商業(yè)供應商,Qorvo 在利用晶圓數量來推動制造流程控制、促進工藝和可靠性成熟度以及降低整個 DIB 的成本方面,具有獨特的優(yōu)勢。





與硅 (Si) 或砷化鎵 (GaAs) 相比,90nm GaN 節(jié)點晶體管支持更高的速度、更大的射頻范圍、更高的溫度穩(wěn)健性、高功率穩(wěn)健性、更小的尺寸以及更優(yōu)的能效。與 GaAs 和硅相比,GaN 還可以在更高的電壓電平下工作。這意味著它可以達到遠高于 GaAs 或硅晶體管的功率水平。GaN 技術實現(xiàn)的更高功率水平讓每個通道都有更高的功率,使天線陣列能夠用更少的有源元件產生所需的輻射輸出功率,從而使陣列尺寸更小,在系統(tǒng)的其他方面也可以節(jié)約成本。


過去幾年里,圍繞 90nm GaN 節(jié)點進行了廣泛的研發(fā)論證。在商業(yè)應用中,幾十年來,該行業(yè)的帶寬需求一直在擴大,越來越多的數據以更高的速率傳輸。隨著帶寬的增加,對更高頻率的需求也在增加。GaN 使開發(fā)者能夠滿足這些不斷增長的需求。


從新興市場的角度來看,5G 和即將到來的 6G 預計將繼續(xù)推動 GaN 應用和創(chuàng)新的發(fā)展,部分原因是它們的高功率和高頻率需求。我們今天所熟悉的大部分通信都是建立在 GaN 等技術的基礎上。GaN 產品可提供所需的無線和有線通信,幫助我們實現(xiàn)衛(wèi)星、電纜、雷達和蜂窩骨干網,滿足我們的高數據速率需求。它還提供了運行物聯(lián)網、即將面市的自動駕駛車輛以及航空應用所需的基礎設施。


由此可見,GaN 射頻的前景愈加光明。




原文標題:射頻領域,90nm GaN 前景可期

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