隨著設備中進程節(jié)點的逐年減少，存儲和內(nèi)存市場已開始實施新技術，以在更小的占用空間內(nèi)滿足更高的內(nèi)存容量，目標是實現(xiàn)更低的每比特數(shù)據(jù)成本。

DRAM縮放過程使設備能夠跟上半導體區(qū)域內(nèi)更快的速度和每平方毫米增加的內(nèi)存。該過程需要最小化電路，以便數(shù)十億個存儲單元可以安裝在一美分大小的芯片上。一家處于這一推動力的最前沿的公司是美光科技，他們最近采用了光刻和納米制造技術，使他們能夠實現(xiàn)1β節(jié)點DRAM。

美光科技的1β（1-beta）DRAM技術作為先進的DRAM技術節(jié)點處于量產(chǎn)階段。1β 以公司之前的 1α （1-alpha） 為基礎，旨在為實時、安全關鍵型應用提供高性能 DRAM 中的低功耗和低延遲，電源效率提高 15%，位密度提高 35%，每芯片容量高達 16Gb。

1β采用下一代工藝技術，具有低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X（LPDDR5X）移動存儲器，速度提高到每秒8.5千兆位（Gb）。

隨著認證樣品現(xiàn)在交付給數(shù)量有限的智能手機制造商和芯片組合作伙伴，1-beta DRAM將使智能手機等具有更快，更可靠下載速度的移動設備以及其他數(shù)據(jù)密集型5G和AI應用受益。

該公司的LPDDR5X采用1β技術，旨在改善智能手機用例，例如相機啟動，夜間模式，人像模式和專業(yè)模式攝影，無抖動，高分辨率4K視頻錄制和手機內(nèi)視頻編輯。

美光技術和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“我們的 1-beta DRAM 的推出標志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍，這得益于我們專有的多圖案光刻技術與領先的工藝技術和先進材料能力相結合?！霸谔峁┦澜缟献钕冗M的DRAM時，每個內(nèi)存晶圓的位數(shù)比以往任何時候都多，該節(jié)點為引入從邊緣到云的新一代智能，數(shù)據(jù)豐富和節(jié)能技術奠定了基礎。

半導體行業(yè)的一些公司已經(jīng)實施了極紫外光等技術來幫助他們縮小設備，但美光科技采用納米制造和光刻技術，使他們能夠在多圖案和沉浸技術中工作，以高精度集成小特征，這是智能手機和物聯(lián)網(wǎng)設備的理想選擇。

美光已獲得投資，并將在其廣島工廠大規(guī)模生產(chǎn)1β上的DRAM。但1β對可持續(xù)發(fā)展充滿希望的未來的影響比對公司本身的影響更大。它能夠實現(xiàn)較低的每比特功耗，有助于減少碳排放和當今現(xiàn)代設備對能量的過度消耗。

據(jù)該公司稱，1β工藝技術的低功耗每比特功耗為智能手機提供了市場上最節(jié)能的內(nèi)存技術，這可能使智能手機制造商易于開發(fā)和部署，并提高電池壽命效率。

此外，基于1β的LPDDR5X采用新的JEDEC增強型動態(tài)電壓和頻率縮放擴展核心（eDVFSC）技術，通過添加eDVFSC，可以將頻率提高一倍至每秒3，200兆比特，有助于節(jié)省功耗和提高能效。

當今的存儲設備別無選擇，只能滿足行業(yè)、這些設備的用戶和全球可持續(xù)發(fā)展目標的需求，這些目標都需要節(jié)能和高帶寬內(nèi)存以及更高的處理速度。

審核編輯：郭婷