【泰凌微TLSR9系列開(kāi)發(fā)套件試用體驗(yàn)】TLSR9 BLE測(cè)試

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TLSR9在手冊(cè)上寫(xiě)是多模的，我這里的應(yīng)用主要是BLE的設(shè)備，現(xiàn)在做一下BLE測(cè)試筆記，官網(wǎng)提供了BLE的測(cè)試Demo，自行下載即可，用Telink_RDS打開(kāi)工程。

下載了BLE demo 里面有幾個(gè)實(shí)例，使用BLE_Sample，設(shè)置為Ac tive進(jìn)行測(cè)試。編譯后下載。

這里看一下官方提供了幾個(gè)應(yīng)用實(shí)例，直接拿來(lái)就可以用的

使用這款芯片如果應(yīng)用與藍(lán)牙鼠標(biāo)鍵盤(pán)或者語(yǔ)音控制器的產(chǎn)品上，應(yīng)該直接改改就可以實(shí)現(xiàn)功能了。
下面是下載后測(cè)試。

使用手機(jī)連接eSample后，板子紅色LED亮起。
這里評(píng)論一下，首先我沒(méi)有找官方FAE進(jìn)行任何支持，只是自己一點(diǎn)一點(diǎn)學(xué)習(xí)，Telink官方的demo代碼整潔度還是ok的，相比其他國(guó)內(nèi)的藍(lán)牙芯片來(lái)說(shuō)，我個(gè)人認(rèn)為還是好一點(diǎn)，其次Telink的demo 批注少且沒(méi)有什么用處的。自學(xué)猜測(cè)有一定基礎(chǔ)的人還是可以明白的。以后如果有項(xiàng)目用的話在深入學(xué)習(xí)一下吧。

attribute_ram_code_ int main (void) //must on ramcode
{
DBG_CHN0_LOW;
blc_pm_select_internal_32k_crystal();
sys_init(DCDC_1P4_DCDC_1P8,VBAT_MAX_VALUE_GREATER_THAN_3V6);
/* detect if MCU is wake_up from deep retention mode */
int deepRetWakeUp = pm_is_MCU_deepRetentionWakeup();//MCU deep retention wakeUp
CCLK_16M_HCLK_16M_PCLK_16M;
rf_drv_ble_init();
gpio_init(!deepRetWakeUp);
if(!deepRetWakeUp){//read flash size
#if (BATT_CHECK_ENABLE)
user_init_battery_power_check();
#endif
blc_readFlashSize_autoConfigCustomFlashSector();
#if (FLASH_FIRMWARE_CHECK_ENABLE)
blt_firmware_completeness_check();
#endif
#if FIRMWARES_SIGNATURE_ENABLE
blt_firmware_signature_check();
#endif
}
/* load customized freq_offset cap value. */
blc_app_loadCustomizedParameters();
if( deepRetWakeUp ){ //MCU wake_up from deepSleep retention mode
user_init_deepRetn ();
}
else{ //MCU power_on or wake_up from deepSleep mode
user_init_normal();
}
irq_enable();
while (1) {
main_loop ();
}
return 0;
}

復(fù)制代碼

附帶一下main函數(shù)的demo。Telink的代碼基本都是這個(gè)風(fēng)格，看著還是很簡(jiǎn)潔的。函數(shù)也是按照應(yīng)為來(lái)寫(xiě)的。有興趣的來(lái)學(xué)一吧。

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