99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一種通用策略減小EDLs厚度d來提升EDLs電容

清新電源 ? 來源:環(huán)材有料 ? 作者:Xin Shi ? 2022-11-15 09:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

研究背景

由于成本低、儲量豐富、離子轉(zhuǎn)移動力學(xué)快等優(yōu)勢,水系鋅離子雜化電容器(ZHSCs),受到研究者廣泛關(guān)注。然而,碳陰極容量低,導(dǎo)致ZHSCs的能量密度相對較低(< 100 Wh kg-1),使得它們與其他儲能系統(tǒng)相比沒有競爭力。碳材料主要基于雙電層電容存儲機制來吸附離子,根據(jù)公式Cdl=eS/d(其中,e是電解液介電常數(shù);S是電極/電解質(zhì)接觸面積,與比表面積有關(guān);d是雙電層厚度)可知,可以通過增加碳材料的比表面積來提高電極與電解質(zhì)的接觸面積S,從而提高碳材料的雙電層電容。受現(xiàn)有技術(shù)限制,碳材料的比表面積無法無限增大,增加的比表面積也無法保證全部用于離子存儲。有鑒于此,中山大學(xué)盧錫洪等團隊開發(fā)了一種通用的策略減小EDLs厚度d來提升EDLs電容,即利用-NH2官能團增加碳材料表面電荷密度,同時-NH2上的孤電子對可以與Zn2+發(fā)生強相互作用,從而有效壓縮了EDLs厚度,顯著提升了鋅離子的存儲容量。相關(guān)成果發(fā)表在國際期刊Angewandte Chemie International Edition上。

圖文導(dǎo)讀

碳材料的制備與微觀結(jié)構(gòu)

首先,以納米ZnO為模板、KOH為化學(xué)活化劑,通過高溫煅燒將煤焦油瀝青轉(zhuǎn)化為多孔碳(PC)。之后,在乙二胺溶液中,利用多肽縮合試劑將-NH2官能團嫁接到碳材料表面,得到-NH2基團修飾的多孔碳(APC)。相關(guān)測試表明,APC表面含有多種含氮物種,缺陷程度更高。

8da821dc-647d-11ed-8abf-dac502259ad0.png

碳材料的電化學(xué)性能

電化學(xué)測試表明,APC具有超高的鋅離子存儲容量(255.2 mAh g-1),且展現(xiàn)了優(yōu)異的容量保持率(50000次循環(huán)后,容量保持率為95.5%)和倍率性能,而多孔碳PC容量只有71.1 mAh g-1且?guī)靷愋实停?7.6%)。

8dfeaef8-647d-11ed-8abf-dac502259ad0.png

鋅離子存儲性能提升的內(nèi)在機制

電化學(xué)測試和理論計算表明,鋅離子存儲容量的提升源于-NH2官能團上的孤電子對可以增加碳材料表面電荷密度,同時與Zn2+發(fā)生強相互作用,從而有效壓縮了EDLs厚度。

8e0c86d6-647d-11ed-8abf-dac502259ad0.png

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電解質(zhì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    821

    瀏覽量

    20769
  • 儲能系統(tǒng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    1007

    瀏覽量

    25729
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    聚徽廠家分享通過軟件迭代提升工業(yè)平板電腦性能的策略

    在工業(yè)領(lǐng)域,工業(yè)平板電腦廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)控制、數(shù)據(jù)采集、設(shè)備監(jiān)控等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著使用時間的增加以及業(yè)務(wù)需求的不斷變化,工業(yè)平板電腦可能會出現(xiàn)性能下降的情況。通過軟件迭代提升其性能,是一種相對低成本且高效的設(shè)備升級
    的頭像 發(fā)表于 07-11 18:13 ?263次閱讀

    淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    TTV 厚度均勻性欠佳。淺切多道切割工藝作為一種創(chuàng)新加工方式,為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了新方向,深入探究其提升機制與參數(shù)優(yōu)化方法
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?102次閱讀
    淺切多道切割工藝對晶圓 TTV <b class='flag-5'>厚度</b>均勻性的<b class='flag-5'>提升</b>機制與參數(shù)優(yōu)化

    基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

    的振動產(chǎn)生機制,提出有效的控制策略提升厚度均勻性,對推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義深遠。 二、多物理場耦合對晶圓切割振動及厚度均勻性的影響 2.1 熱 - 力場耦合作用
    的頭像 發(fā)表于 07-07 09:43 ?152次閱讀
    基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與<b class='flag-5'>厚度</b>均勻性<b class='flag-5'>提升</b>

    等效柵氧厚度的微縮

    為了有效抑制短溝道效應(yīng),提高柵控能力,隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低,就需要相對應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容個辦法是通過降低柵氧化層的厚度
    的頭像 發(fā)表于 05-26 10:02 ?314次閱讀
    等效柵氧<b class='flag-5'>厚度</b>的微縮

    貼片電容代理-電容厚度電容量關(guān)系

    和中間介質(zhì)層構(gòu)成,其電容量計算公式為? C=ε×S/d 。其中,ε代表介質(zhì)材料的相對介電常數(shù),S為電極有效面積,d為介質(zhì)層厚度。該公式表明,電容
    的頭像 發(fā)表于 04-18 14:41 ?306次閱讀
    貼片<b class='flag-5'>電容</b>代理-<b class='flag-5'>電容</b><b class='flag-5'>厚度</b>與<b class='flag-5'>電容</b>量關(guān)系

    一種基于矢量控制的無位置傳感器永磁同步電機調(diào)速系統(tǒng)的研究

    .文章來源于網(wǎng)絡(luò),純分享帖,需要者可自行點擊附件下載獲取完整版?。。。ㄈ缬猩婕扒謾?quán),請聯(lián)系刪除?。?附件:一種基于矢量控制的無位置傳感器永磁同步電機調(diào)速系統(tǒng)的研究.pdf
    發(fā)表于 03-28 13:58

    一種新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜

    來自斯坦福大學(xué)和韓國Ajou大學(xué)的科學(xué)家們在《Science》雜志上發(fā)表了項開創(chuàng)性的研究成果。他們發(fā)現(xiàn)了一種新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜,其電阻率隨著薄膜厚度減小而顯著降低,這
    的頭像 發(fā)表于 02-07 10:08 ?662次閱讀
    <b class='flag-5'>一種</b>新型的非晶態(tài)NbP半金屬薄膜

    如何查看風(fēng)華貼片電容厚度?

    厚度的方法,包括規(guī)格書查詢、外觀觀察以及使用測量工具進行精確測量。 、通過規(guī)格書查詢 在購買風(fēng)華貼片電容時,廠家通常會提供詳細的規(guī)格書。規(guī)格書是了解電容各項參數(shù)(包括
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:21 ?690次閱讀
    如何查看風(fēng)華貼片<b class='flag-5'>電容</b>的<b class='flag-5'>厚度</b>?

    一種新的MLCC陶瓷電容用于電路靜電ESD保護的電容容值計算方法

    ▼關(guān)注微信公眾號:硬件那點事兒▼Part 01前言在電路設(shè)計中,靜電防護是不可忽略的關(guān)注因素,MLCC陶瓷電容作為一種低成本的靜電防護手段,應(yīng)用非常廣泛,很多人知道電容能用作靜電防護,但是卻不太清楚
    的頭像 發(fā)表于 11-06 16:17 ?1223次閱讀

    黃色外殼的薄膜電容和安規(guī)X電容是同一種電容嗎?

    黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容,薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì),不需要安規(guī)認證;安規(guī)X
    的頭像 發(fā)表于 10-28 17:27 ?894次閱讀
    黃色外殼的薄膜<b class='flag-5'>電容</b>和安規(guī)X<b class='flag-5'>電容</b>是同<b class='flag-5'>一種</b><b class='flag-5'>電容</b>嗎?

    黃色外殼的薄膜電容和安規(guī)X電容是同一種電容嗎?

    黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容,薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì),不需要安規(guī)認證;安規(guī)X
    的頭像 發(fā)表于 10-28 17:24 ?755次閱讀
    黃色外殼的薄膜<b class='flag-5'>電容</b>和安規(guī)X<b class='flag-5'>電容</b>是同<b class='flag-5'>一種</b><b class='flag-5'>電容</b>嗎?

    薄膜電容厚度

    薄膜電容在電子設(shè)備中重要,由金屬電極和介質(zhì)塑料薄膜材料構(gòu)成,薄膜電容的薄膜厚度影響性能,選購需根據(jù)應(yīng)用場合和參數(shù)挑選的薄膜電容。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:03 ?1028次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>電容</b>的<b class='flag-5'>厚度</b>

    智旭電子 薄膜電容厚度

    薄膜電容在電子設(shè)備中重要,由金屬電極和介質(zhì)塑料薄膜材料構(gòu)成,薄膜電容的薄膜厚度影響性能,選購需根據(jù)應(yīng)用場合和參數(shù)挑選的薄膜電容。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:02 ?462次閱讀

    vdmos器件厚度對電阻的影響

    場效應(yīng)晶體管)器件的厚度對電阻的影響主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 、氧化層厚度對電阻的影響 柵氧化層厚度 : 影響柵電容 :柵氧化層的
    的頭像 發(fā)表于 09-29 09:47 ?846次閱讀

    村田電容 0402封裝尺寸大小和厚度

    ,其尺寸為長1.00mm(或略有差異,如0.4mm,但通常1.00mm更為常見)×寬0.50mm(或0.2mm,但需注意這可能是另一種表述或測量方式下的結(jié)果)。需要注意的是,不同來源的信息在尺寸上可能存在細微差異,這可能是由于測量精度、標準不同或產(chǎn)品系列差異所致。 二、厚度
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:23 ?4133次閱讀