激光雷達(dá)（LiDAR）廣泛應(yīng)用于航天器導(dǎo)航、安防監(jiān)控、3D測(cè)繪、自動(dòng)駕駛汽車、軍事裝備及機(jī)器人等領(lǐng)域，具有重要的軍事和民用價(jià)值。雪崩光電二極管（APD）陣列探測(cè)技術(shù)在激光雷達(dá)的發(fā)展過(guò)程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，西南技術(shù)物理研究所的研究人員在《激光技術(shù)》期刊上發(fā)表了題為“APD陣列及其成像激光雷達(dá)系統(tǒng)的研究進(jìn)展”的最新論文，首先介紹了激光雷達(dá)和APD陣列的應(yīng)用背景，其次綜述了APD陣列和激光雷達(dá)系統(tǒng)的發(fā)展歷程和最新進(jìn)展，最后總結(jié)了APD陣列探測(cè)技術(shù)的發(fā)展前景和研究趨勢(shì)。

APD陣列國(guó)外研究現(xiàn)狀

APD探測(cè)器根據(jù)探測(cè)器的規(guī)模經(jīng)歷了單元、線列、小面陣到大面陣探測(cè)的發(fā)展歷程，受限于單元探測(cè)器的面積，其應(yīng)用存在諸多限制，但隨著壓縮感知理論的成熟和圖像處理算法的研究，單元探測(cè)技術(shù)仍然有應(yīng)用發(fā)展空間。APD線列、陣列探測(cè)器是目前激光雷達(dá)用探測(cè)器的主流發(fā)展方向之一，其主要由APD探測(cè)器件陣列和讀出電路（ROIC）兩部分構(gòu)成。外界環(huán)境噪聲的影響、APD陣列探測(cè)器像素單元的一致性、ROIC通道間的串?dāng)_是影響其性能和規(guī)模的關(guān)鍵因素。

線性模式APD陣列研究現(xiàn)狀

美國(guó)先進(jìn)科學(xué)概念公司（ASC）基于線性模式的雪崩光電二極管陣列研制了TigerEYE和DragonEYE閃光激光雷達(dá)。

2012年，美國(guó)雷神公司為各種應(yīng)用開發(fā)了一系列高性能的脈沖激光雷達(dá)雪崩光電二極管陣列，如圖1所示，汞鎘汞紅外雪崩光電二極管陣列的尺寸包括32×2、10×10、2×128、64×48、4×256 和256×256。美國(guó)國(guó)家航空航天局自主精確著陸和危險(xiǎn)探測(cè)回避技術(shù)項(xiàng)目所使用的雪崩探測(cè)器陣列是256×256雪崩探測(cè)器陣列，具有70%的量子效率。

圖1 線性模式雪崩光電二極管陣列

2014年，美國(guó)DRS公司設(shè)計(jì)并制作了基于高密度垂直集成結(jié)構(gòu)的2×8線性模式HgCdTe APD陣列。該陣列可以探測(cè)從可見光到中頻中波紅外（MWIR）的光子。此外，還設(shè)計(jì)了用于近紅外門控主動(dòng)/被動(dòng)成像的128×128中波HgCdTeAPD陣列。該陣列的探測(cè)距離可達(dá)9公里，獲得了小于10光子的靈敏度。用CEA/LETI研制了一臺(tái)三維脈沖激光雷達(dá)，陣列長(zhǎng)度為320×256，間距為30μm。能夠存儲(chǔ)每個(gè)像素中一個(gè)激光脈沖的TOF和強(qiáng)度。APD陣列在6V的低反向偏置電壓下，獲得了23的平均增益。探測(cè)距離超過(guò)40m，距離分辨率約為15cm。從三維視頻中提取的距離圖像如圖2所示。

圖2 距離圖像序列

2019年，美國(guó)宇航局的孫曉麗、克雷蒙斯等人開發(fā)了一套線性模式單光計(jì)數(shù)HgCdTe APD焦平面陣列， HgCdTe APD陣列使用高密度垂直集成光電二極管架構(gòu)，如圖3所示。集成探測(cè)器（含制冷器）組件的質(zhì)量為0.8kg，功耗7W左右，2×8像素HgCdTe APD FPA的尺寸為64μm×64μm，像素間距為 64μm，具有0.9~4.3μm波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)，在250kHz的暗計(jì)數(shù)率下，光子探測(cè)效率高達(dá)70%，時(shí)間抖動(dòng)<0.5ns。

圖3HgCdTe APD的像素示意圖

2020年，美國(guó)宇航局蘭利研究中心的普拉薩德、納拉辛哈等人開發(fā)出一種創(chuàng)新的、非致冷的光子傳感集成電路（PSIC）異質(zhì)結(jié)光晶體管（HPT）器件。圖4展示了FPA的規(guī)格和集成的樣品，這種基于InGaAs的PSIC HPT設(shè)備是一種室溫檢測(cè)器和成像器，具有320×256規(guī)模和30μm尺寸的像素，并在0.9~1.7μm的短波紅外（SWIR）光譜區(qū)域工作。

圖4 焦平面探測(cè)器規(guī)格和集成的樣品

2021年，美國(guó)宇航局的孫曉麗、克雷蒙斯、丹尼爾等人開發(fā)了一種新型太空激光雷達(dá)；它使用了2×8線性模式光子計(jì)數(shù)的HgCdTe雪崩光電二極管（APD）焦平面陣列探測(cè)器如圖5所示，提供了0.9~4.3μm波長(zhǎng)的近量子限制的接收器靈敏度。通過(guò)調(diào)整激光功率和APD增益，可以提供六個(gè)數(shù)量級(jí)的動(dòng)態(tài)范圍，能夠測(cè)量從數(shù)百公里到目標(biāo)表面附近的范圍和表面反射率。

蓋革模式APD陣列研究現(xiàn)狀

蓋革APD陣列可實(shí)現(xiàn)單光子探測(cè)的靈敏度，具有高的時(shí)間分辨率和距離分辨率，較高的探測(cè)效率，較低的功耗，體積小，增益高等特點(diǎn)，可以滿足遠(yuǎn)距離高分辨率三維成像激光雷達(dá)的應(yīng)用需求。

1998-2003年林肯實(shí)驗(yàn)室采用混合集成技術(shù)連續(xù)研制了GEN-I、GEN-II、GENIⅡ激光雷達(dá)。如圖6所示，GEN-III將32×32 APD陣列和32×32 CMOS計(jì)時(shí)電路陣列混合集成。2010年，該實(shí)驗(yàn)室采用32×128的InP/InGaAsP蓋革APD陣列研制出機(jī)載三維成像激光雷達(dá)，能夠全天時(shí)在3km高空對(duì)地面進(jìn)行2000km2/h的快速三維成像，距離精度為0.3m。2015年，該實(shí)驗(yàn)室研究出近紅外波段響應(yīng)性能更佳的256像元×256像元InP/InGaAs-APD陣列。

圖6 混合集成APD/CMOS器件的顯微照片

2014年，瑞士洛桑聯(lián)邦理工大學(xué)報(bào)道了一種基于0.18μm CMOS工藝的202像元×96像元SPAD陣列片上系統(tǒng)（SOC）探測(cè)器。在強(qiáng)太陽(yáng)背景光下以10幀/秒的速度在100米范圍內(nèi)獲得了實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確的距離圖像，分辨率為202像素×96像素。圖7左展示了它的系統(tǒng)芯片架構(gòu)，圖7中為探測(cè)器的芯片照片，圖7右最上面部分為顏色編碼TOF距離成像，中間部分為信號(hào)穩(wěn)定性測(cè)量結(jié)果，最下面為攝像頭拍出的照片，可以清晰辨別出圖中的人物和車子。

圖7 SOC探測(cè)器

2019年，英國(guó)的愛丁堡大學(xué)的山姆·哈欽斯等人報(bào)道了一種集成在三維疊層90nm 1P4M/40nm 1P8M工藝中的256×256單光子雪崩二極管（SPAD）傳感器，如圖8所示，用于LiDAR或高速直接TOF三維成像。傳感器底層由64×64個(gè)間距為36.72μm的模塊化光子處理單元組成，這些單元由共享的4×4個(gè)SPAD以9.18μm的間距和51%的填充系數(shù)運(yùn)行。

圖8 陣列照片

2020年，美國(guó)Acqubit的袁平等人開發(fā)了一種具有襯底去除結(jié)構(gòu)的GaAs基InGaP雪崩光電二極管，制作了32Gm×32Gm APD陣列，并與ROIC進(jìn)行了集成，芯片尺寸約為3.75mm×3.75mm，比顯微鏡的正常視場(chǎng)（FOV）大。在室溫下，在50μm器件上測(cè)得的暗電流小于10pA。在532nm處，AR涂層器件的外部量子效率約為54%。圖9展示了它的焦平面圖片。

圖9 32×32陣列和焦平面

2022年，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院工程學(xué)院的趙久軒等人提出了一種基于標(biāo)準(zhǔn) 55nm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) 技術(shù)的模擬硅光電倍增管（SiPM），并且將SiPM集成到帶有時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)（TCSPC）模塊的同軸LiDAR系統(tǒng)中。SiPM由16×16 SPAD組成，尺寸為0.29mm×0.32mm。每個(gè)SPAD單元由一個(gè)3.3V的單片集成MOS管被動(dòng)熄滅，在5V偏置電壓下測(cè)得的增益為 3.4×10?。在3.3V偏置電壓下，單光子計(jì)時(shí)分辨率為185ps，多光子計(jì)時(shí)分辨率為120ps。在室內(nèi)環(huán)境光條件下，25m距離測(cè)量時(shí)的精度為2cm和2mm。如圖10所示，在同軸掃描的情況下，128×256和256×512分辨率的復(fù)雜場(chǎng)景的強(qiáng)度和深度圖像。

圖10 SiPM陣列圖和深度強(qiáng)度圖像

APD陣列國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀

線性APD陣列研究現(xiàn)狀

2016年，南京大學(xué)開發(fā)了一種新型的激光雷達(dá)系統(tǒng)，該系統(tǒng)使用4個(gè)線性模式APD探測(cè)器。利用調(diào)制和多路復(fù)用技術(shù)，僅利用1×4個(gè)線性模式APD探即可實(shí)現(xiàn)每幀256個(gè)像素的檢測(cè)，脈沖激光閃光激光雷達(dá)的橫向分辨率約為15cm，測(cè)距精度約為4cm。

2018年，中國(guó)西南技術(shù)物理研究所研制了一種64×64線性模式InGaAs/InP 雪崩光電二極管陣列 ，與專用CMOS集成電路通過(guò)In柱倒裝互聯(lián)工藝混合集成的方式形成了LMAPD-FPA器件。該陣列的最小探測(cè)功率為400nW，讀出電路的時(shí)間分辨率為1ns。脈沖激光波長(zhǎng)為1064nm，脈寬為5ns，單脈沖能量為100mJ，重復(fù)頻率為20Hz。檢測(cè)范圍為1公里，精度為15厘米。

2018年，北京理工大學(xué)提出了一種受復(fù)眼和人眼啟發(fā)的新型脈沖激光三維成像系統(tǒng)如圖11所示。接收光學(xué)系統(tǒng)由18×30個(gè)微透鏡組成，分布在曲面上，模擬復(fù)眼的大視場(chǎng)特征，整個(gè)視場(chǎng)達(dá)到52°。

圖11 北京理工大學(xué)研制的脈沖激光閃光激光雷達(dá)原理圖

2020年，重慶光電技術(shù)研究所設(shè)計(jì)了128×2線性模式硅基雪崩光電二極管陣列。讀出電路采用單片集成技術(shù)，將前置放大電路、TDC計(jì)時(shí)電路和ADC等功能模塊集成在單一硅片上。整個(gè)線性模式APD焦平面探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)128×2 陣列規(guī)模的激光信號(hào)并行檢測(cè)。最小時(shí)間分辨率可達(dá)0.25ns，APD焦平面探測(cè)器的非均勻性為7%，串?dāng)_為0.15%。

蓋革模式APD陣列研究現(xiàn)狀

2016年，哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制的閃光激光雷達(dá)采用第四十四研究所研制出的 32像元×32像元的InGaAsGm-APD焦平 面 探 測(cè) 器。脈沖激光波長(zhǎng)為1570nm，脈沖能量為2mJ，脈沖寬度小于10ns。測(cè)量范圍距離可達(dá)3.9公里，幀速率為1kHz。

2019年，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所研制了一種基于64×64 InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管陣列的閃光激光雷達(dá)，其波長(zhǎng)為1064nm，讀出電路的時(shí)間分辨率為2ns。實(shí)現(xiàn)了對(duì)大約300米外的目標(biāo)進(jìn)行成像。

目前國(guó)內(nèi)對(duì)于SiPM器件的研究報(bào)道比較少，2018年，華中科技大學(xué)張璽等人基于0.18μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的研制了SiPM器件；2020年，北京師范大學(xué)新器件實(shí)驗(yàn)室成功研制出微單元尺寸為15μm、有效面積為9mm2的外延電阻淬滅型硅光電倍增器。

總之，國(guó)外對(duì)激光雷達(dá)的研究較早，在探測(cè)器技術(shù)方面有較多的技術(shù)儲(chǔ)備，目前研究的方向主要是提高探測(cè)器規(guī)模和成像性能，并實(shí)現(xiàn)大面陣，小型化、多波段、高幀頻及低功耗。在探測(cè)器技術(shù)研究方面，國(guó)內(nèi)與國(guó)外仍然存在著一定的差距，由于大規(guī)模的APD陣列探測(cè)器對(duì)各方面技術(shù)的要求高，在制作上更難實(shí)現(xiàn)，特別是由于半導(dǎo)體工藝的限制以及國(guó)外的技術(shù)封鎖，國(guó)內(nèi)研究單位多集中于線列和小面陣探測(cè)的階段，需要進(jìn)一步推進(jìn)大面陣APD陣列探測(cè)器研制，提高激光雷達(dá)的集成性，實(shí)現(xiàn)快速三維成像。

總結(jié)

隨著激光器和探測(cè)器技術(shù)的不斷發(fā)展，成像激光雷達(dá)逐漸從小面陣掃描和線陣推掃式及面陣閃光成像發(fā)展，成像速度越來(lái)越快；隨著光電探測(cè)技術(shù)的成熟，探測(cè)靈敏度越來(lái)越高，使得激光雷達(dá)的體積、重量、功率進(jìn)一步減小；這就要求探測(cè)器技術(shù)朝著增大陣列規(guī)模，減小像元間距，提高多功能集成度，豐富探測(cè)波段，超低功耗的方向發(fā)展。因?yàn)榧す馊菀资艿酱髿鉅顩r的干擾，現(xiàn)代探測(cè)技術(shù)的發(fā)展趨向于多種傳感器的融合探測(cè)獲取更豐富的目標(biāo)信息，三維成像趨向于主動(dòng)多回波探測(cè)和被動(dòng)成像相結(jié)合。

審核編輯：郭婷