金譽半導體：MOS管耗盡型和增強型是什么意思？

昨天我們了解的MOS管（場效應管）的結構組成，以及各結構名字的功能運用，今天金譽半導體再帶大家深入的了解一下MOS管的種類以及相關基礎知識。

首先，MOS管分為結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型，見下圖：

而它倆的不同之處在于：結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。那什么是增強型，什么是耗盡型？

耗盡型：即在0柵偏壓時就能夠導電的器件，就是說耗盡型MOS管在G端( Gate )不加電壓時就有導電溝道存在。

增強型：即在0柵偏壓時是不導電的器件，只有當柵極電壓的大于其閾值電壓時才能出現(xiàn)導電溝道的場效應晶體管，也就是說增強型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導電溝道。

因此可以看出，它們的工作原理是不同的：

耗盡型：當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。即：耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負電壓控制導通。

增強型：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。即：增強型MOS管必須使得VGS>VGS (th) (柵極閾值電壓)能導通。

另外，增強型和耗盡型MOS管在結構上也是不同的

耗盡型：場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。

增強型：增強型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在柵電壓為0時溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓 (必須小于0.5V) 時才產(chǎn)生溝道而導電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。

在實際運用中，由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，當VGS=0時，這些正離子產(chǎn)生的電場能在P型襯底中感應出足夠的電子，形成N型導電溝道；當VGS>0時，將產(chǎn)生較大的ID (漏極電流)；如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。