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一種微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)

電子萬(wàn)花筒 ? 來(lái)源:電子萬(wàn)花筒 ? 作者:電子萬(wàn)花筒 ? 2022-09-20 10:40 ? 次閱讀
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摘 要:

針對(duì)基于微波多層介質(zhì)板的微帶線到帶狀線過(guò)渡問題,提出了一種微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu),通過(guò)地層的圓形開孔完成微帶線與帶狀線橢圓形貼片間的電磁耦合與匹配設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了微波信號(hào)在微波多層介質(zhì)板內(nèi)跨層傳輸。將微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)在三維電磁場(chǎng)仿真軟件中進(jìn)行了建模,并對(duì)背對(duì)背結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真、加工與測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,在 7~13GHz 的頻帶范圍內(nèi)輸入輸出回波損耗小于 -12dB ,插入損耗最小為1.48dB 。該微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)具備了良好的性能,同時(shí)具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、加工方便等特點(diǎn),在微波電路設(shè)計(jì)方面具有較高的實(shí)用價(jià)值。

1 引 言

近年來(lái),隨著雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,子陣化、小型化、多功能逐漸成為了雷達(dá)的重點(diǎn)發(fā)展方向。在這些趨勢(shì)的引領(lǐng)下,微波多層介質(zhì)板技術(shù)在微波電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,大大提高了系統(tǒng)的集成度,實(shí)現(xiàn)了微波電路的小型化、高性能和低成本。

微波多層介質(zhì)板的優(yōu)勢(shì)在于能夠更加靈活的進(jìn)行電路設(shè)計(jì),可以在其內(nèi)部層中設(shè)計(jì)各種無(wú)源器件,同時(shí)其成本要低于 LTCC基材,微波多層介質(zhì)板技術(shù)提高了微波電路的集成度,實(shí)現(xiàn)了微波電路的小型化、低成本。但隨之而來(lái)的是微波電路中傳輸線的走線變得更加復(fù)雜,往往需要各種信號(hào)在不同層之間進(jìn)行傳輸。當(dāng)微波信號(hào)從一種傳輸線形式轉(zhuǎn)換到另一種傳輸線形式或者信號(hào)在不同的層之間傳輸?shù)臅r(shí)候,都需要性能良好的過(guò)渡結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)良好的匹配,否則勢(shì)必造成傳輸特性的惡化,除了能引起信號(hào)的反射,還能激發(fā)出高階模以及產(chǎn)生輻射問題 ,使得信號(hào)傳輸帶來(lái)額外的插入損耗,惡化電路性能,嚴(yán)重的甚至?xí)斐?a href="http://www.socialnewsupdate.com/tags/放大器/" target="_blank">放大器等有源器件的自激振蕩等。因此研究不同傳輸線之間的過(guò)渡結(jié)構(gòu)顯得更加必要。

一般情況下,不同傳輸線之間過(guò)渡的實(shí)現(xiàn)形式主要有兩種:垂直金屬過(guò)孔與電磁耦合,文獻(xiàn)提出了一種采用電磁耦合方式的過(guò)渡結(jié)構(gòu),仿真實(shí)現(xiàn)了微帶線到共面波導(dǎo)的過(guò)渡。文獻(xiàn)提出了一種基于微波多層印制板的3.8~4.8GHz帶通濾波器,其采用垂直金屬過(guò)孔實(shí)現(xiàn)了微帶 線 到 帶 狀 線 的 過(guò) 渡。文 獻(xiàn) 提 出 了 一 種 基 于LTCC基板的微帶到帶狀線的過(guò)渡結(jié)構(gòu),其采用垂直金屬過(guò)孔來(lái)實(shí)現(xiàn)微帶與帶狀線之間的過(guò)渡。不過(guò),采用垂直金屬過(guò)孔來(lái)實(shí)現(xiàn)不同層之間、不同傳輸線之間的過(guò)渡會(huì)存在電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本較高等局限性。

為了設(shè)計(jì)一種基于微波多層介質(zhì)板技術(shù),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、加工方便的微帶線到帶狀線過(guò)渡結(jié)構(gòu)。本文采用基于電磁耦合的設(shè)計(jì)思路,設(shè)計(jì)了一種微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu),在微波多層介質(zhì)板中實(shí)現(xiàn)了7~13GHz的頻帶范圍內(nèi)微帶線到帶狀線的垂直耦合過(guò)渡,并對(duì)微帶線到帶狀線過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真與測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)具備了良好的傳輸特性,對(duì)提高微波電路設(shè)計(jì)靈活性、集成度、小型化具有重要意義。

2 微帶線 - 帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)的原理與設(shè)計(jì)

微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)等效電路原理圖其如圖 1 所示,其可以視為一個(gè)兩個(gè)端口開路的四端口耦合器 。

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圖1微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)等效電路原理

假定第 n ( n =1 , 2 , 3 , 4 )端口的入射信號(hào)與反射信號(hào)分別表示為 an 與 b n ,那么各個(gè)端口的反射信號(hào)可以表示為:

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其中端口3與端口4處于開路狀態(tài),所以其反射系數(shù)為 1 。通過(guò)在第一、二、三地層上開圓形開孔并調(diào)節(jié)各個(gè)尺寸參數(shù)實(shí)現(xiàn)端口1與端口2的阻抗匹配,實(shí)現(xiàn)微帶線 - 帶狀線的電磁耦合垂直過(guò)渡結(jié)構(gòu)。本文設(shè)計(jì)的微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)模型圖如圖2所示。

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圖 2 微帶線 - 帶狀線電磁耦合垂直過(guò)渡結(jié)構(gòu)模型

在圖 2 中,最上層為微帶線部分,其以下各層依次為:第一地層、第二地層、帶狀線部分、第三地層,其中第一地層為微帶線部分的參考接地層,第二地層與第三地層為帶狀線部分的參考接地層。相鄰層之間的部分為 Rogers4350介質(zhì)板。其中微帶線部分如圖 3 所示,其中 W ML 為微帶線的寬度,其阻抗設(shè)置為 50Ω , D MLA1 為橢圓形貼片的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度, D MLB1 為橢圓形貼片的短軸長(zhǎng)度,圖4中所示為第一地層與第二地層部分示意圖,其中 D S1 為第一地層與第二地層圓形開孔的直徑。帶狀線部分如圖5所示,其中 W SL 為帶狀線的寬度,其阻抗設(shè)置為50Ω , D SLA1 為帶狀線部分的橢圓形貼片的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度, D SLB1 為橢圓形貼片的短軸長(zhǎng)度。圖6為第三地層部分示意圖,其中 D S2 為第三地層圓形開孔的直徑。

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圖3 微帶線部分示意圖

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圖 4 第一地層與第二地層部分示意圖

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圖5 帶狀線部分示意圖

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圖 6 第三地層部分示意圖

3 微帶線 - 帶狀線垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)仿真與測(cè)試

圖2中,上層的微帶線部分與帶狀線部分通過(guò)第一地層與第二地層之間的圓形開孔實(shí)現(xiàn)電磁耦合,并通過(guò)調(diào)節(jié)第三地層的圓形開孔大小來(lái)實(shí)現(xiàn)微帶線與帶狀線部分的阻抗匹配。將所述的微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)在三維電磁場(chǎng)仿真軟件中進(jìn)行了建模、仿真分析,如圖7 所示,通過(guò)調(diào)節(jié) W ML 、 W SL 、 D MLA1 、 D MLB1 、 D S1 、 D SLA1 、D SLB1 與 D S2 參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入輸出端口之間良好的阻抗匹配,仿真結(jié)果顯示各個(gè)參數(shù)的值分別設(shè)置為 0.57 mm 、0.59mm 、 2.4mm 、 2mm 、 5.4mm 、 1.5mm 、 1.875mm與5.2mm 。最后將該微波多層介質(zhì)板進(jìn)行了加工制作,最終的微波多層介質(zhì)板的厚度為1.7mm 。

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圖7 背對(duì)背仿真結(jié)構(gòu)示意圖

所述的微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)性能實(shí)測(cè)結(jié)果如圖 8 與圖 9 所示,由以上圖中可以看出本文設(shè)計(jì)的微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)具備了良好的性能,在7~13GHz的頻帶范圍內(nèi)輸入輸出回波損耗小于-12dB ,插入損耗最小為1.48dB 。產(chǎn)品的最終實(shí)物照片如圖10所示。

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圖 8 微帶線 - 帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)輸入輸出回波損耗仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比

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圖 9 微帶線 - 帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)插入損耗仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比

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圖10 微帶線 - 帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)實(shí)物

4 結(jié) 論

本文基于微波多層介質(zhì)板技術(shù),設(shè)計(jì)了一種微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu),并通過(guò)地層的圓形開孔來(lái)實(shí)現(xiàn)微帶線與帶狀線部分良好的阻抗匹配,對(duì)微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡背對(duì)背結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真、加工與測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明本文設(shè)計(jì)的過(guò)渡結(jié)構(gòu)在 7~13GHz 的頻帶范圍具備了良好的傳輸特性,在微波電路設(shè)計(jì)方面具有較高的實(shí)用價(jià)值。(參考文獻(xiàn)略)

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:一種微帶線到帶狀線寬帶垂直耦合過(guò)渡結(jié)構(gòu)

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