項(xiàng)目中由于成本的考慮，對(duì)抗ESD的器件不會(huì)全部選擇TVS，轉(zhuǎn)而用便宜的MLCC電容代替。典型的防靜電電容不過是個(gè)普通的片狀電容，為什么能防ESD呢，原理是什么？

以IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)人體靜電模型（HBM）為例，下圖是靜電發(fā)生器等效模型。Vx是合成電壓，Cx為待測(cè)件DUT（Device under test），Rc為充電電阻，Cd為充電電容，Rd為放電電阻。簡單的工作原理就是：充電開關(guān)1閉合，放電開關(guān)2斷開，高壓電源Vd通過Rc對(duì)Cd充電；充電開關(guān)1斷開，放電開關(guān)2閉合，Cd儲(chǔ)存電荷對(duì)DUT放電。到此可以發(fā)現(xiàn)電容對(duì)抗靜電的原理就是能量的轉(zhuǎn)移，將Cd儲(chǔ)存的能量瞬間轉(zhuǎn)移到放電時(shí)的Cd和Cx上面。

一般而言，對(duì)于電源等速率不高的連接器輸入端通常會(huì)使用Cx=100nF/50V規(guī)格的電容。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn) Cd=150pF，Rd=330Ω，根據(jù)Q=CU，試驗(yàn)等級(jí)8KV時(shí)，我們來驗(yàn)證下容值和額定耐壓值是否符合要求。

1.Cx=100nF

Vx = Cd * Utest /(Cd + Cx)=150pF*8KV/(150pF+100nF)= 11.98V < 50V

2.Vx Rated Power=50V

Cx = Cd * ( Vx - 50 )/ 50=150pF*( 8KV - 50 )/ 50 =22.5nF< 100?nF

Cx，Vx的最小值均不超過Cx=100nF/50V，滿足ESD電容選型要求。對(duì)于更高級(jí)別的ESD放電電壓可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行計(jì)算即可。

編輯：黃飛