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華源智信推出GND散熱的集成氮化鎵芯片HYC3606

電子工程師 ? 來源:華源智信半導體 ? 作者:華源智信半導體 ? 2022-09-07 18:47 ? 次閱讀
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前言

氮化鎵技術在消費類電源領域的大規(guī)模商用,帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性,體積小巧、更加便攜的高密度快充逐漸取代了傳統(tǒng)的傳統(tǒng)板磚式電源適配器,用戶使用體驗得到大幅改善。

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而隨著合封氮化鎵芯片的出現(xiàn),使用一顆芯片就可完成此前需要多顆芯片才能實現(xiàn)的功能,規(guī)避了氮化鎵功率器件在控制、驅動方面的難題,有效簡化了快充電源的設計,降低電源廠商的開發(fā)和生產(chǎn)成本。近期,華源智信就推出了一款合封氮化鎵芯片 HYC3606,下面充電頭網(wǎng)為各位介紹這款新品的亮點特色。 華源智信合封氮化鎵新品登場 華源 HYC3606 內(nèi)部集成了 650V/360mΩ 的氮化鎵功率器件、數(shù)字多模式反激控制器和自適應氮化鎵柵極驅動器,通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關造成的干擾,并減小外部元件數(shù)量,為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

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華源 HYC3606 可選 ESOP8 / DFN5x6 兩種封裝,工作頻率可選 89K / 130K,支持 CCM/DCM/PFM/突發(fā)運行模式,以獲得效率和性能的平衡。芯片可平衡開關損耗和EMI,支持抖頻功能以改善EMI性能。

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華源 HYC3606 采用副邊反饋,滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。芯片支持靜點GND散熱,內(nèi)置有豐富的保護功能,包括LPS, VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、過熱保護、過載保護,輸出過電壓保護。

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華源 HYC3606 典型應用電路如上圖所示,芯片待機功耗小于60mW,具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術,能夠提升高壓輸入的轉換效率??捎糜诔潆娖鳌?a target="_blank">USB PD快充,電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用,提高能效并降低成本。

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華源 HYC3606 目前提供四種選型,開關頻率可選 89kHz 和 130kHz,高線電壓下均為 QR 模式運行,低線電壓下可選 QR 和 CCM/QR 模式運行,封裝可選 ESOP8 和 DFN5x6。

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華源 HYC3606E 參考設計方案在接入 1.5m 線纜,3.3V 輸出的條件下,輸出效率如上表所示。115Vac 輸入時,方案平均效率超 DOE 六級能效標準近2%;230Vac 輸入時,方案平均效率超 DOE 六級能效標準1%。

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華源 HYC3606E 參考設計方案在接入 1.5m 線纜,5V 輸出的條件下動態(tài)測試如上圖所示。115Vac 輸入時,方案動態(tài)欠充最小值為 3.49V;230Vac 輸入時,方案動態(tài)欠充最小值為 3.46V。

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華源 HYC3606E 參考設計方案能效測試如上圖所示,在 20V 輸出下效率最高超 92%,15V 輸出下效率最高超 93%,9V 輸出下效率最高超 92.5%,5V 輸出下效率最高超 91.5%。

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華源 HYC3606E 參考設計方案待機功耗測試如上圖所示,在 90V/60Hz、115V/60Hz、230V/50Hz、264V/50Hz 四種輸入條件下均滿足歐盟 COC V5 能效標準。

總結 華源 HYC3606 通過將控制器、氮化鎵開關管和氮化鎵驅動集成到一個封裝內(nèi)部,有效降低走線寄生電感對氮化鎵工作的影響,同時GND散熱的方式,極大的擴展了系統(tǒng)的散熱面積,避免了噪聲干擾,簡化快充的設計及調試,并且降低器件和制造成本,提高快充功率密度,提升快充產(chǎn)品的競爭力。

華源智信半導體深耕于電源管理、數(shù)字電源以及家用電器電源管理等應用領域,致力于為客戶提供高性能、高品質、客制化的工業(yè)與消費電子產(chǎn)品解決方案,打造成為從交流到直流一體化高效智慧節(jié)能的綜合電源管理解決方案供應商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:華源智信推出GND散熱的集成氮化鎵芯片HYC3606

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