5G 技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技術(shù)挑戰(zhàn)。5G 服務(wù)以更高的頻率工作，以確保更高的傳輸速率和極低的延遲。使用新頻率會(huì)產(chǎn)生功率效率問題，從而需要新的解決方案。

5G 不僅僅是一個(gè)更快的 4G 移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。5G 被認(rèn)為是“新”網(wǎng)絡(luò)，是管理物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)設(shè)施候選者。而且速度很快。運(yùn)行 5G 的網(wǎng)絡(luò)將比現(xiàn)有的 4G 網(wǎng)絡(luò)快 20 倍，使視頻下載速度快 10 倍。氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC） 和砷化鎵 （GaAs） 等高性能功率半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體在 5G 終端產(chǎn)品開發(fā)過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

5G 和功耗 憑借前所未有的復(fù)雜性，下一個(gè) 5G 技術(shù)將在未來幾年通過使其完全智能化來徹底改變行業(yè)。這種變化的挑戰(zhàn)是巨大的：超高帶寬、高達(dá) 1 毫秒的延遲以及高度可靠的連接。此外，RF 架構(gòu)需要可擴(kuò)展、高效且極其緊湊。5G 不僅需要在宏觀層面上安裝更多基站，還需要在設(shè)備層面實(shí)現(xiàn)高功率密度。

為了滿足更低功耗、更小外形尺寸和更好的熱管理性能的需求，基于 GaAs、GaN 和 SiC 技術(shù)的射頻功率放大器開始引領(lǐng) 4G 時(shí)代的到來。GaN 憑借其改進(jìn)的功率性能有望成為市場的主流。

此外，與硅 （Si） 相比，SiC 器件具有更低的成本和更好的性能，而 GaN-on-SiC 可以提供最佳的整體價(jià)值。特別是，GaN-on-SiC 的熱導(dǎo)率是 GaN-on-Si 的 3 倍。

同時(shí)，GaN 和 GaAs 功率半導(dǎo)體比傳統(tǒng)的 Si 基半導(dǎo)體具有更多優(yōu)勢，例如更高的開關(guān)速度、更低的電流損耗和更高的功率密度。材料供應(yīng)商正在實(shí)施新的制造解決方案，以提供更低的成本和更容易采用。特別是GaN和GaAs化合物半導(dǎo)體的制造工藝有望取得進(jìn)一步進(jìn)展。

根據(jù) ABI Research 的數(shù)據(jù)，在 5G 應(yīng)用的推動(dòng)下，射頻功率半導(dǎo)體的支出持續(xù)增長，在 2019 年達(dá)到近 20 億美元。市場分析表明，無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域經(jīng)歷了重大轉(zhuǎn)變，所有其他領(lǐng)域都在經(jīng)歷強(qiáng)勁增長。LDMOS 發(fā)揮著重要作用，但 GaN 繼續(xù)爭奪市場份額，通過縮小與其他更老的硅基技術(shù)之間的差距來解決市場所需的許多技術(shù)挑戰(zhàn)。

據(jù) ABI Research 稱，無線基礎(chǔ)設(shè)施市場約占總銷售額的 75%，并且在 5G NR 中頻的推動(dòng)下表現(xiàn)異常出色。在無線基礎(chǔ)設(shè)施之外，RF 功率半導(dǎo)體采用增長最為強(qiáng)勁的垂直市場是商業(yè)航空電子設(shè)備和空中交通管制。

推薦 的 GaN 和 SiC 功率器件為軍用/航空系統(tǒng)帶來巨大優(yōu)勢

與 LDMOS 相比，GaN-on-SiC 為 5G 技術(shù)提供了顯著的改進(jìn)，例如出色的熱特性，并且在更高頻率的 5G 應(yīng)用中效率更高。

智慧城市的 5G 用例（圖片：英飛凌科技）

以下是適用于 5G 應(yīng)用的射頻功率 IC 示例。

Analog Devices Inc. 由 Analog Devices Inc. （ADI） 提供的功率放大器基于 GaN 和 GaAs 半導(dǎo)體技術(shù)，頻率范圍為千赫至 95 GHz。除了裸芯片和表面貼裝元件，該公司的產(chǎn)品組合還包括輸出功率超過 8 kW 的基于 GaN 的功率放大器模塊。

ADPA7002CHIP 是一款 GaAs、單片微波集成電路 （MMIC）、假晶高電子遷移率晶體管 （pHEMT）、分布式功率放大器，工作頻率為 20 GHz 至 44 GHz。該放大器提供 15 dB 的小信號增益、1 dB 增益壓縮 （P1dB） 下的 28 dBm 輸出功率和 40 dBm 的典型輸出三階截距 （IP3）。

ADPA7002CHIP 的功能圖（圖片：Analog Devices Inc.）

Infineon Technologies AG Infineon Technologies 為 6 GHz 以上的集成架構(gòu)提供 GaN-on-SiC 和 GaN-on-Si 射頻功率技術(shù)，并為 6 GHz 以下的高穩(wěn)健性系統(tǒng)提供 LDMOS。封裝創(chuàng)新使 Doherty 集成寬帶放大器成為可能。

適用于移動(dòng)和低功耗基礎(chǔ)設(shè)施的靈活射頻解決方案，包括 SiGe、BiCMOS、GaN 毫米波和 CMOS 射頻技術(shù)，通過從成本優(yōu)化到高集成度設(shè)計(jì)的替代選項(xiàng)滿足最佳性能要求。

隨著 CPU 電流要求的增加以支持下一代人工智能和 5G 電網(wǎng)工作負(fù)載，DC/DC 穩(wěn)壓器必須為負(fù)載提供超過 500 A 的電流。XDPE132G5C控制器采用真正的 16 相 PWM 數(shù)字算法，可滿足這些高相數(shù)要求。

通信系統(tǒng)中最先進(jìn)的 ASIC 和 FPGA 要求 V OUT控制步長小于 1 mV。這是 XDPE132G5C 所固有的，它以 0.625-mV 的增量提供精細(xì)的 V OUT控制。此外，該解決方案支持自動(dòng)重啟要求，并提供選項(xiàng)以減少因電源問題導(dǎo)致的遠(yuǎn)程站點(diǎn)維護(hù)。

NXP Semiconductors NXP Semiconductors 提供多種射頻功率器件，包括 GaN、LDMOS、SiGe 和 GaAs 技術(shù)。一個(gè)例子是 MMRF5014H，這是一款 125W 連續(xù)波 （CW） 射頻功率晶體管，針對高達(dá) 2，700 MHz 的寬帶操作進(jìn)行了優(yōu)化，它還包括用于擴(kuò)展帶寬性能的輸入匹配。該器件具有高增益和高耐用性，非常適合 CW、脈沖和寬帶射頻應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的 GaN-on-SiC 技術(shù)構(gòu)建，適用于軍事和商業(yè)應(yīng)用，包括窄帶和多倍頻程寬帶放大器、雷達(dá)、干擾器和 EMC 測試。

LDMOS 功率放大器專為 TDD 和 FDD LTE 系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。AFSC5G23D37 是一款完全集成的 Doherty 功率放大器模塊，專為需要在最小尺寸內(nèi)獲得高性能的無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)、小型室外蜂窩和低功率遠(yuǎn)程無線電頭端。

隨著蜂窩市場向更高頻率和更高功率水平發(fā)展，GaN 技術(shù)提供了最先進(jìn)的線性化和射頻性能，以簡化 5G 部署。這些解決方案還通過實(shí)現(xiàn)更小、更輕的有源天線系統(tǒng)和多芯片模塊 （MCM） 來簡化大規(guī)模 MIMO 實(shí)施，以實(shí)現(xiàn)高集成度。

A2G35S160-01SR3 是一款 32W 射頻功率 GaN 晶體管，適用于頻率范圍為 3，400 至 3，600 MHz 的蜂窩基站應(yīng)用。它提供高終端阻抗以實(shí)現(xiàn)最佳寬帶性能，它專為數(shù)字預(yù)失真糾錯(cuò)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，并針對 Doherty 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

Macom Macom 提供范圍廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括設(shè)計(jì)用于在直流至 6 GHz 范圍內(nèi)工作的分立器件、模塊和托盤。MAGB-101822-380A0P 是一款 GaN HEMT D 模式放大器對，設(shè)計(jì)用于平均功率為 55W 的數(shù)字預(yù)失真糾錯(cuò)系統(tǒng)和非對稱 Doherty 基站應(yīng)用。該器件采用塑料封裝，針對具有高終端阻抗的蜂窩基站應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)寬帶性能。

Qorvo Inc. Qorvo Inc. 為整個(gè) 5G 基礎(chǔ)設(shè)施提供高度集成的組件和模塊。GaN 技術(shù)用于構(gòu)建固態(tài)微波功率放大器 （SSPA）。它受益于導(dǎo)致高功率密度的高故障電壓?？梢允褂枚喾N實(shí)施選項(xiàng)構(gòu)建 GaN 功率放大器。

PRFI Ltd. 實(shí)施了 Qorvo 解決方案 TGF2977，以設(shè)計(jì) 5W X 波段 GaN 功率放大器。該放大器針對 9.3 至 9.5 GHz 頻段進(jìn)行了優(yōu)化，提供 11 dB 的小信號增益，并在 3 dB 增益壓縮下提供超過 37 dBm 的輸出功率，相應(yīng)的漏極效率超過 55%。

TGF2977 是一款 5W （P3dB） 寬帶非匹配分立式 GaN-on-SiC HEMT，可在直流至 12GHz 和 32V 電源軌下工作。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 × 3-mm QFN 封裝，非常適合軍用和民用雷達(dá)、陸地移動(dòng)和軍用無線電通信、航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可以支持脈沖和線性操作。

TGA2219 是一款 25W GaN 功率放大器，作為高功率 MMIC 放大器提供，專為商用和軍用雷達(dá)（包括 Ku 波段）和衛(wèi)星通信系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。TGA2219 放大器采用 TriQuint 生產(chǎn)的 0.15-μm GaN-on-SiC 工藝開發(fā)，工作頻率范圍為 13.4 GHz 至 16.5 GHz，提供 25 W 的飽和輸出功率、27 dB 的大信號增益和超過 28% 的功率附加效率（PAE ）。TGA2219 完全匹配至 50 Ω，在 RF 端口上集成了隔直電容，以簡化系統(tǒng)集成。

Wolfspeed 是一家 Cree 公司 GaN-on-SiC，已成為應(yīng)對 5G 網(wǎng)絡(luò)引入帶來的所有挑戰(zhàn)和要求的領(lǐng)跑者。Wolfspeed 的產(chǎn)品組合主要集中在 GaN-on-SiC HEMT。一個(gè)例子是 GTRA384802FC。該解決方案是一種 400W （P3dB） HEMT，用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。

HEMT 具有輸入和輸出匹配、高效率和帶無耳法蘭的熱增強(qiáng)封裝。該器件提供 62% 的效率和 12-dB 增益，并且可以處理 10:1 VSWR @ 48-V、63-W （WCDMA） 輸出功率。其不對稱的 Doherty 設(shè)計(jì)保證了主 P3dB 200 W 典型值和峰值 P3dB 280 W 典型值。

結(jié)論 技術(shù)正在顯著發(fā)展。對于 5G，GaN 比硅更有效，并且多年來一直是 5G 功率放大器中硅的明顯繼承者。由于晶圓和成本降低的發(fā)展，它肯定會(huì)流行起來，尤其是在 5G 毫米波網(wǎng)絡(luò)方面。

GaN 器件正在市場上取代 LDMOS 器件，特別是在 5G 電信基站、雷達(dá)和航空電子設(shè)備以及其他寬帶應(yīng)用中。在未來的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，GaN 和其他寬帶隙 （WBG） 材料將因其物理特性而取代現(xiàn)有的 LDMOS 器件。然而，由于其成熟度和成本低廉，LDMOS 仍將占據(jù)穩(wěn)固的市場份額。