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      ir2110驅(qū)動替代料ID7S625 600V大電流驅(qū)動芯片

      h1654155149.2390 ? 來源： 驪微芯朋代理 ? 作者： 驪微芯朋代理 ? 2022-07-30 16:48 ? 次閱讀
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      常見的MOS管驅(qū)動方式有非隔離的直接驅(qū)動、自舉驅(qū)動，和有隔離的變壓器驅(qū)動、光耦隔離驅(qū)動等，ir2110驅(qū)動芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，廣泛應用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領域。

      d4f7fcb3261b46fa9b2e3300cd291934~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=w%2FoEva2NUtSF3hig0UcBPkOG0Nk%3D

      ir2110替代芯片ID7S625特征

      ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V

      ■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V

      ■ 輸出電流能力2.5A

      ■ 高側(cè)浮動偏移電壓600V

      ■ 自舉工作的浮地通道

      ■ 所有通道均有延時匹配功能

      ■ 所有通道均具有欠壓保護功能(UVLO)

      d0fe3929eccc482d98c82977c8154acc~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=26%2ByxMASVxr5dNE9JSLahCOlpdQ%3D

      ID7S625具有獨立的高低側(cè)輸出通道，其浮地通道能工作在60OV的高壓下，可用于驅(qū)動一個N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓撲結構，非常適合硬開關逆變器驅(qū)動器、DCDC 變換器。低壓側(cè)和高壓側(cè)控制和驅(qū)動器均為自供電，無需外部輔助電源。

      9c366b3923384962b960cdadb0671813~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=Y4cS2wM1dGsErMdas6C51%2FuXxOQ%3D

      IR2110國產(chǎn)替代芯片ID7S625驅(qū)動采用外部自舉電容上電，因其體積小、速度快等優(yōu)點，使得驅(qū)動電源路數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減小，降低了產(chǎn)品成本, 提高了系統(tǒng)的可靠性，已成為大多數(shù)中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的選擇，

      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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