1.案例背景

某產(chǎn)品測(cè)試過(guò)程中發(fā)生功能不良，初步分析不良是因?yàn)?a target="_blank">電阻阻值變大導(dǎo)致。

注：電阻阻值標(biāo)稱(chēng)值為1KΩ，實(shí)際達(dá)到幾十或幾百KΩ。

2.分析過(guò)程

2.1 針對(duì)原始失效電阻的分析

電阻#1

電阻#2

2.1.1 萬(wàn)用表檢測(cè)

34.22 KΩ 電阻#1

1.693KΩ 電阻#2

失效品金屬膜面均有損傷，且阻值均變大失效。

2.1.2 X-Ray檢測(cè)

電阻#1

電阻#2

失效品電阻膜中間位置有擴(kuò)散性損傷，其中電阻#1有明顯的燒損損傷特征，即中心擴(kuò)散，類(lèi)似圓形區(qū)域。

2.1.3電阻#2切片分析

通過(guò)對(duì)電阻#2進(jìn)行切片斷面分析，發(fā)現(xiàn)在電阻膜中間位置有明顯的缺損損傷，其他位置電阻膜狀態(tài)良好。

2.1.4 電阻#1 開(kāi)封分析

通過(guò)對(duì)電阻#1進(jìn)行開(kāi)封分析，發(fā)現(xiàn)電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。

2.2針對(duì)失效復(fù)現(xiàn)電阻的分析

電阻#3

電阻#4

2.2.1電壓階躍性測(cè)試

通過(guò)電阻失效復(fù)現(xiàn)，存在電阻EOS擊穿的可能性。當(dāng)有過(guò)電流作用于電阻時(shí)，驗(yàn)證出電阻阻值變大失效現(xiàn)象。

2.2.2 X-Ray檢測(cè)

復(fù)現(xiàn)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，復(fù)現(xiàn)品與原始失效樣品相比，外觀(guān)及X-Ray檢測(cè)的結(jié)果基本一致，均在電阻膜位置發(fā)生了部分缺損。

2.2.3 電阻#3 切片分析

電阻#3失效點(diǎn)狀態(tài)VS電阻#1失效點(diǎn)狀態(tài)

對(duì)復(fù)現(xiàn)品進(jìn)行切片分析，其損傷狀態(tài)與電阻#2切片狀態(tài)一致，損傷界面特征相同。

2.2.4 電阻#4 開(kāi)封分析

對(duì)電阻#4進(jìn)行開(kāi)封分析，電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。

3.分析結(jié)果

綜合以上分析，推斷電阻阻值變大失效的原因：

在產(chǎn)品測(cè)試過(guò)程中，電阻受到EOS沖擊，過(guò)流的可能性較大，電阻膜燒損導(dǎo)致失效。

3.1不良解析

3.1.1通過(guò)X-Ray及開(kāi)封分析，可以看到電阻膜層有明顯的燒損，其特征呈現(xiàn)部分燒斷、中心擴(kuò)散的特點(diǎn)。

3.1.2通過(guò)失效電阻的切片斷面分析，電阻膜失效點(diǎn)的金屬膜完全損傷，呈斷開(kāi)狀態(tài)。

如下圖所示：

3.1.3通過(guò)電阻EOS的失效驗(yàn)證，驗(yàn)證復(fù)現(xiàn)失效品，電阻阻值變大。通過(guò)X-RAY分析，其電阻膜損傷狀態(tài)與失效原始樣品一致。分別對(duì)其進(jìn)行的切片及開(kāi)封分析，失效特征與原始失效樣品基本一致。

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審核編輯 黃昊宇