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      NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

      batai ? 來源： batai ? 作者： batai ? 2022-07-18 09:14 ? 次閱讀
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      1.描述
      NP2P10MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的RDS(ON)、低柵電荷和高
      超低導(dǎo)通電阻密度電池設(shè)計(jì)。這個(gè)該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM申請(qǐng)。

      2.一般特征
      * VDS=-100V，ID=-2A
      * RDS(ON)（典型值）=237 MΩ@VGS=-10V
      * RDS(ON)（典型值）=268 mΩ@VGS=-4.5V
      （一）高切換速度
      * 改善dv/dt能力
      * 低柵電荷
      * 低反向轉(zhuǎn)移電容
      * 符合歐盟RoHS 2.0的無鉛標(biāo)準(zhǔn)

      3.應(yīng)用程序
      PWM應(yīng)用
      負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      poYBAGLUs8qAUep4AADb0EBDsT0897.png

      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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