99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一種設計和制備無襯底Au/SiNx/Au超構薄膜作為MFPA的太赫茲吸收體的方法

MEMS ? 來源:麥姆斯咨詢 ? 作者:麥姆斯咨詢 ? 2022-07-10 15:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

太赫茲技術因其獨特的優(yōu)勢而備受關注,其優(yōu)勢包括太赫茲波可穿透非偏振物體的強大能力,以及太赫茲光譜區(qū)域可表征眾多材料和分子的特征吸收帶。另外,太赫茲波對被探測人員和物體的傷害較小。與X射線等傳統(tǒng)探測方法相比,這一特點使太赫茲技術具有顯著優(yōu)勢。此外,太赫茲探測器還通常用于探測隱蔽物體以及無創(chuàng)醫(yī)學成像等應用。而缺乏靈敏的太赫茲探測器是阻礙太赫茲技術發(fā)展的主要問題之一。

超構材料(Metamaterials)是由亞波長微結(jié)構(如超構原子)組成的人工復合材料,具有可調(diào)整的電磁(EM)特性。超構材料吸收體在眾多電磁波譜中都顯示出了巨大的應用潛力,因為它們可以調(diào)整頻率相關的吸收特性。特別是在太赫茲區(qū)域,通過調(diào)整材料的長度、厚度及空間等結(jié)構參數(shù),可以顯著增強太赫茲能量的信號檢測。因此,超構材料為解決上述問題提供了極具前景的平臺。

將超構薄膜吸收體與雙材料懸臂梁相結(jié)合,可以增強對太赫茲能量的吸收,并可將所吸收的能量轉(zhuǎn)化為生物材料懸臂梁的形變。該探測單元可排成陣列從而形成超構材料焦平面陣列(MFPA),當與光學讀出系統(tǒng)結(jié)合后,該陣列可用于太赫茲實時成像系統(tǒng)。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,北京理工大學趙清教授課題組在IEEE Photonics Journal發(fā)表了以“Design and Fabrication of Substrate-free Au/SiNx/Au Metafilm for THz Sensing Application”為主題的研究論文。該研究論文通訊作者為北京理工大學、北京量子信息科學研究院趙清教授,主要從事量子物理與數(shù)學、信息科學的交叉研究工作。

這項研究論文報道了一種設計和制備無襯底Au/SiNx/Au超構薄膜作為MFPA的太赫茲吸收體的方法。研究采用了有限積分法模擬和新的顯函數(shù)來研究其吸收特性。另外,研究人員利用MEMS技術制備了無襯底結(jié)構。同時,還采用太赫茲時域光譜(THz-TDS)系統(tǒng)測量了MFPA頻率相關的吸收特性。研究結(jié)果表明,該Au/SiNx/Au超構薄膜設計可以提高吸收率并實現(xiàn)頻率選擇。另外,該超構薄膜在光學讀出太赫茲實時成像、雙波長分光光度法和多功能器件中具有潛在的傳感應用價值。

5ee7e942-f95a-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

(a)MFPA像素結(jié)構的俯視圖;(b)MFPA像素結(jié)構的橫截面視圖。

該器件中的像素結(jié)構由兩個懸臂梁和一個Au/SiNx/Au超構薄膜吸收體組成,如上圖所示。像素結(jié)構尺寸為150 μm × 150 μm。其懸臂梁是兩個折疊的SiNx/Au基生物材料梁,懸臂梁寬度為2.5 μm。超構薄膜吸收體由六個方形貼片和加固物組成。方形貼片尺寸為40 μm × 40 μm,為其頻率選擇表面(FSS)結(jié)構;加固物可以提高吸收體強度。在像素結(jié)構的橫截面視圖中,從下到上共有四層結(jié)構:第一層為SiNx層,用作結(jié)構層,包含懸臂梁和板;第二層為Au層,用作太赫茲輻射的反射鏡;第三層為SiNx層,用作太赫茲輻射的吸收層;第四層為Au層,用于形成FSS結(jié)構。吸收體采用了金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構。

5f063690-f95a-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

(a)MEMS MFPA制備流程圖;(b)在4英寸硅片上制備4顆MFPA的照片;(c)MFPA像素結(jié)構的SEM圖;(d)MFPA像素結(jié)構的3D形貌。

5f135b68-f95a-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

用于測量反射率和透過率的THz-TDS原理圖

這項研究設計并制備了一種集成了Au/SiNx/Au超構薄膜吸收體陣列和雙材料懸臂梁的100 x 100太赫茲MFPA,并對其進行了表征和理論模擬。該MFPA像素尺寸為150 μm × 150 μm,具有無襯底結(jié)構。利用THz-TDS進行測量,具有極高的吸收率。測量結(jié)果顯示,研究中制備的MFPA在1.36THz處可達到98.7%的諧振吸收率,與理論結(jié)果一致。通過模擬研究,采用修正的光致發(fā)光(PL)強度模型和非對稱Asym2sig模型來研究太赫茲吸收特性。從理論上分析了吸收率與SiNx薄膜厚度和方形貼片尺寸之間的關系。研究結(jié)果表明,該無襯底太赫茲MFPA及其分析方法可廣泛應用于太赫茲技術中,如雙波長分光光度法和太赫茲成像等。

這項研究工作獲得國家自然科學基金(61874137,61306141)的支持。該研究第一作者為北京理工大學Zhigang Li。

論文鏈接:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9796544

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MEMS技術
    +關注

    關注

    0

    文章

    143

    瀏覽量

    21527
  • 太赫茲
    +關注

    關注

    11

    文章

    350

    瀏覽量

    29965

原文標題:利用無襯底超構薄膜吸收體,顯著提升太赫茲波的吸收率

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    淺談半導體薄膜制備方法

    本文簡單介紹下半導體鍍膜的相關知識,基礎的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。
    的頭像 發(fā)表于 06-26 14:03 ?339次閱讀
    淺談半導體<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>

    AU6825集成音頻DSP的2×32W數(shù)字型Class D音頻功

    ? ? ? ?AU6825 是款數(shù)字輸入型,立體聲,高效的音頻 class D 功率放大器,其最大輸出功率可達 2×32W 或者 1× 64W。? ? ? ? AU6825 采用創(chuàng)新
    發(fā)表于 05-16 15:16 ?0次下載

    AU3109 10W、8V至18V、電感、立體聲D類揚聲器放大器中文手冊

    ? ? ? AU3109 是款 10W 每通道、高效率、低靜態(tài)電流 D 類 立體聲音頻放大器。它可以驅(qū)動負載低至 3.2Ω 的立體聲 揚聲器。其中,AU3109 工作在 BD 模式下,可以獲得更
    發(fā)表于 05-14 17:44 ?0次下載

    AU3107/AU3108 10W、8V至14.5V、電感、立體聲D類揚聲器放大器中文手冊

    ? ? ? AU3107/AU3108 是款 10W 每通道、高效率、低靜態(tài) 電流 D 類立體聲音頻放大器。它可以驅(qū)動負載低至 3.2Ω 的立體聲揚聲器。其中,AU3107 工作在
    發(fā)表于 05-14 17:41 ?0次下載

    詳解原子層沉積薄膜制備技術

    CVD 技術是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學反應來進行薄膜生長的過程,較短的工藝時間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術被越來越多地
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:18 ?516次閱讀
    詳解原子層沉積<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>制備</b>技術

    西安光機所在赫茲表面逆向設計領域取得新進展

    高精度表面逆向設計方法及透射/反射雙功能的寬頻段聚焦渦旋光產(chǎn)生器示意圖 近日,中國科學院西安光機所快光科學與技術全國重點實驗室在赫茲
    的頭像 發(fā)表于 04-22 06:12 ?295次閱讀
    西安光機所在<b class='flag-5'>太</b><b class='flag-5'>赫茲</b><b class='flag-5'>超</b>表面逆向設計領域取得新進展

    赫茲細胞能量儀主控芯片方案單片機開發(fā)控制板布局規(guī)劃

    赫茲細胞理療儀的工作原理及使用方法  赫茲(THZ)是指頻率在0.110THZ之間的電磁波
    發(fā)表于 03-25 15:37

    赫茲波的產(chǎn)生方式

    本文簡單介紹了三赫茲波的產(chǎn)生方式。 赫茲波(THz)是一種電磁波,在電磁波譜上位于紅外與微
    的頭像 發(fā)表于 02-17 09:09 ?1840次閱讀
    三<b class='flag-5'>種</b><b class='flag-5'>太</b><b class='flag-5'>赫茲</b>波的產(chǎn)生方式

    氮化硅薄膜的特性及制備方法

    氮化硅(Si?N?)薄膜一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領域具有廣泛的應用前景。作為非晶態(tài)絕緣,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:44 ?2245次閱讀
    氮化硅<b class='flag-5'>薄膜</b>的特性及<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>

    氮化硅薄膜制備方法及用途

    、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜一種應用廣泛的介質(zhì)材料。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:33 ?1703次閱讀
    氮化硅<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>及用途

    羅德與施瓦茨展示創(chuàng)新6G穩(wěn)定可調(diào)赫茲系統(tǒng)

    羅德與施瓦茨(以下簡稱“R&S”)在巴黎舉辦的歐洲微波周(EuMW 2024)上展示了基于光子赫茲通信鏈路的6G無線數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的概念驗證,助力新代無線技術的前沿探索。 在 6G-ADLANTIK 項目中開發(fā)的
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:56 ?842次閱讀

    關于赫茲波的介紹

    在上面的圖表中,光波和無線電波是相同的電磁波,被應用于社會的各個領域。 另方面,赫茲波還沒有被應用。然而,赫茲波具有以下有吸引力的特性
    的頭像 發(fā)表于 09-29 06:18 ?782次閱讀
    關于<b class='flag-5'>太</b><b class='flag-5'>赫茲</b>波的介紹

    赫茲拉曼光譜簡

    2 mm的范圍。 綜述 長期以來,作為研究材料低能振動模式的一種手段,電磁頻譜的赫茲 (THz) 區(qū)域直為科學家們所研究,其對應范圍大
    的頭像 發(fā)表于 09-26 10:02 ?807次閱讀
    <b class='flag-5'>太</b><b class='flag-5'>赫茲</b>拉曼光譜簡

    AU6815音頻功率放大器中文手冊

    AU6815 是款數(shù)字輸入型,雙通道立體聲,高效的音頻Class D 功率放大器,其最大輸出功率可達 2×25W 或者1×50W。AU6815 采用創(chuàng)新的調(diào)制模式,可以有效降低靜態(tài)功耗,提升續(xù)航
    發(fā)表于 09-23 17:13 ?8次下載

    一種透鏡成像的新方法

    使用OAM-HHG EUV光束對高度周期性結(jié)構進行成像的EUV聚光顯微鏡 為了研究微電子或光子元件中的納米級圖案,一種基于透鏡成像的新方法可以實現(xiàn)近乎完美的高分辨率顯微鏡。 層析成像是一種
    的頭像 發(fā)表于 07-19 06:20 ?768次閱讀
    <b class='flag-5'>一種</b><b class='flag-5'>無</b>透鏡成像的新<b class='flag-5'>方法</b>