7nm和12nm是工藝制程，換句話說就是處理器的蝕刻尺寸，就是我們八一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。蝕刻尺寸越小，相同大小的處理器中擁有的計(jì)算單元就越多，性能也越強(qiáng)。

臺積電的12nmFinFET工藝為其16nmFinFET的升級版，在功耗和性能方面都一定的提升，雖然比不上10nm工藝，但是由于是在16nmFinFET的基礎(chǔ)上改進(jìn)，因此工藝更成熟而產(chǎn)能充足。

關(guān)于各家工藝的的對照表：Intel和代工廠的工藝，如果從微縮程度（密度）和性能，關(guān)鍵技術(shù)視角看過去，對照情況完全不一樣。從密度上說：臺積電和三星的7nm 的確和Intel的10nm是同一個(gè)節(jié)點(diǎn)，對應(yīng)的代工廠的10nm、8nm和Intel的14nm是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，代工廠的12nm、14nm、16nm、20nm 差不多是Intel 的20nm節(jié)點(diǎn)，高于22nm一點(diǎn)。

CPU架構(gòu)相同的情況下，7nm和12nm的工藝制程帶來的差別主要是功耗和發(fā)熱，采用7nm工藝制程的芯片功耗和發(fā)熱肯定大大小于12nm的，畢竟都差兩代。

如果CPU架構(gòu)不同，那么7nm和12nm工藝制程帶來的差別就是芯片性能的鴻溝。道理很簡單，7nm工藝制程可以讓晶體管尺寸更小，而更小的晶體管尺寸就意味著，同樣的芯片面積下，可以容納更多的晶體管。晶體管數(shù)量多了，芯片可以實(shí)現(xiàn)的功能就多（可以增加緩存容量，或者添加新的功能芯片），性能也跟著上一個(gè)臺階。

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審核編輯 ：李倩