芯片是硅單質還是二氧化硅
芯片的主要成分是硅。首先芯片的原料是晶圓，而晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所提煉出來的，晶圓便是硅元素加以純化，然后將這些純化的硅制成硅晶棒，就成了制造集成電路的石英半導體材料。
芯片是內含集成電路的硅片，也是集成電路的載體，主要是由晶圓分割而來，硅片是計算機或電子設備的一部分，
芯片的作用取決于它的制作工藝，不同的工藝制程性能和功耗都不一樣，也決定了芯片的應用領域，芯片的良率則取決于晶圓廠的水平。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
460文章
52520瀏覽量
441183 -
晶圓
+關注
關注
53文章
5165瀏覽量
129829 -
硅片
+關注
關注
13文章
381瀏覽量
35178
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負極沒有？
為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會出現電流分布不均，電流擁擠效應，電極燒毀等現象。由于藍寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在
晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
在集成電路生產過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現象是一個常見但復雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產中嚴格控制每個工藝參數，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現象的發(fā)生。
主流氧化工藝方法詳解
在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現對硅表面的保護和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎支撐。本文將對
VirtualLab Fusion應用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
發(fā)表于 06-05 08:46
半導體硅表面氧化處理：必要性、原理與應用
半導體硅作為現代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導體制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了
呼氣末二氧化碳監(jiān)測中的傳感器應用
01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳（ETCO2）是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳壓（PETCO2）或二氧化碳濃度(CETCO2），已經被認為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動
芯片制造中的二氧化硅介紹
二氧化硅是芯片制造中最基礎且關鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化、側墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
VirtualLab Fusion應用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
發(fā)表于 02-05 09:35
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真
模擬的關鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
發(fā)表于 01-08 08:51
紅外 CO2（二氧化碳） 氣體傳感器和分析模組
隨著科技的進步，人們對于生活以及身體健康關注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分，與人類生活息息相關。關注CO2（二氧化碳）氣體，監(jiān)測CO2（二氧化碳）氣體至關重要。CO2（二
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真
模擬的關鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
發(fā)表于 12-11 11:27
偏硼酸鋰熔融－電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測定有色金屬礦中二氧化硅
存在，且金屬元素含量高、種類多，具有較高的研究價值。除了需要對有色金屬礦石中的多種元素進行研究外，作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合，也是影響礦石價格的主要參考指標之一，因此，研究有色金屬礦中二氧化硅的測定方法對礦產勘查有著重要影響及指導意義
基于51單片機的二氧化碳濃度檢測調節(jié)系統(tǒng)仿真
具體實現功能由51單片機+二氧化碳傳感器+LCD1602液晶顯示屏+按鍵+蜂鳴器+指示燈+繼電器+風扇+電源構成。具體功能：（1）二氧化碳傳感器測得二氧化碳數據后經過單片機處理，由LCD1602實時
二氧化硅薄膜實現增透的原因
二氧化硅薄膜實現增透的原因主要涉及以下幾個方面： 1. 折射率匹配 折射率特性 ：二氧化硅（SiO?）的折射率相對較低，這使得它能夠作為一層有效的增透膜（或稱為減反射膜）。當光線從一種介質進入另一種
鍍膜使用二氧化硅的作用
1. 引言 鍍膜技術是一種在基材表面形成薄膜的技術，廣泛應用于光學、電子、機械、建筑等領域。二氧化硅作為一種常見的無機材料，因其良好的光學性能、化學穩(wěn)定性和機械強度，在鍍膜技術中得到了廣泛應用
工商網監(jiān)
評論